【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种加工装置、加工方法及基板的制造方法。
技术介绍
1、就半导体封装基板而言，从“more than more”的趋势转移到对系统进行单芯片化的soc(system on a chip，片上系统)的趋势，并沿该趋势而兴盛地进行开发。
2、另外，半导体封装基板的结构正在复杂化、高密度化，将使用了准分子激光的装置应用于该基底基板的制造。
3、伴随半导体封装基板的高密度化，要求半导体封装基板的配线的也高精细，且配线也多层化。由于这样的配线的细线化和多层化，线与空间(l&s)变窄而变得复杂。如果配线宽度变窄，则具有配线电阻变大的倾向。
4、为了进行多层的配线间的连接而设置贯通孔(via)，或者为了解决配线电阻变大的问题而在半导体封装基板的制作中在基板上设置沟槽(槽)，并沿这些沟槽进行配线的形成。形成这样的配线，由此能够增加配线的剖面积，所以能够抑制配线电阻变大。
5、以下说明这样的半导体封装基板的工法的例子。
6、首先，使用专用真空贴合机将积层膜(日语：ビルドアッ...
【技术保护点】
1.一种加工装置，其利用由激光束的照射能量进行的烧蚀加工在基板的表面形成细微的凹凸，包含：
2.一种加工装置，利用由激光束的照射能量进行的烧蚀加工在基板的表面形成细微的凹凸，包含：
3.根据权利要求1所述的加工装置，其中，所述掩膜和所述基板台构成为，在与所述激光束所照射的方向大致垂直的面方向上同步地进行动作，由此保持相对对应的位置关系；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的加工装置，其中，所述激光束是准分子激光。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的加工装置，其中，进一步包含保持所述掩膜且对所述掩膜进行扫频的掩膜台。p>
6.根据权...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种加工装置，其利用由激光束的照射能量进行的烧蚀加工在基板的表面形成细微的凹凸，包含：
2.一种加工装置，利用由激光束的照射能量进行的烧蚀加工在基板的表面形成细微的凹凸，包含：
3.根据权利要求1所述的加工装置，其中，所述掩膜和所述基板台构成为，在与所述激光束所照射的方向大致垂直的面方向上同步地进行动作，由此保持相对对应的位置关系；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的加工装置，其中，所述激光束是准分子激光。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的加工装置，其中，进一步包含保持所述掩膜且对所述掩膜进行扫频的掩膜台。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的加工装置，其中，在所述第二光学功能部与所述基板台之间，进一步包含具备缩小投影光学系统的第三光学功能部。
7.根据权利要求6所述的加工装置，其中，所述第三光学功能部进一步具备冷却所述缩小投影光学系统的冷却单元。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的加工装置，其中，所述成形光学系统是下述光学系统，其具备多个柱面透镜，将来自所述激光光源的所述激光束成形为所述照射形状是所述矩形状且照射能量密度均匀的激光束。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的加工装置，其中，所述成形光学系统是下述光学系统，其具备多个柱面透镜，将来自所述激光光源的所述激光束成形为所述照射形状是所述矩形状且是平顶型的激光束。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的加工装置，其中，所述第二光学功能部使通过了所述第一光学功能部的所述激光束的所述照射形状通过所述掩膜而进一步成形。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的加工装置，其中，构成为，在至少一个方向的所述扫频照射中，一边对所述掩膜和所述基板台脉冲照射所述激光束，一边非停止地对所述掩膜和所述基板台进行扫频。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的加工装置，其中，进一步包含：
13.根据权利要求12所述的加工装置，其中，进一步包含：基于所述对准机构的信息，相对于所述掩膜的所述图案修正所述基板的加工形状的单元。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的加工装置，其中，所述掩膜设置在相对于设置有所述加工装置的水平面大致垂直的方向。
15.一种加工方法，利用由激光束的照射能量进行的烧蚀加工在基板的表面形成细微的凹凸，包含以下步骤：
16.一种加工方法，利用由激光束的照射能量进行的烧蚀加工在基板的表面形成细微的凹凸，包含以下步骤：
17.一种加工方法，利用由激光束的照射能量进行的烧蚀加工在基板的表面形成细微的凹凸，包含以下步骤：
18.根据权利要求15所述的加工方法，其中，使所述掩膜和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：大谷义和，山冈裕，仓田昌实，宇佐美健人，
申请(专利权)人：信越工程株式会社，
类型：发明
国别省市：
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