【技术实现步骤摘要】
检测系统及检测方法
本专利技术涉及高精度缺陷检测领域,尤其涉及一种检测系统及检测方法。
技术介绍
随着现代工业的发展,透明膜状结构越来越多应用到半导体领域,例如硅晶圆上镀膜、玻璃晶圆、玻璃保护膜等。透明芯片也是未来半导体行业发展的重要方向之一。与硅等非透明材料相似的是,透明膜材料上存在的缺陷也将影响其功能,因此,对透明膜材料进行检测是及时发现缺陷、提高半导体良品率、降低成本的重要技术手段。目前,散射光检测是现有半导体行业进行高精度缺陷检测的主要方法,然而这种方法通常主要针对非透明材料设计,当检测透明材料时,由于透明材料中相对的两个表面均可能存在缺陷,传统方法难以确定散射信号源于该待测透明材料的具体位置。此外,光学成像法也是半导体缺陷检测的一种常用方法,然而受光学衍射极限的限制,光学成像法仅能检测大约几百纳米尺寸的缺陷,且实现高分辨率检测时速度较慢,难以满足工业应用中高吞吐量的需求。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提出了检测系统及检测方法。本专利技术一方面提出了一种检测系统,其包括:检测光生成单元,被配置为向待测物发射第二检测光,其中,所述待测物包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二检测光自所述第一表面透过所述待测物并经所述第二表面散射形成第二信号光;信号探测单元,被配置为成像式收集所述第二信号光,并根据所述第二信号光生成第二检测信息;以及处理单元,被配置为基于所述第二检测信息来获取所述第二表面的缺陷信息。本专利技术另一方面还提出了 ...
【技术保护点】
1.一种检测系统,其特征在于,所述系统包括:/n检测光生成单元,被配置为向待测物发射第二检测光,其中,所述待测物包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二检测光自所述第一表面透过所述待测物并经所述第二表面散射形成第二信号光;/n信号探测单元,被配置为成像式收集所述第二信号光,并根据所述第二信号光生成第二检测信息;以及/n处理单元,被配置为基于所述第二检测信息来获取所述第二表面的缺陷信息。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种检测系统,其特征在于,所述系统包括:
检测光生成单元,被配置为向待测物发射第二检测光,其中,所述待测物包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二检测光自所述第一表面透过所述待测物并经所述第二表面散射形成第二信号光;
信号探测单元,被配置为成像式收集所述第二信号光,并根据所述第二信号光生成第二检测信息;以及
处理单元,被配置为基于所述第二检测信息来获取所述第二表面的缺陷信息。
2.根据权利要求1所述的检测系统,其特征在于,
所述检测光生成单元还被配置为向所述待测物发射第一检测光,所述第一检测光经所述第一表面散射形成第一信号光;
所述信号探测单元还被配置为成像式收集所述第一信号光,并根据所述第一信号光形成第一检测信息;
所述处理单元还被配置为基于所述第一检测信息获取所述第一表面的缺陷信息。
3.根据权利要求1所述的检测系统,其特征在于,还包括承载台,所述承载台被配置为承载所述待测物;在沿第一方向上所述承载台的承载面与所述信号探测单元之间的距离可调,所述第一方向与所述信号探测单元的光轴不垂直。
4.根据权利要求3所述的检测系统,其特征在于,还包括控制单元,所述控制单元被配置为控制所述承载台与所述信号探测单元之间的相对运动;
所述控制单元进一步被配置为使所述待测物与所述信号探测单元具有第一相对位置,其中,在所述第一相对位置处,所述信号探测单元的感光面位置与所述第一表面的待测位置相互共轭;和/或
所述控制单元进一步被配置为使所述待测物与所述信号探测单元具有第二相对位置,其中,在所述第二相对位置处,所述信号探测单元的感光面位置与所述第二表面的待测位置相互共轭。
5.根据权利要求2所述的检测系统,其特征在于,所述系统进一步包括:
光位移单元,被配置为改变所述第一表面和/或所述第二表面的待测位置的成像位置。
6.根据权利要求5所述的检测系统,其特征在于,所述信号探测单元包括:信号光收集器和光电探测器,所述信号光收集器被配置为分别收集所述第一信号光和所述第二信号光,并使所述第一信号光或所述第二信号光经由所述光位移单元汇聚至所述光电探测器。
7.根据权利要求5所述的检测系统,其特征在于,
所述光位移单元进一步被配置为使所述信号探测单元在所述光位移单元进出光路时分别收集所述第一信号光和所述第二信号光;或者
所述光位移单元进一步被配置为使所述第一表面和/或所述第二表面的待测位置的成像位置的改变量可调。
8.根据权利要求5所述的检测系统,其特征在于,所述光位移单元包括单个棱镜或双楔棱镜,所述双楔棱镜包括斜边平行设置的第一楔形棱镜和第二楔形棱镜。
9.根据权利要求8所述的检测系统,其特征在于,所述第一楔形棱镜和所述第二楔形棱镜的相对距离可调。
10.根据权利要求5所述的检测系统,其特征在于,所述光位移单元包括光位移片承载单元和位于所述光位移片承载单元的多个光位移片,所述多个光位移片对所述第一信号光或所述第二信号光传播方向的改变量不同,所述光位移片承载单元被配置使不同的光位移片进入光路。
技术研发人员:陈鲁,崔高增,黄有为,王天民,马凯,庞芝亮,
申请(专利权)人:深圳中科飞测科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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