制造半导体装置的方法制造方法及图纸

制造半导体装置的方法。公开了一种具有改进的电特性的半导体装置及其制造方法，该方法可包括以下步骤：形成多个介电层和多个牺牲层交替地层叠在基板上的交替层叠物；在交替层叠物中形成第一贯通部分；通过第一贯通部分蚀刻牺牲层的第一部分，以在多个介电层之间形成横向凹陷；形成隔离在横向凹陷中的多个电荷捕获层；通过蚀刻保留有牺牲层的第二部分的交替层叠物来形成第二贯通部分；通过第二贯通部分去除牺牲层的第二部分，以形成暴露电荷捕获层的非平坦表面的栅极凹陷；将电荷捕获层的非平坦表面平坦化；以及形成填充栅极凹陷的栅电极。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法
各种实施方式总体上涉及半导体装置，更具体地，涉及一种具有电荷捕获材料的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
为了半导体装置的高集成度，已提出了具有在三个维度上垂直地布置的存储器单元的垂直半导体装置。
技术实现思路
根据实施方式，一种制造半导体装置的方法可包括以下步骤：形成层叠体，该层叠体包括第一层、第二层以及设置在第一层和第二层之间的牺牲层；蚀刻牺牲层的第一部分以在第一层和第二层之间形成第一间隙；在第一间隙中形成具有非平坦表面的第三层；去除牺牲层的第二部分以在第一层和第二层之间形成暴露第三层的非平坦表面的第二间隙；以及将第三层的非平坦表面平坦化。根据实施方式，一种制造半导体装置的方法可包括以下步骤：形成多个介电层和多个牺牲层交替地层叠在基板上的交替层叠物；在交替层叠物中形成第一贯通部分；通过第一贯通部分蚀刻牺牲层的第一部分，以在多个介电层之间形成横向凹陷；形成隔离在横向凹陷中的多个电荷捕获层；通过蚀刻保留有牺牲层的第二部分的交替层叠物来形成第二贯通部分；通过第二贯通部分去除牺牲层的第二部分，以形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：/n形成层叠体，该层叠体包括第一层、第二层以及设置在所述第一层和所述第二层之间的牺牲层；/n蚀刻所述牺牲层的第一部分以在所述第一层和所述第二层之间形成第一间隙；/n在所述第一间隙中形成具有非平坦表面的第三层；/n去除所述牺牲层的第二部分以在所述第一层和所述第二层之间形成暴露所述第三层的所述非平坦表面的第二间隙；以及/n将所述第三层的所述非平坦表面平坦化。/n

【技术特征摘要】
20190930 KR 10-2019-01207751.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：
形成层叠体，该层叠体包括第一层、第二层以及设置在所述第一层和所述第二层之间的牺牲层；
蚀刻所述牺牲层的第一部分以在所述第一层和所述第二层之间形成第一间隙；
在所述第一间隙中形成具有非平坦表面的第三层；
去除所述牺牲层的第二部分以在所述第一层和所述第二层之间形成暴露所述第三层的所述非平坦表面的第二间隙；以及
将所述第三层的所述非平坦表面平坦化。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三层的所述非平坦表面具有圆形轮廓。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三层的所述非平坦表面包括圆形凸侧壁。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第三层的所述非平坦表面平坦化的步骤包括蚀刻所述第三层的所述非平坦表面。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第三层的步骤中，所述第三层还包括面向所述非平坦表面的圆形表面。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一间隙的步骤包括以下步骤：
形成穿透所述层叠体的第一贯通部分；以及
通过所述第一贯通部分蚀刻所述牺牲层的所述第一部分，以在所述第一层和所述第二层之间形成所述第一间隙。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，蚀刻所述牺牲层的所述第一部分的步骤是通过各向同性蚀刻工艺来执行的。


8.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第一间隙中形成具有所述非平坦表面的所述第三层的步骤包括以下步骤：
形成填充所述第一间隙并覆盖所述第一贯通部分的侧壁的所述第三层；以及
修整所述第三层以形成与所述第一间隙隔离的隔离第三层。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二间隙的步骤包括以下步骤：
通过蚀刻保留有所述牺牲层的所述第二部分的所述层叠体来形成第二贯通部分；以及
通过所述第二贯通部分蚀刻所述牺牲层的所述第二部分，以形成所述第二间隙。


10.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在将所述第三层的所述非平坦表面平坦化之后，
在具有平坦化的表面的所述第三层上形成阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：宾真昈，权日荣，卞惠炫，刘东哲，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR