一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法技术

本发明专利技术提供一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法，包括以下步骤：（1）在衬底上镀一层催化剂薄膜；（2）在镀有催化剂薄膜的衬底表面沉积掺硼金刚石薄膜，在沉积过程中，通入气体包括碳源、氢气和掺杂气体，所述碳源为甲烷、二甲醚和乙醇，其中乙醇为气态，甲烷、二甲醚和乙醇的体积比为3‑6：0.8‑2：0.5‑1；沉积时间为0.5‑1h；（3）将所得掺硼金刚石薄膜在空气氛围中进行煅烧，煅烧温度为700‑800℃，最终得到厚度为3‑6μm的多孔掺杂类金刚石薄膜。本发明专利技术一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法，通过在衬底上镀上一程催化剂薄膜，以及碳源由三种原料组成，将沉积时间缩短为0.5‑1h，便能得到厚度为3‑6μm的多孔掺杂类金刚石薄膜，大大提高了沉积速率，有利于工业应用。

A preparation method of porous doped diamond-like carbon films

【技术实现步骤摘要】
一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法
本专利技术属于金刚石薄膜制备
，具体涉及一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法。
技术介绍
金刚石是一种特殊的物质材料，每个碳原子的四个价电子以SP3杂化轨道与周围最近邻的四个原子成键，具有很高的硬度和非常稳定的化学性质。金刚石的半导体特性也十分突出，其晶体结构类型与硅相同，因而可以通过掺杂用作半导体材料。将金刚石沉积到一定的基体材料上，最常见的方法是化学气相沉积法(CVD)，包括热丝化学气相沉积、微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、燃烧火焰法、直流等离子体喷射法等。但是，目前现有技术的化学气象沉积法制备金刚石薄膜，通常沉积速率很慢，反应时间长，不利于工业运用。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法，包括以下步骤：（1）在衬底上镀一层催化剂薄膜；（2）在镀有催化剂薄膜的衬底表面沉积掺硼金刚石薄膜，在沉积过程中，通入气体包括碳源、氢气和掺杂气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在衬底上镀一层催化剂薄膜；（2）在镀有催化剂薄膜的衬底表面沉积掺硼金刚石薄膜，在沉积过程中，通入气体包括碳源、氢气和掺杂气体，所述碳源为甲烷、二甲醚和乙醇，其中乙醇为气态，甲烷、二甲醚和乙醇的体积比为3-6：0.8-2：0.5-1；沉积时间为0.5-1h；（3）将所得掺硼金刚石薄膜在空气氛围中进行煅烧，煅烧温度为700-800℃，最终得到厚度为3-6μm的多孔掺杂类金刚石薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在衬底上镀一层催化剂薄膜；（2）在镀有催化剂薄膜的衬底表面沉积掺硼金刚石薄膜，在沉积过程中，通入气体包括碳源、氢气和掺杂气体，所述碳源为甲烷、二甲醚和乙醇，其中乙醇为气态，甲烷、二甲醚和乙醇的体积比为3-6：0.8-2：0.5-1；沉积时间为0.5-1h；（3）将所得掺硼金刚石薄膜在空气氛围中进行煅烧，煅烧温度为700-800℃，最终得到厚度为3-6μm的多孔掺杂类金刚石薄膜。


2.根据权利要求1所述的一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法，其特征在于，氢气的流量为300-500sccm，掺杂气体的流量为20-50sccm，碳源流量为20-30sccm。


3.根据权利要求1所述的一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法，其特征在于，步骤（2）中进行沉积时，衬底表面的温度为700-800℃，沉积气压为4-6kPa。


4.根据权利要求1-3任一项所述的一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法，其特征在于，碳源中的三种气体预先混合均匀。

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【专利技术属性】
技术研发人员：朱雨，包国文，袁梅，严肃静，范永娴，
申请(专利权)人：惠州市三航无人机技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44