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本申请公开一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一栅极结构，其包括内凹设置的一栅极底部绝缘层、一栅极顶部绝缘层设置于该栅极底部绝缘层上、一栅极顶部导电层设置于该栅极顶部绝缘层上以及一栅极填充层设置于该栅极顶部导电层上，以及一电容结构，...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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