【技术实现步骤摘要】
一种高热可靠性LED封装支架及其制作方法
本专利技术涉及LED封装
,更具体而言,涉及一种高热可靠性LED封装支架及其制作方法。
技术介绍
UVLED电光转换效率低,大部分能量转化为热量发出。UVLED结温要求较高,热衰较快,因而目前行业内多采用导热率较高的覆铜氮化铝陶瓷支架(铜的导热系数为377W/m·K,氮化铝陶瓷单晶理论导热系数为170W/m·K以上)来提升器件散热性能。随着UVLED行业发展及其产品越来越高的要求,更高功率、更低热阻、更高可靠性的UVLED器件应用将会是未来趋势。目前UVLED器件散热依靠氮化铝和铜这两种材料,但是利用单一的材料导热性能始终有极限,对于集成度高、功率大的UVLED器件,即使是铜的导热系数仍然无法满足散热要求,导致器件热量升高,UVLED芯片结温上升而出现光衰。
技术实现思路
为了解决现有技术中通过使用具有高导热性能的材料来提升LED器件的散热性能的方法无法满足集成度高、功率大的UVLED器件的散热要求问题,本专利技术提供了一种高热可靠性LED封装支架及其制作方法,通过在基板和围坝上形成连通的收容腔,并在收容腔中形成金属毛细结构以及填充制冷液,利用制冷液的蒸发/冷凝过程将LED芯片工作时产生的热量传导至围坝,实现除了通过基板下表面散热外,还能通过围坝进行散热,使得器件整体散热面积显著增加,整体散热性能得到有效提升。本专利技术一方面提供了一种高热可靠性LED封装支架,包括基板和围坝,所述基板包括第一表面及相对设置的第二表面,所述第一表面上设有第一焊 ...
【技术保护点】
1.一种高热可靠性LED封装支架,其特征在于,包括基板和围坝,所述基板包括第一表面及相对设置的第二表面,所述第一表面上设有第一焊盘对,所述围坝设于所述第一表面且围设在所述第一焊盘对周围;/n所述基板的与所述围坝相对位置上设有自所述第一表面朝向所述第二表面方向凹陷形成的第一凹槽对,所述围坝的与所述基板相对位置上设有自所述围坝的靠近所述第一表面侧朝向远离所述第一表面方向凹陷形成的第二凹槽对,所述第一凹槽对与所述第二凹槽对相连通;/n所述第二表面的与所述第一焊盘对相对位置上设有第二焊盘对,所述基板的介于所述第一焊盘对和所述第二焊盘对之间位置上贯穿开设通孔对;所述基板上还形成有连通所述通孔对和所述第一凹槽对的连通槽对;/n所述通孔对、所述连通槽对、所述第一凹槽对和所述第二凹槽对共同形成收容腔,所述收容腔中形成有金属毛细结构,所述第一焊盘对和所述第二焊盘对通过所述金属毛细结构实现电连通;所述收容腔内形成预设真空度,所述金属毛细结构中填充有制冷液。/n
【技术特征摘要】
1.一种高热可靠性LED封装支架,其特征在于,包括基板和围坝,所述基板包括第一表面及相对设置的第二表面,所述第一表面上设有第一焊盘对,所述围坝设于所述第一表面且围设在所述第一焊盘对周围;
所述基板的与所述围坝相对位置上设有自所述第一表面朝向所述第二表面方向凹陷形成的第一凹槽对,所述围坝的与所述基板相对位置上设有自所述围坝的靠近所述第一表面侧朝向远离所述第一表面方向凹陷形成的第二凹槽对,所述第一凹槽对与所述第二凹槽对相连通;
所述第二表面的与所述第一焊盘对相对位置上设有第二焊盘对,所述基板的介于所述第一焊盘对和所述第二焊盘对之间位置上贯穿开设通孔对;所述基板上还形成有连通所述通孔对和所述第一凹槽对的连通槽对;
所述通孔对、所述连通槽对、所述第一凹槽对和所述第二凹槽对共同形成收容腔,所述收容腔中形成有金属毛细结构,所述第一焊盘对和所述第二焊盘对通过所述金属毛细结构实现电连通;所述收容腔内形成预设真空度,所述金属毛细结构中填充有制冷液。
2.如权利要求1所述的高热可靠性LED封装支架,其特征在于,所述金属毛细结构是通过将金属浆料均匀灌入所述收容腔再加热后形成;所述金属浆料中金属固形物的质量占比为83~90%。
3.如权利要求2所述的高热可靠性LED封装支架,其特征在于,所述金属浆料中金属固形物包括第一金属粉末和第二金属粉末,所述第一金属粉末呈球状,所述第二金属粉末呈球状或者正四面体状,所述第一金属粉末的颗粒平均粒径与所述第二金属粉末的颗粒平均粒径或颗粒平均边长比例为2.5:1~4:1。
4.如权利要求1所述的高热可靠性LED封装支架,其特征在于,所述收容腔内的预设真空度为所述制冷液的临界真空度。
5.如权利要求1所述的高热可靠性LED封装支架,其特征在于,所述第一凹槽对贯穿所述基板,所述连通槽对自所述第二表面朝向所述第一表面方向凹陷形成。
6.一种如权利要求1所述的高热可靠性LED封装支架的制作方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:葛鹏,孙雷蒙,杨丹,
申请(专利权)人:华引芯武汉科技有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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