一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列制造技术

本实用新型专利技术公开了一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列，包括外壳、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极穿过外壳两端固定安装在二极管内部的管芯上，所述外壳上正反面设置有凹槽，所述凹槽内设置有多孔降噪板；所述外壳内部和管芯之间设置有一定的空隙；所述空隙内填充有多孔降噪板，管芯上直接包裹多孔降噪板，有利于进一步加强雪崩二极管的降噪效果；本实用新型专利技术结构设置巧妙且布置合理，本实用新型专利技术中在雪崩二极管的外壳上设置凹槽，在凹槽内安装多孔降噪板，利用声波进入多孔降噪板内部互相贯通的孔隙，空气分子受到摩擦和沾滞阻力，使空气产生振动，从而使声能转化为机械能最后因摩擦而转变为热能被吸收，起到明显的降噪效果。

【技术实现步骤摘要】
一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列
本技术涉及一种二极管，具体是一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列。
技术介绍
PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿(隧道击穿)。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞的可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子–空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增，PN结就发生雪崩击穿。利用该特点可制作高反压二极管。雪崩二极管是一种负阻器件，特点是输出功率大，但噪声也很大；主要噪声来自于雪崩噪声，是由于雪崩倍增过程中产生电子和空穴和无规则性所引起的，其性质和散弹噪声类似；雪崩噪声是雪崩二极管振荡器的噪声远高于其它振荡器的主要原因，而由多个雪崩二极管组成的雪崩二极管阵列所产生的噪音就更大了，有时会严重影响电子产品的正常运行。为此，专利技术人综合各类因素提出了一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种雪崩二极管，包括外壳、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极穿过外壳两端固定安装在二极管内部的管芯上，所述外壳上正反面设置有凹槽，所述凹槽内设置有多孔降噪板。工作时：雪崩二极管的主要噪声是由于雪崩倍增过程中产生电子和空穴和无规则性所引起的，其性质和散弹噪声类似，这是雪崩二极管振荡器的噪声远高于其它振荡器的主要原因；当在雪崩二极管的外壳上设置凹槽，在凹槽内安装多孔降噪板，利用声波进入多孔降噪板内部互相贯通的孔隙，空气分子受到摩擦和沾滞阻力，使空气产生振动，从而使声能转化为机械能最后因摩擦而转变为热能被吸收，起到明显的降噪效果。作为本技术的进一步方案：所述外壳内部和管芯之间设置有一定的空隙；所述空隙内填充有多孔降噪板，由于管芯上直接包裹多孔降噪板，便于利用孔降噪板直接吸收雪崩二极管产生的噪声，进一步加强雪崩二极管的降噪效果。作为本技术的再进一步方案：所述管芯包括P型半导体和N型半导体。作为本技术的再进一步方案：所述二极管内第一电极连接在P型半导体上，所述二极管内第二电极连接在N型半导体上，所述P型半导体和N型半导体之间设置有PN结。作为本技术的再进一步方案：所述第一电极和第二电极与外壳之间设置有密封圈，便于将第一电极和第二电极固定安装在外壳内部，防止第一电极和第二电极松动。一种含有上述雪崩二极管的雪崩二极管阵列，所述若干雪崩二极管按照一定的规则安装在壳体内组合成雪崩二极管阵列，所述雪崩二极管阵列包括公共阳极，所述雪崩二极管耦合至所述公共阳极以及或门，所述阵列的每个雪崩二极管的输出端耦合至所述或门。作为本技术的进一步方案：所述壳体内部与每个雪崩二极管之间具有一定的空隙，所述空隙内设置有多孔降噪板，方便利用多孔降噪板直接吸收雪崩二极管阵列所产生的噪声，进一步实现雪崩二极管阵列的降噪。作为本技术的再进一步方案：所述多孔降噪板为多孔高密度的泡沫塑料材料制成，该材料具有显著的降噪效果，并且还具有良好的散热性能，能够有效避免因过热而导致二极管单向导电性被永久性破坏。