Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法技术

本发明专利技术公开了Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，所述Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在Si衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层、生长在所述第二AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层、生长在所述Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。上的p型掺杂GaN层。上的p型掺杂GaN层。

【技术实现步骤摘要】
Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，特别涉及Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法。

技术介绍

[0002]深紫外光在国防技术、信息科技、生物制药、环境监测、公共卫生、杀菌消毒等领域具有广大的应用前景。目前所用的传统紫外光源是气体激光器和汞灯，存在着体积大、能耗高和污染等缺点。AlGaN基化合物半导体紫外发光二极管(LED)是一种固态紫外光源，具有体积小、效率高、寿命长、环境友好、低能耗和无污染等优点。高Al组分AlGaN材料是制备高性能深紫外LED不可替代的材料体系，无论在民用和军用方面都有重大需求，如在杀菌消毒、癌症检测、皮肤病治疗等医疗卫生领域，AlGaN基紫外光源，具有无汞污染、波长可调、体积小、集成性好、能耗低、寿命长等诸多优势。
[0003]近年来，AlGaN基深紫外LED的发展已经取得了一些进展，但其外量子效率低和发光功率低等性能问题仍阻碍着其商业化，而高质量的外延材料是制备高性能深紫外LED的基础。目前高质量的AlGaN材料一般都是通过异质外延方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，包括：生长在Si衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层、生长在所述第二AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层、生长在所述Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。2.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述低温AlN层的厚度为50～100nm。3.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述高温AlN层的厚度为200～500nm。4.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述第一AlGaN层的厚度为2～10nm。5.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述第二AlGaN层的厚度为800～2000nm。6.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述n型掺杂AlGaN层的厚度为3～5μm。7.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述AlGaN多量子阱层由7～10个周期的Al
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【专利技术属性】
技术研发人员：高芳亮，杨金铭，
申请(专利权)人：惠州市三航无人机技术研究院，
类型：发明
国别省市：