半导体装置制造方法及图纸

特征在于，具有：第1电极；第2电极；树脂壳体，其包围该第1电极和该第2电极；以及树脂绝缘部，其在该树脂壳体的内侧覆盖该第1电极的一部分和该第2电极的一部分，该树脂绝缘部的材料与该树脂壳体相同。该树脂绝缘部与该树脂壳体的内壁接触或与该树脂壳体的内壁分离。通过在该树脂绝缘部形成有位于该第1电极和该第2电极之间的槽，从而对该第1电极和该第2电极之间提供了没有该树脂绝缘部的空间或与该树脂绝缘部不同的物质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及例如在电气化铁路用设备、电力用设备或汽车用设备的电动机控制中使用的半导体装置。
技术介绍
在专利文献1中公开了实现填充在封装件内的封装树脂的减量，并且在主端子的端部框架间确保充分的绝缘耐力的半导体装置。在专利文献1中公开了为了增大2个主端子的绝缘沿面距离而在树脂壳体的内壁面形成凹槽。专利文献1：日本特开平10-41460号公报
技术实现思路
为了避免装置的大型化并且将2个电极绝缘，有时在电极间设置绝缘耐量比空气高的材料。例如在电极间设置树脂壳体而实现电极间的绝缘的情况下，由于在树脂壳体存在气泡或金属异物，因此绝缘性能有可能会劣化。为了确保被树脂壳体覆盖的电极的绝缘而增大了电极间的距离。在该情况下，由于避免不了壳体的大型化，因此难以实现半导体装置的小型化。特别地，就设想到高耐压下的使用的高耐压半导体模块而言，如果不将电极间的距离增大，则无法确保电极间的绝缘。本专利技术就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供确保电极间的绝缘并且适于小型化的半导体装置。本专利技术涉及的半导体装置的特征在于，具有：第1电极；第2电极；树脂壳体，其包围该第1电极和该第2电极；以及树脂绝缘部，其在该树脂壳体的内侧覆盖该第1电极的一部分和该第2电极的一部分，该树脂绝缘部的材料与该树脂壳体相同，在该树脂绝缘部形成有位于该第1电极和该第2电极之间的槽。本专利技术的其他特征将在以下阐明。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供下述半导体装置，其通过在树脂壳体的内侧在覆盖电极的树脂绝缘部设置有槽，从而能够确保电极间的绝缘并且适于小型化。附图说明图1是实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。图2是图1的半导体装置的仰视图。图3是将图2的一部分放大后的斜视图。图4是被树脂绝缘部覆盖的电极的剖视图。图5是实施方式2涉及的半导体装置的局部剖视图。图6是实施方式3涉及的半导体装置的局部剖视图。图7是变形例涉及的半导体装置的局部剖视图。图8是实施方式4涉及的半导体装置的局部剖视图。图9是变形例涉及的半导体装置的局部剖视图。图10是实施方式5涉及的半导体装置的局部剖视图。图11是对比例涉及的半导体装置的剖视图。具体实施方式参照附图对实施方式涉及的半导体装置进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同标号，有时省略重复说明。实施方式1.图1是实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。该半导体装置具有树脂壳体10。树脂壳体10的材料例如为PPS(聚苯硫醚树脂)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)和PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)的混合物、PBT或尼龙等工程塑料。树脂壳体10的盖能够设为与树脂壳体10相同的材料。在树脂壳体10的内侧设置有树脂绝缘部11A、11B、11C、11D、11E、11F、11G。树脂绝缘部11A、11B、11C、11D、11E、11F、11G能够设为与树脂壳体10相同的材料。树脂绝缘部11A、11B、11C、11D、11E、11F、11G与树脂壳体10的内壁接触。也可以是树脂绝缘部11A、11B、11C、11D、11E、11F、11G中的至少1个与树脂壳体10的内壁分离。树脂绝缘部11A、11B、11C、11D、11E、11F、11G主要为了确保不同的多个电极间的绝缘而将电极的至少一部分覆盖。在树脂壳体10中，具有由树脂壳体10包围的第1电极12和第2电极14。第1电极12和第2电极14能够设为功能不同的各种电极。例如，第1电极12为集电极(collector)电极(electrode)，第2电极14为发射极电极。第1电极12具有宽幅部12a和宽度比宽幅部12a小的窄幅部12b。在图1及图2、3中，虚线表示被树脂绝缘部覆盖的电极。在图1中示出树脂绝缘部11A覆盖第1电极12的一部分和第2电极14的一部分。