一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列制造技术

本实用新型专利技术公开了一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列，包括外壳、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极穿过外壳两端固定安装在二极管内部的管芯上，所述外壳上正反面设置有凹槽，所述凹槽内设置有多孔降噪板；所述外壳内部和管芯之间设置有一定的空隙；所述空隙内填充有多孔降噪板，管芯上直接包裹多孔降噪板，有利于进一步加强雪崩二极管的降噪效果；本实用新型专利技术结构设置巧妙且布置合理，本实用新型专利技术中在雪崩二极管的外壳上设置凹槽，在凹槽内安装多孔降噪板，利用声波进入多孔降噪板内部互相贯通的孔隙，空气分子受到摩擦和沾滞阻力，使空气产生振动，从而使声能转化为机械能最后因摩擦而转变为热能被吸收，起到明显的降噪效果。

【技术实现步骤摘要】
一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列
本技术涉及一种二极管，具体是一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列。
技术介绍
PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿(隧道击穿)。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞的可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子–空穴对，这就是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种雪崩二极管，包括外壳(1)、第一电极(2)和第二电极(5)，所述第一电极(2)和第二电极(5)穿过外壳(1)两端固定安装在二极管内部的管芯上，其特征在于，所述外壳(1)上正反面设置有凹槽(3)，所述凹槽(3)内设置有多孔降噪板(4)。/n

【技术特征摘要】
1.一种雪崩二极管，包括外壳(1)、第一电极(2)和第二电极(5)，所述第一电极(2)和第二电极(5)穿过外壳(1)两端固定安装在二极管内部的管芯上，其特征在于，所述外壳(1)上正反面设置有凹槽(3)，所述凹槽(3)内设置有多孔降噪板(4)。


2.根据权利要求1所述的一种雪崩二极管，其特征在于，所述外壳(1)内部和管芯之间设置有一定的空隙，所述空隙内填充有多孔降噪板(4)。


3.根据权利要求2所述的一种雪崩二极管，其特征在于，所述管芯包括P型半导体(6)和N型半导体(8)。


4.根据权利要求3所述的一种雪崩二极管，其特征在于，所述二极管内第一电极(2)连接在P型半导体(6)上，所述二极管内第二电极(5)连接在N型半导体(8)上，所述P型半导体(6)和N型半导体(8)之间设置有PN结(7)。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄继彬，罗永志，钟青松，
申请(专利权)人：成都永铭科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51