温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

制造半导体装置的方法。公开了一种具有改进的电特性的半导体装置及其制造方法，该方法可包括以下步骤：形成多个介电层和多个牺牲层交替地层叠在基板上的交替层叠物；在交替层叠物中形成第一贯通部分；通过第一贯通部分蚀刻牺牲层的第一部分，以在多个介电层之...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。