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本发明公开了一种NAND FLASH存储器并行测试及坏块回写方法，该方法包括：读取多个存储器ID并将存储器ID与预设ID进行比较，判断每个存储器是否初步合格；判断初步合格的存储器中每一个LUN的第0块是否为非坏块；分别确定每一个存储器中每一...
该专利属于北京振兴计量测试研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京振兴计量测试研究所授权不得商用。

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