【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板处理方法
本专利技术的实施方式涉及一种基板处理装置及基板处理方法。
技术介绍
近年来,谋求半导体元件的进一步薄型化以及成本降低。因此,在支撑半导体元件的基板上,成批地制造半导体元件。作为支撑半导体元件的基板(支撑基板),例如使用半导体用晶片或液晶面板用玻璃基板,在支撑基板的接着层上进行配线形成或芯片载置、模具密封等各种处理,在接着层上形成半导体元件。然后,从所形成的半导体元件剥离支撑基板。在支撑基板的剥离工序中,例如,通过激光照射使半导体元件与支撑基板之间的接着层劣化,而从半导体元件剥离支撑基板。在进行剥离工序之前,为了最终将半导体元件切分成各个芯片,在与支撑基板相反的半导体元件侧的面上贴附作为粘接带的切割带。在贴附的切割带上,将用以进行搬送、支撑的圈以包围切割带上的支撑基板及半导体元件的方式贴附于切割带上。因此,切割带的粘接面(具有粘接性的面)的中央区域被支撑基板及半导体元件覆盖,切割带的粘接面的外缘区域被环状的圈覆盖。切割带的粘接面的中央区域与外缘区域之间的环状区域(半导体元件与圈之间的切割带的粘接面)露出。在通过剥离工序从半导体元件剥离支撑基板之后,成为在切割带上仅贴附有半导体元件的状态。另外,由于在支撑基板上形成半导体元件,因此成批地形成的半导体元件以与支撑基板同样的外形形成。即,在将半导体用晶片作为支撑基板的情况下,半导体元件的外形成为与半导体晶片同样的圆盘状。以下,以形成为圆盘状的半导体元件为例进行说明。另外,将半导体元件简称为元件(或基板)。当将支撑基板从元件剥 ...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置,包括:/n平台,支撑处理对象物,所述处理对象物具有基板、包围所述基板的周围的圈、以及粘接于所述基板的下表面及所述圈的下表面的切割带;/n旋转机构,使所述平台在平面内旋转;/n液体供给部,根据所述平台的转速,朝向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述圈的上表面、由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板与所述圈之间、及由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的外周端部的任一者,喷出不与用以处理所述基板的处理液混合且比重大于所述处理液的液体,向所述处理对象物的所述基板与所述圈之间供给所述液体;以及/n处理液供给部,在通过所述液体供给部将所述液体供给至所述处理对象物的所述基板与所述圈之间的状态下,向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的上表面供给所述处理液。/n
【技术特征摘要】
20190930 JP 2019-1808441.一种基板处理装置,包括:
平台,支撑处理对象物,所述处理对象物具有基板、包围所述基板的周围的圈、以及粘接于所述基板的下表面及所述圈的下表面的切割带;
旋转机构,使所述平台在平面内旋转;
液体供给部,根据所述平台的转速,朝向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述圈的上表面、由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板与所述圈之间、及由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的外周端部的任一者,喷出不与用以处理所述基板的处理液混合且比重大于所述处理液的液体,向所述处理对象物的所述基板与所述圈之间供给所述液体;以及
处理液供给部,在通过所述液体供给部将所述液体供给至所述处理对象物的所述基板与所述圈之间的状态下,向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的上表面供给所述处理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述平台以所述圈的上表面的高度低于所述基板的上表面的高度的方式支撑所述处理对象物。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中在所述平台的转速为第一转速的情况下,所述液体供给部朝向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述圈的上表面喷出所述液体,在所述平台的转速为大于所述第一转速的第二转速的情况下,所述液体供给部朝向由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板的外周端部、或由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述基板与所述圈之间,喷出所述液体,
所述第一转速以由所述液体供给部喷出并到达所述处理对象物的所述圈的上表面的所述液体在由通过所述旋转机构进行旋转的所述平台支撑的所述处理对象物的所述圈与所述基板之间流动的方式设定。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中所述液体供给部根据所述平台的转速,变...
【专利技术属性】
技术研发人员:洼田俊也,松井绘美,山崎克弘,大谷义和,富冈恭平,
申请(专利权)人:信越工程株式会社,芝浦机械电子装置株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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