一种高疏水性超薄晶圆清洗装置制造方法及图纸

本公开公开了一种高疏水性超薄晶圆清洗装置，属于晶圆生产技术领域，包括治具、治具上盖、清洗槽体上盖和清洗槽体，治具位于清洗槽体内，清洗槽上盖可拆卸连接在清洗槽体上，清洗槽体和清洗槽上盖的连接处设有密封垫，超薄晶圆采用重直式固定于治具内，清洗槽体的底端设有第一通孔和第二通孔，治具上设有治具上盖，治具上盖上固定连接有若干对第一固定条，治具内设有若干对第二固定条；本方案解决了现有技术中超薄晶圆表面清洗以及干燥产生水痕的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种高疏水性超薄晶圆清洗装置
本公开涉及晶圆生产
，更具体地说，涉及一种高疏水性超薄晶圆清洗装置。
技术介绍
Heavydoped的SiorpolySi是hydrophobicSurface(疏水性的表面)，在清洗或抛光或去除(蚀刻)工艺的最后表面做清洗及干燥时，一般采用机械或加热式；CMP工艺或是背面研磨、蚀刻工艺，一般采用刷洗(Scrubberclean)或加上NH4OH/H2O2(SC-1)的清洗，还是无法避免heavydopedSiorpolysilicon产生大量WaterMark(水痕)的defect。如采用Marogoni或IPADry在超薄晶圆上应用，由于需要缓慢通过表面张力，分离水膜。超薄晶圆的翘曲(warpage)问题将形成重大阻碍。超薄晶圆清洗及干燥限制。加上heavydopedSi及poly-siliconhydrophobic表面的清洗及犯罪的限制使得超薄晶圆背面工艺的施行十分困难。现有技术的缺点现行工艺的限制如下：1。传统的清洗设备，旋转喷淋式，开放浸泡槽式皆无法避免超薄晶圆制作中所产生的破片风险。2。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高疏水性超薄晶圆清洗装置，其特征在于：包括治具(1)、治具上盖(2)、清洗槽体上盖(4)和清洗槽体(5)，治具(1)位于清洗槽体(5)内，清洗槽上盖(4)可拆卸连接在清洗槽体(5)上，清洗槽体(5)和清洗槽上盖(4)的连接处设有密封垫(3)，超薄晶圆采用重直式固定于治具内，清洗槽体(5)的底端设有第一通孔和第二通孔，治具上设有治具上盖(2)，治具上盖(2)上固定连接有若干对第一固定条(6)，治具(1)内设有若干对第二固定条(7)。/n

【技术特征摘要】
1.一种高疏水性超薄晶圆清洗装置，其特征在于：包括治具(1)、治具上盖(2)、清洗槽体上盖(4)和清洗槽体(5)，治具(1)位于清洗槽体(5)内，清洗槽上盖(4)可拆卸连接在清洗槽体(5)上，清洗槽体(5)和清洗槽上盖(4)的连接处设有密封垫(3)，超薄晶圆采用重直式固定于治具内，清洗槽体(5)的底端设有第一通孔和第二通孔，治具上设有治具上盖(2)，治具上盖(2)上固定连接有若干对第一固定条(6)，治具(1)内设有若干对第二固定条(7)。


2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，文锺，符德荣，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33