光电元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种光电元件，该光电元件包含：半导体叠层包含第一半导体层，活性层形成于第一半导体层之上以及第二半导体层形成于活性层之上；多个边界裸露出部分第一半导体层，多个边界的相邻两边界构成第一半导体层的角落；绝缘层包含第一开口形成于第二半导体层之上及多个第二开口形成于多个边界的一边界裸露的第一半导体层上；第三电极，延伸覆盖于该多个第二开口上，通过多个第二开口以电连接第一半导体层；以及第四电极形成于该第二半导体层上，通过第一开口以电连接第二半导体层。

【技术实现步骤摘要】
光电元件及其制造方法本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201410327049.8，申请日：2014年07月10日，专利技术名称：光电元件及其制造方法)的分案申请。
本专利技术涉及一种光电元件，尤其是涉及一种光电元件的电极设计。
技术介绍
发光二极管(light-emittingdiode,LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式将能量释放，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代的照明工具，已逐渐取代传统光源，并且应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。图1为现有的发光元件结构示意图，如图1所示，现有的发光元件100，包含有一透明基板10、一位于透明基板10上的半导体叠层12，以及至少一电极14位于上述半导体叠层12上，其中上述的半导体叠层12由上而下至少包含一第一导电型半导体层120、一活性层122，以及一第二导电型半导体层124。此外，上述的发光元件100还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emittingapparatus)。图2为现有的发光装置结构示意图，如图2所示，一发光装置200包含一具有至少一电路202的次载体(sub-mount)20；至少一焊料(solder)22位于上述次载体20上，通过此焊料22将上述发光元件100黏结固定于次载体20上并使发光元件100的基板10与次载体20上的电路202形成电连接；以及，一电连接结构24，以电连接发光元件100的电极14与次载体20上的电路202；其中，上述的次载体20可以是导线架(leadframe)或大尺寸镶嵌基底(mountingsubstrate)，以方便发光装置200的电路规划并提高其散热效果。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种光电元件，包含：一第一半导体层，具有至少四个边界、一第一表面、一与第一表面相对的第二表面，其中任意两相邻些边界可构成一角落；一第二半导体层形成于第一半导体层的第一表面之上；一第二电性电极形成于第二半导体层之上；以及至少两个第一电性电极形成于第一半导体层的第一表面之上，其中该些第一电性电极彼此分离并形成一设计型态。附图说明图1为一结构图，显示一现有阵列光电元件侧视结构图；图2为一示意图，显示一现有发光装置结构示意图；图3A为一结构图，显示依据本专利技术一实施例的光电元件单元上视结构图；图3B为一结构图，显示依据本专利技术一实施例的光电元件单元侧视结构图；图3C为一结构图，显示依据本专利技术另一实施例的光电元件单元上视结构图；图4A-图4D为一结构图，显示依据本专利技术另一实施例的光电元件单元上视结构图；图5A-图5C为一发光模块示意图；图6A-图6B为一光源产生装置示意图；及图7为一灯泡示意图。符号说明发光元件100、200、300、400、500、600、700、700’透明基板10半导体叠层12电极14、E1、E2基板30外延叠层31第一半导体层311活性层312第二半导体层313沟槽S第一绝缘层341第二绝缘层342第一开口3421第二开口3422第三开口3423第四开口3424第五开口3425第一第一电性电极321第二第一电性电极322第三第一电性电极323第四第一电性电极324第二电性电极33第三电极35第一长边B1第二长边B3第一短边B2第二短边B4长形延伸部351凹口R第四电极36发光模块800下载体501载体502上载体503透镜504、506、508、510电源供应终端512、514通孔515反射层519胶材521外壳540光源产生装置900灯泡1000外壳721透镜722照明模块724支架725散热器726串接部727电串接器728方向ABC距离D1高度H1、H2具体实施方式本专利技术公开一种发光元件及其制造方法，为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，请参照下列描述并配合图3A至图7的图示。