用于处理基板的设备和用于将处理液分配到基板上的方法技术

本发明专利技术构思涉及一种用于处理基板的设备。所述设备包括基板支撑单元，其支撑所述基板；喷嘴单元，其将处理液分配到支撑在所述基板支撑单元上的所述基板上；以及液体供应单元，其将所述处理液供应到所述喷嘴单元。所述液体供应单元包括主供应线，其连接到所述喷嘴单元并将所述处理液供应到所述喷嘴单元；第一DIW供应线，其连接到所述主供应线并在第一温度下供应DIW；第二DIW供应线，其连接到所述主供应线并在高于所述第一温度的第二温度下供应DIW；以及化学制品供应线，其连接到所述主供应线并供应化学制品。所述设备还包括控制单元，所述控制单元通过调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的流量来调节所述处理液的温度。述处理液的温度。述处理液的温度。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的设备和用于将处理液分配到基板上的方法


[0001]本文所述的本专利技术构思的实施例涉及用于处理基板的设备和用于分配处理液的方法。

技术介绍

[0002]通常，通过对诸如硅片的基板执行各种工艺(例如，光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、沉积工艺等)来形成半导体元件。
[0003]各种处理液可用于相应的工艺中。例如，处理液可用于在光工艺中用光致抗蚀剂涂覆基板的工艺中，或用于在工艺之前和之后去除粘附到基板的各种类型的污染物的清洁工艺中。

