一种NAND FLASH存储器并行测试及坏块回写方法技术

本发明专利技术公开了一种NAND FLASH存储器并行测试及坏块回写方法，该方法包括：读取多个存储器ID并将存储器ID与预设ID进行比较，判断每个存储器是否初步合格；判断初步合格的存储器中每一个LUN的第0块是否为非坏块；分别确定每一个存储器中每一个LUN的初始坏块数量；判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片；识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写；基于每一个LUN的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断对应存储器是否合格。本发明专利技术的方法能够实现多个NAND FLASH存储器的并行测试，能够有效识别出坏块并进行回写，提升了测试效率，同时对预设的原有标志位进行了保护。

【技术实现步骤摘要】
一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法
本专利技术涉及电子元器件检测
，尤其涉及一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法。
技术介绍
NANDFLASH属于非易失性存储器，具有掉电后数据不丢失的特点。和传统的NORFLASH相比，NANDFLASH具有容量大、性价比高、擦写次数多、存储寿命长等优点，但是NANDFLASH的缺点在于其存储阵列内部具有坏块，并且随着使用频率的增加坏块数量会随之增加。普通存储器如SRAM、EPROM、NORFLASH的测试逻辑为：将其所有存储阵列按照一定的规则写入数据，等待写入完成之后读出，对比读出的数据与写入的数据是否一致，出现不一致则判定存储器不合格。测试过程不需要进行跳转和多次判断，直接比对数据即可得出测试结论。NANDFLASH实际测试时，整个测试过程中需进行多次判断被测块的质量，每次需根据判断的结果来决定下一步的测试内容；并且，由于存储器的差异，坏块出现的地址不同，决定了测试图形向量的长度和内容并不完全相同，即同一型号不同存储器的测试图形未必相同。因此不能使用统一的随机图形向量法对NANDFLASH进行测试，现有的测试技术只能单独对一个NANDFLASH进行测试，无法对多个NANDFLASH进行并行测试。但NANDFALSH容量一般为若干个GB，写入数据操作和擦除操作都需要等待一定的时间，随着容量的不断增加，单独对1个NANDFALSH进行测试的测试成本太高，同时会造成资源的极大浪费。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提出一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法，解决现有技术中无法对多个NANDFLASH存储器进行并行测试的问题。本专利技术采用如下技术方案：一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法，该方法包括：读取多个存储器ID并将存储器ID与预设ID进行比较，根据比较结果判断每个存储器是否初步合格；在存储器为初步合格的情况下，判断初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块是否为非坏块；针对每一个逻辑单元的第0块为非坏块的存储器，分别确定每一个存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量；判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片；在每一个第0块为非坏块的存储器为空片的情况下，识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写；基于为空片的存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断对应存储器是否合格。优选的，根据比较结果判断每个存储器是否初步合格包括：若存储器ID与预设ID匹配，则ID匹配的存储器判定为初步合格；若存储器ID与预设ID不匹配，则ID不匹配的存储器判定为初步不合格。优选的，该方法还包括：读取匹配失效管脚的数据；将匹配失效管脚的数据与预设ID的数据不一致的存储器定位为初步不合格的存储器。优选的，判断初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块是否为非坏块包括：读取初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块的数据；基于读取的数据验证第0块是否为空；对第0块为空的每一个存储器中每一个逻辑单元的第0块写入数据；读取所述写入数据，并判断写入的数据与读取的数据是否一致，若一致确定第0块为非坏块，否则确定第0块为坏块。优选的，分别确定每一个存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量包括：读取每一个存储器中每一个逻辑单元中的预先标注的坏块字节；对读取到坏块字节的次数进行累加得到每一个存储器中每一个逻辑单元的坏块数量。优选的，判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片包括：对每一个第0块为非坏块的存储器的所有逻辑单元进行所有块的全片读取，全片读取为对块从第0块遍历到第Z块；判断当前遍历的块是否为初始坏块；在当前遍历的块不是初始坏块的情况下，进行数据读取；在当前遍历的块是初始坏块的情况下，不进行数据读取，等待其他存储器完成当前遍历的块的数据读取后，同步进行下一个块的数据读取；若读取到存储器中所有逻辑单元的所有块的数据均为空，则所有块的数据均为空的存储器为空片；若读取到存储器中任意一个逻辑单元的任意一个块的数据为非空，则任意一个块的数据为非空的存储器为非空片。优选的，识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写包括：判断每一个存储器的每一个逻辑单元的每一块是否为初始坏块；在当前块是初始坏块的情况下，不进行识别操作，等待其他存储器完成当前块的识别操作后，同步进行下一个块的识别操作；对识别出的新产生的坏块的次数进行累加得到为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量；对识别出的新产生的坏块按照预定规则进行回写；其中，识别操作包括：在当前块不是初始坏块的情况下，进行数据写入和读取；判断所述写入数据与所述读取数据是否一致，若一致，则当前块为非坏块，否则当前块为新产生的坏块；对新产生的坏块进行数据擦除。优选的，写入数据的格式包括全0、棋盘格和反棋盘格，上一种格式的数据写入读取和擦除之后再进行下一种格式的数据的写入读取和擦除。优选的，该方法还包括：在所述上一种格式的数据写入读取和擦除之后，判断当前块内的数据是否为空，在当前块内的数据为空的情况下，进行下一种格式的数据的写入读取和擦除。优选的，基于为空片的存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断存储器是否合格包括：若为空片的存储器中每一个逻辑单元的初始坏块的数量与新产生的坏块的数量之和均不超过预定数量，则判定存储器合格；若为空片的存储器中任意一个逻辑单元的初始坏块的数量与新产生的坏块的数量之和超过预定数量，则判定存储器不合格。本专利技术提供的NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法，该方法先读取多个存储器ID判断每个存储器是否初步合格，在存储器为初步合格的情况下，判断初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块是否为非坏块，在存储器第0块为非坏块的情况下，分别确定每一个存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量，在每一个第0块为非坏块的存储器为空片的情况下，识别出测试过程中新产生的坏块，按照预定规则对新产生的坏块进行回写，最后基于为空片的存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断存储器是否合格。本专利技术的NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法能够实现多个NANDFLASH存储器的并行测试，能够有效识别出测试过程中新产生的坏块并进行回写，提升了测试效率，同时对预设的原有标志位进行了保护。附图说明所包括的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本专利技术的实施例，并与文字描述一起来阐释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法的流程示意图。图2是本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND FLASH存储器并行测试及坏块回写方法，其特征在于，所述方法包括：/n读取多个存储器ID并将存储器ID与预设ID进行比较，根据比较结果判断每个存储器是否初步合格；/n在存储器为初步合格的情况下，判断初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块是否为非坏块；/n针对每一个逻辑单元的第0块为非坏块的存储器，分别确定每一个存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量；/n判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片；/n在每一个第0块为非坏块的存储器为空片的情况下，识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写；/n基于为空片的存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断对应存储器是否合格。/n