更具体地说，第1电极12的一部分全部被树脂绝缘部11A覆盖，第2电极14的一部分全部被树脂绝缘部11A覆盖。例如，能够将施加开关元件的栅极电压的控制电极和接地电极等与第1电极12和第2电极14不同的电极设置于树脂壳体10之中。上述各种电极的材料例如为SUS、Cu、Al等金属。例如，能够通过嵌入成型或外嵌成型将上述各种电极组装于树脂绝缘部。在嵌入成型或外嵌成型时，能够同时形成树脂壳体10和树脂绝缘部11A、11B、11C、11D、11E、11F、11G。图2是图1的半导体装置的仰视图。树脂绝缘部11A具有将第1电极12的一部分覆盖的第1部分11a、将第2电极14的一部分覆盖的第2部分11b、以及在第1部分11a和第2部分11b之间设置的槽11c。通过槽11c，在第1电极12和第2电极14之间提供空间。更详细地说，在第1电极12和第2电极14之间，不仅具有树脂绝缘部11A，还具有第1部分11a、第2部分11b和空间。树脂绝缘部11B具有将第1电极12的一部分覆盖的第1部分11d、将第2电极14的一部分覆盖的第2部分11e、以及在第1部分11d和第2部分11e之间设置的槽11f。通过槽11f，在第1电极12和第2电极14之间提供空间。更详细地说，在第1电极12和第2电极14之间，不仅具有树脂绝缘部11B，还具有第1部分11d、第2部分11e和空间。图3是将图2的一部分放大后的斜视图。第2电极14中的被第2部分11b覆盖的部分为L字型，沿该第2电极14的形状形成有槽11c。其结果，槽11c在俯视观察中为L字型的形状。在图3的左下部分示出第1电极12向上方向、下方向及左方向分支。这样的分支部分被树脂绝缘部11B的第1部分11d覆盖。图4是树脂绝缘部11A和被树脂绝缘部11A覆盖的电极的剖视图。槽11c的深度为L1。从槽11c的存在开口端的位置算起的第1电极12或第2电极14的埋入深度为L2。深度L1大于或等于深度L2。在图4中示出深度L1和深度L2的差值ΔL。这样，设置充分深的槽11c有助于确保被树脂绝缘部11A覆盖的第1电极12和第2电极14的绝缘。图11是对比例涉及的半导体装置的剖视图。在图11中示出在第1电极12和第2电极14之间仅具有树脂100。在该情况下，如果在树脂100存在气泡50a或金属异物50b，则电极间的绝缘耐量降低，无法确保电极间的绝缘。相对于此，根据实施方式1涉及的半导体装置，通过在树脂绝缘部11A形成位于第1电极12和第2电极14之间的槽11c，从而通过空间而隔开了将第1电极12的一部分覆盖的第1部分11a和将第2电极14的一部分覆盖的第2部分11b。因此，即使在第1部分11a或第2部分11b存在气泡或金属异物，也能够维持第1电极12和第2电极的绝缘。通过提供槽11c，从而无需为了提高绝缘耐量而增大第1电极12和第2电极的距离。因此，能够确保电极间的绝缘并且缩短电极间的距离。这样的特征例如有助于高耐压半导体模块产品的小型化。具有槽11f的树脂绝缘部11B也起到同样的效果。应该在哪个树脂绝缘部形成槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：/n第1电极；/n第2电极；/n树脂壳体，其包围所述第1电极和所述第2电极；以及/n树脂绝缘部，其在所述树脂壳体的内侧覆盖所述第1电极的一部分和所述第2电极的一部分，该树脂绝缘部的材料与所述树脂壳体相同，/n在所述树脂绝缘部形成有位于所述第1电极和所述第2电极之间的槽。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第1电极；
第2电极；
树脂壳体，其包围所述第1电极和所述第2电极；以及
树脂绝缘部，其在所述树脂壳体的内侧覆盖所述第1电极的一部分和所述第2电极的一部分，该树脂绝缘部的材料与所述树脂壳体相同，
在所述树脂绝缘部形成有位于所述第1电极和所述第2电极之间的槽。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述树脂绝缘部与所述树脂壳体的内壁接触。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述槽设置于所述第1电极和所述第2电极最接近的部分。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述槽的深度大于或等于从所述槽的存在开口端的位置算起的所述第1电极或所述第2电极的埋入深度。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1电极为集电极电极，所述第2电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：大宅大介，林田幸昌，本宫哲男，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP