偏置电路制造技术

一种在带隙电压基准电路和温度传感器中使用的偏置电路，包括一对晶体管（Ｑ↓［１］、Ｑ↓［２］），其中第一晶体管（Ｑ↓［１］）被设置为以发射极电流Ｉ↓［ｂｉａｓ］进行偏置，以及第二晶体管被设置为以发射极电流的ｍ倍ｍＩ↓［ｂｉａｓ］进行偏置。设置所述电路，以便部分地在具有值Ｒ↓［ｂｉａｓ］并且用于承载与Ｉ↓［ｂｉａｓ］相等的偏置电流的第一电阻装置的两端、以及部分地在具有与Ｒ↓［ｂｉａｓ］／ｍ实质相等的值并且用于承载与第二晶体管的基极电流相等电流的第二电阻装置的两端，产生晶体管的基极－发射极电压之间的差。这导致当用于经由衬底双极型晶体管的发射极对衬底双极型晶体管进行偏置时，使用从其中产生实质是ＰＴＡＴ的集电极电流的偏置电流Ｉ↓［ｂｉａｓ］、以及实质上与衬底双极型晶体管的正向电流增益无关的基极－发射极电压。

Bias circuit

A bias circuit used in bandgap voltage reference circuit and temperature sensor, including a pair of transistors (Q: 1, Q: 2), wherein the first transistor (Q: 1) is set to the bias emitter current I down to bias, and the second transistor is set the bias to emitter current M times: mI bias. Set up the circuit, so that to have the value R down bias and I down for carrying and bias equal to the bias current of the first resistor device, and both ends in part with R: bias / M essence of equal values and for bearing with second transistor base current is equal to the current the second ends of the resistance device, generating base emitter voltage difference between transistors. This result when used by the substrate bipolar transistor emitter bias of substrate bipolar transistor, which is produced from the use of real PTAT collector current bias current of the I: bias, and the essence and the substrate bipolar transistor forward current gain without the base emitter voltage.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种偏置电路，更具体地，涉及一种用于例如带隙电压基准电路和温度传感器的偏置电路。
技术介绍
产生与绝对温度(PTAT)成比例的电流的偏置电路广泛地用于集成电路中。它们的主要应用在于双极型晶体管(以及弱倒置(weak-inversion)中的CMOS晶体管)中与温度无关的偏置。PTAT偏置电路还用于带隙电压基准，其中将PTAT电压与双极型晶体管的基极-射极电压结合，以产生与温度无关的基准电压。另一个应用在于温度传感器，其中将PTAT电压或电流用作温度的测量。CMOS技术中的PTAT偏置电路、带隙基准和温度传感器通常基于衬底双极型晶体管(图1)。此种晶体管的集电极由衬底形成，并且因此接地。因此，此种晶体管通常经由其发射极进行偏置，如图2的晶体管Q所示，导致集电极电流IC=BFBF+1Ibias---(1)]]>其中BF是晶体管的大信号正向电流增益，以及Ibias是施加到发射极的电流。因此，在基极-发射极电压中引入了关于BF的不希望依赖性VBE=kTqln(ICIS)=kTqln(IbiasISBFBF+1)=kTqln(IbiasIS)+kTqln(BFBF+1)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏置电路，包括一对晶体管（Ｑ↓［１］、Ｑ↓［２］），第一晶体管（Ｑ↓［１］）被设置为以发射极电流Ｉ↓［ｂｉａｓ］进行偏置，以及第二晶体管被设置为以发射极电流的ｍ倍ｍＩ↓［ｂｉａｓ］进行偏置，设置所述电路，以便部分地在具有值Ｒ↓［ｂｉａｓ］并且用于承载与Ｉ↓［ｂｉａｓ］相等的偏置电流的第一电阻装置两端、以及部分地在具有与Ｒ↓［ｂｉａｓ］／ｍ实质相等的值并且用于承载与第二晶体管的基极电流相等的电流的第二电阻装置的两端，产生晶体管的基极－发射极电压之间的差。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔AP佩尔蒂斯，约翰H胡声，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]