基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可提高基板品质的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置包括：平台，支撑处理对象物，所述处理对象物具有基板、包围基板的周围的圈、以及粘接于基板的下表面及圈的下表面的切割带；以及液体供给部，根据平台的转速，朝向由通过旋转机构进行旋转的平台支撑的处理对象物的圈的上表面、由通过旋转机构进行旋转的平台支撑的处理对象物的基板与圈之间、及由通过旋转机构进行旋转的平台支撑的处理对象物的基板的外周端部的任一者，喷出不与用以处理基板的处理液混合且比重大于处理液的液体，向处理对象物的基板与圈之间供给液体。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板处理方法
本专利技术的实施方式涉及一种基板处理装置及基板处理方法。
技术介绍
近年来，谋求半导体元件的进一步薄型化以及成本降低。因此，在支撑半导体元件的基板上，成批地制造半导体元件。作为支撑半导体元件的基板(支撑基板)，例如使用半导体用晶片或液晶面板用玻璃基板，在支撑基板的接着层上进行配线形成或芯片载置、模具密封等各种处理，在接着层上形成半导体元件。然后，从所形成的半导体元件剥离支撑基板。在支撑基板的剥离工序中，例如，通过激光照射使半导体元件与支撑基板之间的接着层劣化，而从半导体元件剥离支撑基板。在进行剥离工序之前，为了最终将半导体元件切分成各个芯片，在与支撑基板相反的半导体元件侧的面上贴附作为粘接带的切割带。在贴附的切割带上，将用以进行搬送、支撑的圈以包围切割带上的支撑基板及半导体元件的方式贴附于切割带上。因此，切割带的粘接面(具有粘接性的面)的中央区域被支撑基板及半导体元件覆盖，切割带的粘接面的外缘区域被环状的圈覆盖。切割带的粘接面的中央区域与外缘区域之间的环状区域(半导体元件与圈之间的切割带的粘接面)露出。在通过剥离工序从半导体元件剥离支撑基板之后，成为在切割带上仅贴附有半导体元件的状态。另外，由于在支撑基板上形成半导体元件，因此成批地形成的半导体元件以与支撑基板同样的外形形成。即，在将半导体用晶片作为支撑基板的情况下，半导体元件的外形成为与半导体晶片同样的圆盘状。以下，以形成为圆盘状的半导体元件为例进行说明。另外，将半导体元件简称为元件(或基板)。当将支撑基板从元件剥离时，作为接着层的接着物(例如，碳)残留于元件上。因此，需要从元件去除所残留的接着物。在接着物的去除工序中，例如利用多个卡盘销(固定构件)从上方按压圈，将元件与圈以及切割带一起固定于平台上。然后，使元件以元件的中心为旋转中心与切割带以及圈一起在水平面内旋转，向元件的中心附近供给溶剂等清洗液(处理液的一例)，使供给至元件的中心附近的清洗液在元件整个面(周向)上扩展并且从元件排出，从元件去除接着物。从元件去除的接着物与清洗液一起从元件排出，但所排出的接着物有时会附着于元件与圈之间的切割带的粘接面上。若接着物附着，则在搬送工序或切割工序等中，接着物从切割带离开而附着于元件(基板)上，元件被污染，因此元件品质、即基板品质下降。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利第6004100号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]本专利技术所要解决的问题在于提供一种可提高基板品质的基板处理装置及基板处理方法。[解决问题的技术手段]本专利技术实施方式的基板处理装置包括：平台，支撑处理对象物，所述处理对象物具有基板、包围所述基板的周围的圈、以及粘接于所述基板的下表面及所述圈的下表面的切割带；旋转机构，使所述平台在平面内旋转；液体供给部，根据所述平台的转速，朝向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述圈的上表面、由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板与所述圈之间、及由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的外周端部的任一者，喷出不与用以处理所述基板的处理液混合且比重大于所述处理液的液体，向所述处理对象物的所述基板与所述圈之间供给所述液体；以及处理液供给部，在通过所述液体供给部将所述液体供给至所述处理对象物的所述基板与所述圈之间的状态下，向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的上表面供给所述处理液。本专利技术实施方式的基板处理方法具有如下工序：通过平台支撑处理对象物，所述处理对象物具有基板、包围所述基板的周围的圈、以及粘接于所述基板的下表面及所述圈的下表面的切割带；通过旋转机构使所述平台在平面内旋转；通过液体供给部，根据所述平台的转速朝向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述圈的上表面、由所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板与所述圈之间、及由所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的外周端部的任一者，喷出不与用以处理所述基板的处理液混合且比重大于处理液的液体，向所述处理对象物的所述基板与所述圈之间供给所述液体；以及在通过所述液体供给部将所述液体供给至所述处理对象物的所述基板与所述圈之间的状态下，通过处理液供给部向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的上表面供给所述处理液。[专利技术的效果]根据本专利技术的实施方式，可提高基板品质。附图说明图1是表示第一实施方式的基板处理装置的概略结构的图。图2是表示第一实施方式的基板处理装置的一部分的平面图。图3是用以说明第一实施方式的基板处理工序的图。图4是用以说明第一实施方式的液体供给的第一图。图5是用以说明第一实施方式的液体供给的第二图。图6是用以说明第一实施方式的液体供给的第三图。图7是用以说明第二实施方式的喷嘴角度变更的第一图。图8是用以说明第二实施方式的喷嘴角度变更的第二图。符号的说明10：基板处理装置20：平台21：本体22：支撑体23：卡盘销30：旋转机构(旋转驱动部)31：旋转轴32：马达40：处理液供给部41：喷嘴41a、41b、51a、52a：调整阀50：液体供给部51：第一喷嘴52：第二喷嘴53：角度变更部60：控制部A1、A2：喷嘴角度W：处理对象物W1：基板W2：圈W3：切割带具体实施方式＜第一实施方式＞参照图1至图5对第一实施方式进行说明。(基本结构)如图1所示，第一实施方式的基板处理装置10包括：平台20、旋转机构(旋转驱动部)30、处理液供给部40、液体供给部50以及控制部60。如图1及图2所示，处理对象物W具有基板(例如，元件)W1、圈W2以及切割带W3。基板W1贴附于切割带W3的中央。圈W2形成为环状，且以包围切割带W3上的基板W1的周围的方式贴附于切割带W3上。因此，切割带W3的粘接面的中央区域被基板W1覆盖，切割带W3的粘接面的外缘区域被环状的圈W2覆盖。因此，切割带W3的粘接面的中央区域与外缘区域之间的环状区域、即基板W1与圈W2之间的切割带W3的上表面露出。平台20具有本体21、支撑体22以及多个卡盘销23。所述平台20被杯体(未图示)包围，并被定位于杯体内的大致中央处，且在水平面内能够旋转地设置于旋转机构30上。平台20例如被称为自旋台(spintable)。本体21形成为中央呈圆柱状隆起的凸形状。所述本体21的凸部的上表面以隔着切割带W3与处理对象物W的基板W1的下表面相向的状态支撑基板W1。支撑体22形成为环状，并且以包围本体21的凸部(突出部)的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：/n平台，支撑处理对象物，所述处理对象物具有基板、包围所述基板的周围的圈、以及粘接于所述基板的下表面及所述圈的下表面的切割带；/n旋转机构，使所述平台在平面内旋转；/n液体供给部，根据所述平台的转速，朝向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述圈的上表面、由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板与所述圈之间、及由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的外周端部的任一者，喷出不与用以处理所述基板的处理液混合且比重大于所述处理液的液体，向所述处理对象物的所述基板与所述圈之间供给所述液体；以及/n处理液供给部，在通过所述液体供给部将所述液体供给至所述处理对象物的所述基板与所述圈之间的状态下，向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的上表面供给所述处理液。/n