与现有技术相比，本技术具有以下几个方面的有益效果：1、本技术提供一种雪崩二极管，结构设置巧妙且布置合理，本技术中在雪崩二极管的外壳上设置凹槽，在凹槽内安装多孔降噪板，利用声波进入多孔降噪板内部互相贯通的孔隙，空气分子受到摩擦和沾滞阻力，使空气产生振动，从而使声能转化为机械能最后因摩擦而转变为热能被吸收，起到明显的降噪效果。2、本技术进一步设计的在二极管外壳和管芯之间的空隙内填充有多孔降噪板，由于管芯上直接包裹多孔降噪板，方便利用孔降噪板直接吸收雪崩二极管产生的噪声，进一步加强雪崩二极管的降噪效果。3、本技术进一步设计的雪崩二极管阵列的壳体内部与每个雪崩二极管之间具有一定的空隙，所述空隙内设置有多孔降噪板，方便利用多孔降噪板直接吸收雪崩二极管阵列所产生的噪声，更进一步加强雪崩二极管阵列的降噪效果。4、本技术进一步设计的多孔降噪板为多孔高密度的泡沫塑料材料制成，该材料具有显著的降噪效果，并且还具有良好的散热性能，能够有效避免因过热而导致二极管单向导电性被永久性破坏。附图说明图1为一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列的结构示意图。图2为一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列中雪崩二极管的侧面剖视图。图3为一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列中雪崩二极管阵列的结构示意图。图中：1、外壳；2、第一电极；3、凹槽；4、多孔降噪板；5、第二电极；6、P型半导体；7、PN结；8、N型半导体；9、密封圈；10、壳体。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。请参阅图1-2，一种雪崩二极管，包括外壳1、第一电极2和第二电极5，所述第一电极2和第二电极5穿过外壳1两端固定安装在二极管内部的管芯上，所述外壳1上正反面设置有凹槽3，所述凹槽3内设置有多孔降噪板4；所述外壳1内部和管芯之间设置有一定的空隙；所述空隙内填充有多孔降噪板4，由于管芯上直接包裹多孔降噪板4，便于利用孔降噪板直接吸收雪崩二极管产生的噪声，进一步加强雪崩二极管的降噪效果；所述管芯包括P型半导体6和N型半导体8；所述二极管内第一电极2连接在P型半导体6上，所述二极管内第二电极5连接在N型半导体8上，所述P型半导体6和N型半导体8之间设置有PN结7；所述第一电极2和第二电极5与外壳1之间设置有密封圈9，便于将第一电极2和第二电极5固定安装在外壳1内部，防止第一电极2和第二电极5松动；请参阅图3，一种含有上述雪崩二极管的雪崩二极管阵列，所述若干雪崩二极管按照一定的规则安装在壳体10内组合成雪崩二极管阵列，所述雪崩二极管阵列包括公共阳极，所述雪崩二极管耦合至所述公共阳极以及或门，所述阵列的每个雪崩二极管的输出端耦合至所述或门；所述壳体10内部与每个雪崩二极管之间具有一定的空隙，所述空隙内设置有多孔降噪板4，方便利用多孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种雪崩二极管，包括外壳(1)、第一电极(2)和第二电极(5)，所述第一电极(2)和第二电极(5)穿过外壳(1)两端固定安装在二极管内部的管芯上，其特征在于，所述外壳(1)上正反面设置有凹槽(3)，所述凹槽(3)内设置有多孔降噪板(4)。/n

【技术特征摘要】
1.一种雪崩二极管，包括外壳(1)、第一电极(2)和第二电极(5)，所述第一电极(2)和第二电极(5)穿过外壳(1)两端固定安装在二极管内部的管芯上，其特征在于，所述外壳(1)上正反面设置有凹槽(3)，所述凹槽(3)内设置有多孔降噪板(4)。


2.根据权利要求1所述的一种雪崩二极管，其特征在于，所述外壳(1)内部和管芯之间设置有一定的空隙，所述空隙内填充有多孔降噪板(4)。


3.根据权利要求2所述的一种雪崩二极管，其特征在于，所述管芯包括P型半导体(6)和N型半导体(8)。


4.根据权利要求3所述的一种雪崩二极管，其特征在于，所述二极管内第一电极(2)连接在P型半导体(6)上，所述二极管内第二电极(5)连接在N型半导体(8)上，所述P型半导体(6)和N型半导体(8)之间设置有PN结(7)。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄继彬，罗永志，钟青松，
申请(专利权)人：成都永铭科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51