一种基于Fan-out封装工艺的毫米波宽带封装天线制造技术

本发明专利技术提供一种基于Fan‑out封装工艺的毫米波宽带封装天线，包括封装组件、与封装组件通过球栅阵列连接的微波介质板、位于封装组件内的芯片组件和重布线层以及位于重布线层内的天线组件，所述芯片组件包括硅基芯片，所述天线组件包括圆形贴片天线和馈电结构，所述圆形贴片天线上刻有单边圆弧矩形缺口和扇形缺口，所述单边圆弧矩形缺口的中心线与扇形缺口的中心线在一条直线上，所述馈电结构的一端插入单边圆弧矩形缺口，另一端连接硅基芯片的端口。本发明专利技术通过对圆形贴片天线的改进，实现了宽带特性，解决了毫米波封装天线窄带特性的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于Fan-out封装工艺的毫米波宽带封装天线
本专利技术涉及毫米波封装天线
，具体是一种基于Fan-out封装工艺的毫米波宽带封装天线。
技术介绍
随着晶圆级封装(WaferLevelPackaging，WLP)技术的发展，利用WLP技术可以有效实现异构设备的嵌入，包括基带处理器、射频收发器和电源管理IC等。按照结构和制作工艺的不同，WLP技术大致可以分为两类：扇入型WLP(Fan-inWLP)和扇出型WLP(Fan-outWLP)。Fan-inWLP的特征是引脚局限在芯片的尺寸轮廓内，由于芯片面积较小，而为了保证倒装后凸点的可靠性以及方便PCB的布线设计，凸点的尺寸必须满足一定要求，因此，在Fan-inWLP技术中，芯片上可制作的凸点数目受到很大限制，这也使得Fan-inWLP技术仅适用于I/O数目较少的芯片。后来为了适应更多I/O数目的芯片结构以及提高封装的可靠性，在Fan-inWLP的基础上衍生发展了Fan-outWLP技术，该技术实际是对芯片封装尺寸的一种折中。嵌入式晶圆级球栅阵列(EmbeddedWaferLeve本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于Fan-out封装工艺的毫米波宽带封装天线，包括封装组件、与所述封装组件通过球栅阵列连接的微波介质板、位于所述封装组件内的芯片组件和重布线层以及位于所述重布线层内的天线组件，所述芯片组件包括硅基芯片，其特征在于：所述天线组件包括圆形贴片天线和馈电结构，所述圆形贴片天线上刻有单边圆弧矩形缺口和扇形缺口，所述单边圆弧矩形缺口的中心线与所述扇形缺口的中心线在一条直线上，所述馈电结构的一端插入所述单边圆弧矩形缺口，另一端连接所述硅基芯片的端口。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于Fan-out封装工艺的毫米波宽带封装天线，包括封装组件、与所述封装组件通过球栅阵列连接的微波介质板、位于所述封装组件内的芯片组件和重布线层以及位于所述重布线层内的天线组件，所述芯片组件包括硅基芯片，其特征在于：所述天线组件包括圆形贴片天线和馈电结构，所述圆形贴片天线上刻有单边圆弧矩形缺口和扇形缺口，所述单边圆弧矩形缺口的中心线与所述扇形缺口的中心线在一条直线上，所述馈电结构的一端插入所述单边圆弧矩形缺口，另一端连接所述硅基芯片的端口。


2.根据权利要求1所述的基于Fan-out封装工艺的毫米波宽带封装天线，其特征在于：所述天线组件还包括一对耦合凹臂，所述一对耦合凹臂以所述扇形缺口的中心线所在直线为对称轴环绕分布在圆形贴片天线的外侧。


3.根据权利要求2所述的基于Fan-out封装工艺的毫米波宽带封装天线，其特征在于：所述耦合凹臂含有平底部和围绕所述平底部设置的两个侧壁部，其中一个侧壁部上增设有矩形枝节部。


4.根据权利要求1所述的基于Fan-out封装工艺的毫米波宽带封装天线，其特征在于：所述馈电结构采用四分之一波长渐变传输线阻抗匹配变换器。


5.根据权利要求1所述的基于Fan-out封装工艺的毫米波宽带封装天线，其特征在于：所述重布线层内布置有矩形环，所述天线组件设置在所述矩形环内侧，所述硅基芯片的端口为共面波导端口，其两端地均与所述矩形环连接。


6.根据权利要求1所述的基于Fan-out封装工艺的毫米波宽带封装天线，其特征在于：所述封装组件由背面保护层、玻璃塑封材料层和钝化层依次叠加设置而成，所述芯片组件和重布线层均位于玻璃塑封材料层内，所述钝化层通过球栅阵列与微波介质板连接；所述背面保护层选用介电常数为3.5、损耗角正切值为0.0067的背面保护层，所述玻璃塑封材料层选用介电常数为5、损耗角正切值为0.011的玻璃塑封材料层，所述钝化层选用介电常数为2.8、损耗角正切值为0.02的钝化层。


7.根据权利要求1所述的基于Fan-out封装工艺的毫米波宽带封...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱浩然，鲁斌，孙玉发，吴先良，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34