【技术特征摘要】
1.一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法，其特征在于，所述方法包括：
读取多个存储器ID并将存储器ID与预设ID进行比较，根据比较结果判断每个存储器是否初步合格；
在存储器为初步合格的情况下，判断初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块是否为非坏块；
针对每一个逻辑单元的第0块为非坏块的存储器，分别确定每一个存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量；
判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片；
在每一个第0块为非坏块的存储器为空片的情况下，识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写；
基于为空片的存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断对应存储器是否合格。


2.根据权利要求1所述的一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法，其特征在于：根据比较结果判断每个存储器是否初步合格包括：
若存储器ID与预设ID匹配，则ID匹配的存储器判定为初步合格；
若存储器ID与预设ID不匹配，则ID不匹配的存储器判定为初步不合格。


3.根据权利要求2所述的一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法，其特征在于：该方法还包括：
读取匹配失效管脚的数据；
将匹配失效管脚的数据与预设ID的数据不一致的存储器定位为初步不合格的存储器。


4.根据权利要求1所述的一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法，其特征在于：所述判断初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块是否为非坏块包括：
读取初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块的数据；
基于读取的数据验证第0块是否为空；
对第0块为空的每一个存储器中每一个逻辑单元的第0块写入数据；
读取所述写入数据，并判断写入的数据与读取的数据是否一致，若一致确定第0块为非坏块，否则确定第0块为坏块。


5.根据权利要求1所述的一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法，其特征在于：所述分别确定每一个存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量包括：
读取每一个存储器中每一个逻辑单元中的预先标注的坏块字节；
对读取到坏块字节的次数进行累加得到每一个存储器中每一个逻辑单元的坏块数量。


6.根据权利要求1所述的一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法，其特征在于：所述判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片包括：
对每一个第0块为非坏块的存储器的所有逻...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨超，马成英，张金凤，
申请(专利权)人：北京振兴计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11