【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本公开主张2019/09/27申请的美国正式申请案第16/585,461号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。更具体地，本公开涉及一种具有同时形成的栅极结构与电容结构的半导体装置与其相关制造方法。
技术介绍
半导体装置被用于各种电子设备的应用当中，例如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。为满足对计算能力不断增长的需求，半导体装置的尺寸不断地缩小。然而，半导体装置微型化的过程使其制造方面遭遇着各种问题，制造的复杂度也持续的提高。因此，在提高半导体装置的质量、良率、效能、可靠性和降低制造复杂度等方面仍然面临挑战。上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开的一实施例提供一种半导体装置，包括一栅极结构，其包括内凹设置的一第一栅极底部绝缘层、一第一栅极顶部绝...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一第一栅极结构，包括内凹设置的一第一栅极底部绝缘层、一第一栅极顶部绝缘层设置于该第一栅极底部绝缘层上、一第一栅极顶部导电层设置于该第一栅极顶部绝缘层上以及一第一栅极填充层设置于该第一栅极顶部导电层上；以及/n一电容结构，包括内凹设置的一电容底部绝缘层、一电容底部导电层设置于该电容底部绝缘层上、一电容顶部绝缘层设置于该电容底部导电层上、一电容顶部导电层设置于该电容顶部绝缘层上以及一电容填充层设置于该电容顶部导电层上；/n其中该第一栅极底部绝缘层和该电容底部绝缘层是由相同材料所形成。/n
【技术特征摘要】
20190927 US 16/585,4611.一种半导体装置，包括：
一第一栅极结构，包括内凹设置的一第一栅极底部绝缘层、一第一栅极顶部绝缘层设置于该第一栅极底部绝缘层上、一第一栅极顶部导电层设置于该第一栅极顶部绝缘层上以及一第一栅极填充层设置于该第一栅极顶部导电层上；以及
一电容结构，包括内凹设置的一电容底部绝缘层、一电容底部导电层设置于该电容底部绝缘层上、一电容顶部绝缘层设置于该电容底部导电层上、一电容顶部导电层设置于该电容顶部绝缘层上以及一电容填充层设置于该电容顶部导电层上；
其中该第一栅极底部绝缘层和该电容底部绝缘层是由相同材料所形成。
2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一第二栅极结构和该第一栅极结构相邻设置。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该第二栅极结构包括内凹设置的一第二栅极底部绝缘层、一第二栅极底部导电层设置于该第二栅极底部绝缘层上、一第二栅极顶部导电层设置于该第二栅极底部导电层上以及一第二栅极填充层设置于该第二栅极顶部导电层上，其中该第二栅极底部绝缘层和该第一栅极底部绝缘层是由相同材料所形成。
4.如权利要求3所述的半导体装置，还包括一基底与一第一绝缘膜，该第一绝缘膜设置于该基底上，其中该第一栅极结构、该第二栅极结构及该电容结构设置于该第一绝缘膜中。
5.如权利要求4所述的半导体装置，还包括一隔离层设置于该基底中并限定出一第一主动区域、一第二主动区域相邻于该第一主动区域以及一第三主动区域相邻于该第二主动区域。
6.如权利要求5所述的半导体装置，还包括多个第一副掺杂区域设置于该第一主动区域中，该多个第一副掺杂区域分别对应地相邻于该第一栅极结构的底部的两侧。
7.如权利要求6所述的半导体装置，还包括多个第一应力区域分别对应地相邻于该多个第一副掺杂区域。
8.如权利要求3所述的半导体装置，其中，该第二栅极结构还包括一第二栅极顶部绝缘层，该第二栅极顶部绝缘层设置于该第二栅极底部导电层与该第二栅极顶部导电层之间。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，该第二栅极顶部绝缘层的厚度小于或等于该第一栅极顶部绝缘层的厚度。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一栅极底部绝缘层的厚度和该电容底部绝缘层的厚度相同。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其中，该第一栅极顶部绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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