半导体器件及其形成方法技术

方法和半导体器件包括具有一个或多个半导体器件的衬底。在一些实施例中，器件还包括设置在一个或多个半导体器件上方的第一钝化层。器件可以进一步包括形成在第一钝化层上方的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构。此外，器件可以进一步包括设置在MIM电容器结构上方的第二钝化层。在各个实例中，应力减小部件嵌入在第二钝化层内。在一些实施例中，应力减小部件包括第一含氮层、设置在第一含氮层上方的含氧层和设置在含氧层上方的第二含氮层。本申请还涉及半导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
电子工业对更小且更快的半导体器件的需求不断增长，这些器件同时能够支持更多的日益复杂和精细的功能。因此，半导体工业中存在制造低成本、高性能和低功率集成电路(IC)的持续趋势。迄今为止，通过按比例缩小半导体IC的尺寸(例如，最小部件尺寸)并且由此提高生产效率并降低相关成本，在很大程度上已经实现了这些目标。然而，这样的缩小也增大了半导体制造工艺的复杂性。因此，实现半导体IC和器件的持续发展需要半导体制造工艺和技术的类似发展。举例来说，并且随着IC器件的不断缩小，需要大表面积的无源器件可以制造为后段制程(BEOL)工艺的一部分。可以形成为BEOL工艺的一部分的无源器件的一个实例是金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。通常，MIM电容器包括由介电层彼此分隔开的多个导体板层。在一些实例中，可以在包括器件层(例如，晶体管等)和多层互连(MLI)结构的半导体衬底上方形成MIM电容器，该多层互连(MLI)结构提供位于衬底内的各个微电子部件之间的互连。在一些实施例中，可以在MIM电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n衬底，包括一个或多个半导体器件；/n第一钝化层，设置在所述一个或多个半导体器件上方；/n金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，形成在所述第一钝化层上方；以及/n第二钝化层，设置在所述金属-绝缘体-金属电容器结构上方，其中，应力减小部件嵌入在所述第二钝化层内。/n

【技术特征摘要】
20190930 US 62/908,427;20200922 US 16/948,5271.一种半导体器件，包括：
衬底，包括一个或多个半导体器件；
第一钝化层，设置在所述一个或多个半导体器件上方；
金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，形成在所述第一钝化层上方；以及
第二钝化层，设置在所述金属-绝缘体-金属电容器结构上方，其中，应力减小部件嵌入在所述第二钝化层内。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二钝化层包括设置在所述应力减小部件之下的第一介电部分和设置在所述应力减小部件之上的第二介电部分。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述应力减小部件包括第一含氮层、设置在所述第一含氮层上方的含氧层和设置在所述含氧层上方的第二含氮层。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一含氮层和所述第二含氮层包括氮化硅(SiN)，并且其中，所述含氧层包括氧化物层。


5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一含氮层具有第一厚度，其中，所述含氧层具有第二厚度，其中，所述第二含氮层具有第三厚度，并且其中，所述第二厚度小于所述第一厚度和所述第三厚度中的每个。


6.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：鄞金木，高弘昭，沈香谷，陈殿豪，陈燕铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71