技术实现思路

[0004]本专利技术构思的实施例提供用于有效地处理基板的基板处理设备和处理液分配方法。
[0005]此外，本专利技术构思的实施例提供基板处理设备和处理液分配方法，用于在没有单独的加热器的情况下通过调节高温DIW和室温DIW的比率来控制处理液的温度。
[0006]此外，本专利技术构思的实施例提供基板处理设备和处理液分配方法，用于即使在内部和外部环境引起的温度变化的情况下也提高温度可靠性。
[0007]此外，本专利技术构思的实施例提供基板处理设备和处理液分配方法，用于提高基板的均匀性。
[0008]有待由本专利技术构思解决的技术问题不限于上文所提及的问题，且专利技术构思所属的本领域的技术人员根据以下描述将清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
[0009]根据示例性实施例，用于处理基板的设备包括基板支撑单元，其支撑所述基板；喷嘴单元，其将处理液分配到支撑在所述基板支撑单元上的所述基板上；以及液体供应单元，其将所述处理液供应到所述喷嘴单元。所述液体供应单元包括主供应线，其连接到所述喷嘴单元并将所述处理液供应到所述喷嘴单元；第一DIW供应线，其连接到所述主供应线并在第一温度下供应DIW；第二DIW供应线，其连接到所述主供应线并在高于所述第一温度的第二温度下供应DIW；以及化学制品供应线，其连接到所述主供应线并供应化学制品。所述设备还包括控制单元，所述控制单元通过调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的流量来调节所述处理液的温度。
[0010]在一个实施例中，所述主供应线可设置有温度计，所述温度计测量所述处理液的所述温度，并且所述控制单元可基于由所述温度计测量的所述处理液的所述温度来调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量。
[0011]在一个实施例中，所述设备还可包括温度检测构件，其测量支撑在所述基板支撑单元上的所述基板的温度，并且所述控制单元可基于在分配所述处理液的同时由所述温度检测构件测量的所述基板的所述温度来调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温
度下的所述DIW的所述流量。
[0012]在一个实施例中，可取决于时间而不同地设置在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量。
[0013]在一个实施例中，所述温度检测构件可检测正在被处理的第一基板的表面温度被检测为相对较高的位置和时间，并且在第二基板的处理中，所述控制单元可调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量以降低在所述位置和所述时间由所述喷嘴单元分配的所述处理液的所述温度。
[0014]在一个实施例中，可通过增加在所述第一温度下的所述DIW的所述流量或降低在所述第二温度下的所述DIW的所述流量来降低所述处理液的所述温度。
[0015]在一个实施例中，所述温度检测构件可检测正在被处理的第一基板的表面温度被检测为相对较低的位置和时间，并且在第二基板的处理中，所述控制单元可调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量以升高在所述位置和所述时间由所述喷嘴单元分配的所述处理液的所述温度。
[0016]在一个实施例中，可通过降低在所述第一温度下的所述DIW的所述流量或增加在所述第二温度下的所述DIW的所述流量来升高所述处理液的所述温度。
[0017]在一个实施例中，所述喷嘴单元可在从所述基板的中心区域移动到边缘区域的同时分配所述处理液，并且当在分配所述处理液的同时所述喷嘴位于所述边缘区域中时，所述控制单元可增加在所述第二温度下的所述DIW的所述流量。
[0018]在一个实施例中，所述喷嘴单元可在从所述基板的中心区域移动到边缘区域的同时分配所述处理液，并且当在分配所述处理液的同时所述喷嘴位于所述中心区域中时，所述控制单元可增加在所述第一温度下的所述DIW的所述流量。
[0019]根据示例性实施例，提供了用于将处理液分配到基板上的方法。通过将化学制品与在第一温度下的DIW和在高于所述第一温度的第二温度下的DIW混合来制备所述处理液，并且通过调节在所述第一温度下的所述DIW的流量和在所述第二温度下的所述DIW的流量来调节所述处理液的温度。
[0020]在一个实施例中，可基于在分配所述处理液的同时测量的所述基板的表面温度来调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量。
[0021]在一个实施例中，可基于在分配所述处理液的同时测量的所述基板的温度来调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量。
[0022]在一个实施例中，可取决于时间不同地设置在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量。
[0023]在一个实施例中，可检测正在被处理的第一基板的表面温度被检测为相对较高的位置和时间，并且在第二基板的处理中，可调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量以降低在所述位置和所述时间分配的所述处理液的所述温度。
[0024]在一个实施例中，可通过增加在所述第一温度下的所述DIW的所述流量或降低在所述第二温度下的所述DIW的所述流量来降低所述处理液的所述温度。
[0025]在一个实施例中，可检测正在被处理的第一基板的表面温度被检测为相对较低的位置和时间，并且在第二基板的处理中，可调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二
温度下的所述DIW的所述流量以升高在所述位置和所述时间分配的所述处理液的所述温度。
[0026]在一个实施例中，可通过降低在所述第一温度下的所述DIW的所述流量或增加在所述第二温度下的所述DIW的所述流量来升高所述处理液的所述温度。
[0027]在一个实施例中，喷嘴单元可在从所述基板的中心区域移动到边缘区域的同时分配所述处理液，并且当所述喷嘴单元在所述边缘区域中分配所述处理液时，可增加在所述第二温度下的所述DIW的所述流量。
[0028]在一个实施例中，喷嘴单元可在从所述基板的中心区域移动到边缘区域的同时分配所述处理液，并且当所述喷嘴单元在所述中心区域中分配所述处理液时，可增加在所述第一温度下的所述DIW的所述流量。
附图说明
[0029]根据以下参考以下图的描述，以上和其他目的和特征将变得显而易见，其中除非另有说明，否则相同附图标记在各个图中是指相同部分，且其中：
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：基板支撑单元，其被配置为支撑所述基板；喷嘴单元，其被配置为将处理液分配到支撑在所述基板支撑单元上的所述基板上；以及液体供应单元，其被配置为将所述处理液供应到所述喷嘴单元，其中所述液体供应单元包括：主供应线，其连接到所述喷嘴单元，并被配置为将所述处理液供应到所述喷嘴单元；第一DIW供应线，其连接到所述主供应线，并被配置为在第一温度下供应DIW；第二DIW供应线，其连接到所述主供应线，并被配置为在高于所述第一温度的第二温度下供应DIW；以及化学制品供应线，其连接到所述主供应线，并被配置为供应化学制品，并且其中所述设备还包括控制单元，所述控制单元被配置为：通过调节在所述第一温度下的DIW的流量或在所述第二温度下的DIW的流量来调节所述处理液的温度。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述主供应线设置有温度计，所述温度计被配置为测量所述处理液的温度，并且其中所述控制单元基于由所述温度计测量的所述处理液的温度，来调节在所述第一温度下的DIW的流量或在所述第二温度下的DIW的流量。3.根据权利要求1所述的设备，还包括：温度检测构件，其被配置为测量支撑在所述基板支撑单元上的所述基板的温度，其中所述控制单元基于在分配所述处理液的同时、由所述温度检测构件测量的所述基板的温度，来调节在所述第一温度下的DIW的流量或在所述第二温度下的DIW的流量。4.根据权利要求3所述的设备，其中在所述第一温度下的DIW的流量或在所述第二温度下的DIW的流量取决于时间而被不同地设置。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述温度检测构件检测这样的位置和时间，即在所述位置和所述时间，被处理的第一基板的表面温度被检测为相对高，并且在第二基板的处理中，所述控制单元调节在所述第一温度下的DIW的流量或在所述第二温度下的DIW的流量，以在所述位置和所述时间降低由所述喷嘴单元分配的所述处理液的温度。6.根据权利要求5所述的设备，其中通过增加在所述第一温度下的DIW的流量或降低在所述第二温度下的DIW的流量，来降低所述处理液的温度。7.根据权利要求4所述的设备，其中所述温度检测构件检测这样的位置和时间，即，在所述位置和所述时间，被处理的第一基板的表面温度被检测为相对低，并且在第二基板的处理中，所述控制单元调节在所述第一温度下的DIW的流量或在所述第二温度下的DIW的流量，以在所述位置和所述时间升高由所述喷嘴单元分配的所述处理液的温度。8.根据权利要求7所述的设备，其中通过降低在所述第一温度下的DIW的流量或增加在所述第二温度下的DIW的流量，来升高所述处理液的温度。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述喷嘴单元在从所述基板的中心区域移动到边缘区域的同时分配所述处理液，并且其中，在分配所述处理液时，当所述喷嘴位于所述边缘区域中时，所述控制单元增加在所述第二温度下的DIW的流量。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述喷嘴单元在从所述基板的中心区域移动到边缘区域的同时分配所述处理液，并且其中，在分配所述处理液时，当所述喷嘴位于所述中心区域中时，所述控制单元增加在所述第一温度下的DIW的流量。11.一种用于将处理液分配到基板上的方法，其中通过将化学制品与在第一温度下的DIW和在高于所述第一温度的第二温度下的DIW混合来制备所述处理液，并且通过调节在所述第一温度下的DIW的流量和在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李康奭，李主晟，权淳甲，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：