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方法和半导体器件包括具有一个或多个半导体器件的衬底。在一些实施例中，器件还包括设置在一个或多个半导体器件上方的第一钝化层。器件可以进一步包括形成在第一钝化层上方的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构。此外，器件可以进一步包括设置在MIM电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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