图3A与图3B所示为本专利技术第一实施例的光电元件300的上视图与侧视图。图3B显示图3A中A-B-C方向的侧视结构图。光电元件300具有一个基板30。基板30并不限定为单一材料，也可以是由多种不同材料组合而成的复合式基板。例如：基板30可以包含两个相互接合的第一基板(图未示)与第二基板(图未示)。在基板30上以传统的外延成长制作工艺，形成一外延叠层31，包含第一半导体层311，具有一第一表面3111及一与第一表面相对的第二表面3112，一活性层312形成于第一半导体层311的第一表面3111之上，以及一第二半导体层313，形成于活性层312之上。接着，通过黄光光刻制作工艺技术选择性移除部分外延叠层以在光电元件300的边界裸露出部分第一半导体层311，并形成一沟槽S于光电元件300之中。在一实施例中，此沟槽S裸露出部分第一半导体层311且被第二半导体层313所围绕。在一实施例中，沟槽S于上视图中为一长条形。接着，在光电元件300外延叠层31的表面及上述沟槽S侧壁上以化学气相沉积方式(CVD)或物理气相沉积方式(PVD)等技术沉积形成第一绝缘层341。接着，形成至少一第一第一电性电极321于上述光电元件300的边界旁所裸露出的第一半导体层311之上。在一实施例中，第一第一电性电极321未被第二半导体层313围绕，以及一第二第一电性电极322形成于上述沟槽S之中。在此实施例中，分离的第一第一电性电极321及第二第一电性电极322形成一种第一电性电极的电极设计型态。在本专利技术的实施例中，电极设计型态可包括电极数量、电极形状及电极位置的选择，以增进光电元件靠近边界区域的电流散布。例如，第一电性电极的电极设计型态可以包含一或多个第一第一电性电极321以及一或多个第二第一电性电极322，且第二第一电性电极322自上视观之是被第二半导体层313围绕，且为一延伸状。在一实施例中，光电元件300的第一半导体层311具有至少四个边界，相邻两边界可构成一角落，且无跨越边界的导电结构。在本实施例中，第一第一电性电极321形成于光电元件300的同一边界上的两个角落，彼此分离且未跨越光电元件300的边界。在一实施例中，第一第一电性电极321于第一半导体层上311的投影可具有一图形，此图形可为一多边形、一圆形、一椭圆形、一半圆形或具有一圆弧面。第二第一电性电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电组件，其特征在于，包含：/n半导体叠层，包含第一半导体层，活性层形成于该第一半导体层之上以及第二半导体层形成于该活性层之上；/n多个边界，裸露出部分该第一半导体层，该多个边界的相邻两边界构成该第一半导体层的一角落；/n绝缘层，包含第一开口形成于该第二半导体层之上及多个第二开口形成于该多个边界的一边界裸露的该第一半导体层上；/n第三电极，延伸覆盖于该多个第二开口上，通过该多个第二开口以电连接该第一半导体层；以及/n第四电极，形成于该第二半导体层上，通过该第一开口以电连接该第二半导体层。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电组件，其特征在于，包含：
半导体叠层，包含第一半导体层，活性层形成于该第一半导体层之上以及第二半导体层形成于该活性层之上；
多个边界，裸露出部分该第一半导体层，该多个边界的相邻两边界构成该第一半导体层的一角落；
绝缘层，包含第一开口形成于该第二半导体层之上及多个第二开口形成于该多个边界的一边界裸露的该第一半导体层上；
第三电极，延伸覆盖于该多个第二开口上，通过该多个第二开口以电连接该第一半导体层；以及
第四电极，形成于该第二半导体层上，通过该第一开口以电连接该第二半导体层。


2.一种光电组件，其特征在于，包含：
半导体叠层，包含第一半导体层，活性层形成于该第一半导体层之上以及第二半导体层形成于该活性层之上；
多个边界，裸露出部分该第一半导体层，该多个边界的相邻两边界构成该第一半导体层的角落；
第三电极，形成于该第二半导体层之上，电连接该第一半导体层；以及
多个第四电极，形成于该第二半导体层之上，电连接该第二半导体层，
其中该第三电极包含延伸部，该延伸部位于该多个第四电极之间。


3.如权利要求2所述的光电组件，还包含绝缘层形成于该第二半导体层之上，包含多个第一开口，其中该多个第四电极通过该多个第一开口以电连接该第二半导体层。


4.如权利要求1或3所述的光电组件，还包含沟槽形成于该第一半导体层上且被该第二半导体层所围绕；其中该绝缘层还包含第三开口与该沟槽部分重叠，其中该第三电极经由该第三开口与该第一半导体层电连接。


5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昭兴，王佳琨，廖健智，曾咨耀，柯淙凯，沈建赋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71