【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件和显示设备相关申请的交叉引用于2019年6月24日在韩国知识产权局提交的题为“SemiconductorLightEmittingDeviceandDisplayApparatus”的韩国专利申请No.10-2019-0075013整体以引用方式并入本文中。
实施例涉及一种半导体发光器件和显示设备。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)不仅用作照明装置的光源，而且用作各种电子产品的光源。详细地，LED广泛用作诸如TV、移动电话、PC、笔记本PC、PDA等的各种显示设备的光源。
技术实现思路
实施例涉及一种半导体发光器件，包括：具有棒形状的发光结构，该发光结构具有彼此相对的第一表面和第二表面以及连接在第一表面与第二表面之间的侧表面，并且该发光结构包括提供第一表面的第一导电类型半导体、有源层和第二导电类型半导体；第一电极层，其位于发光结构的第一表面的第一区域上并连接到第一导电类型半导体，该第一区域的水平高度相对于与其相邻的第二区域的水平高度竖直偏移；以及第二电极层...
【技术保护点】
1.一种半导体发光器件，包括：/n具有棒形状的发光结构，所述发光结构具有彼此相对的第一表面和第二表面以及连接在所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面，并且所述发光结构包括有源层、第二导电类型半导体和提供所述第一表面的第一导电类型半导体；/n第一电极层，其位于所述发光结构的第一表面的第一区域上并连接到所述第一导电类型半导体，所述第一区域的水平高度相对于与所述第一区域相邻的第二区域的水平高度竖直偏移；以及/n第二电极层，其连接到所述第二导电类型半导体。/n
【技术特征摘要】
20190624 KR 10-2019-00750131.一种半导体发光器件，包括：
具有棒形状的发光结构，所述发光结构具有彼此相对的第一表面和第二表面以及连接在所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面，并且所述发光结构包括有源层、第二导电类型半导体和提供所述第一表面的第一导电类型半导体；
第一电极层，其位于所述发光结构的第一表面的第一区域上并连接到所述第一导电类型半导体，所述第一区域的水平高度相对于与所述第一区域相邻的第二区域的水平高度竖直偏移；以及
第二电极层，其连接到所述第二导电类型半导体。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述发光结构的第一表面是第二区域从其突出的非平坦表面，并且所述发光结构的第二表面是平坦表面。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一表面的第二区域突出超过所述第一电极层。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一表面的第二区域是所述第一导电类型半导体的解理面。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一区域围绕所述第二区域。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极层包括连接到所述第一导电类型半导体的欧姆接触层。
7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极层还包括设置在所述欧姆接触层上的金属氮化物层。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第二电极层包括透明电极材料。
9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一导电类型半导体和所述第二导电类型半导体和所述有源层是氮化物半导体。
10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一导电类型半导体和所述第二导电类型半导体分别提供所述第一表面和所述第二表面，并且所述有源层设置在所述第一导电类型半导体和所述第二导电类型半导体之间。
11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一导电类型半导体具有棒形状，并且
所述有源层和所述第二导电类型半导体顺序地堆叠在所述第一导电类型半导体的侧表面的与所述第二表面相邻的部分上。
12.一种半导体发光器件，包括：
具有棒形状的发光结构，所述发光结构具有彼此相对的第一表面和第二表面以及连接在所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面，并且所述发光结构包括分别提供所述第一表面和所述第二表面的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层以及设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间的有源层；
第一电极层，其连接到所述第一导电类型半导体层并设置在所述发光结构的第一表面的第一区域上，所述第一区域的水平高度相对于与所述第一区域相邻的第二区域的水平高度竖直偏移；以及
第二电极层，其位于所述发光结构的第二表面上并连接到所...
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