【技术特征摘要】
20190930 JP 2019-1808441.一种基板处理装置，包括：
平台，支撑处理对象物，所述处理对象物具有基板、包围所述基板的周围的圈、以及粘接于所述基板的下表面及所述圈的下表面的切割带；
旋转机构，使所述平台在平面内旋转；
液体供给部，根据所述平台的转速，朝向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述圈的上表面、由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板与所述圈之间、及由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的外周端部的任一者，喷出不与用以处理所述基板的处理液混合且比重大于所述处理液的液体，向所述处理对象物的所述基板与所述圈之间供给所述液体；以及
处理液供给部，在通过所述液体供给部将所述液体供给至所述处理对象物的所述基板与所述圈之间的状态下，向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的上表面供给所述处理液。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述平台以所述圈的上表面的高度低于所述基板的上表面的高度的方式支撑所述处理对象物。


3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中在所述平台的转速为第一转速的情况下，所述液体供给部朝向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述圈的上表面喷出所述液体，在所述平台的转速为大于所述第一转速的第二转速的情况下，所述液体供给部朝向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的外周端部、或由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板与所述圈之间，喷出所述液体，
所述第一转速以由所述液体供给部喷出并到达所述处理对象物的所述圈的上表面的所述液体在由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述圈与所述基板之间流动的方式设定。


4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中所述液体供给部根据所述平台的转速，变...

【专利技术属性】
技术研发人员：洼田俊也，松井绘美，山崎克弘，大谷义和，富冈恭平，
申请(专利权)人：信越工程株式会社，芝浦机械电子装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP