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本发明公开了Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，所述Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在Si衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述...
该专利属于惠州市三航无人机技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过惠州市三航无人机技术研究院授权不得商用。

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