【技术实现步骤摘要】
一种具有双层屏蔽罩的阴极弧头
本专利技术涉及离子束产生装置领域,具体涉及一种具有双层屏蔽罩的阴极弧头。
技术介绍
金属离子注入可以综合改善材料表面的摩擦、磨损、腐蚀和抗高温氧化等性能,比氮离子注入的表面改性效果更显著,其应用范围也更广泛。金属阴极真空弧等离子体源具有金属等离子体离化率高、金属离子产出量大、离子纯度高、能产生几乎所有金属的等离子体、结构简单等特点。但阴极弧产生的大颗粒对该源的应用不利。随着阴极弧等离子体工业应用的日益广泛,特别是阴极弧等离子体制备纳米叠层膜和超硬膜等新一代表面技术的出现,消除大颗粒和提高阴极弧等离子体传输效率研究工作也成为研究重点。现有专利申请文件中,申请号为201910174802.7的中国专利技术专利申请公开了一种沉积装置,具体公开了一种由阴极靶材、触发系统、陶瓷屏蔽系统、辅助阳极板,凹形冷却装置组成的阴极弧头。现有技术中的阴极弧头采用单层的屏蔽罩,对弧斑运动的约束作用有限,不能很好的保证弧源的长期稳定烧蚀,容易在阴极靶材表面形成深坑引发断弧,导致阴极靶材利用率不高,且更换阴极靶影响使用效率。因此,在不影响沉积功效的功能前提下,必须阴极结构进行重新设计,提高阴极利用率。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术的目的在于提供一种具有双层屏蔽罩的阴极弧头,本专利技术从控制弧源附近的磁场分布,试图从起源上消除大颗粒,继而提高沉积薄膜的质量,其包括固定法兰盘、阴极靶材、触发电极、屏蔽系统、辅助阳极板,该屏蔽系统包括双层屏蔽罩,提高了 ...
【技术保护点】
1.一种具有双层屏蔽罩的阴极弧头,包括固定法兰盘(1)、阴极靶材(2)、触发电极(3)、屏蔽系统(4),所述阴极靶材(2)固定于所述固定法兰盘(1)上,其特征在于,所述屏蔽系统(4)包括第一屏蔽罩(401)以及第二屏蔽罩(402),所述第一屏蔽罩(401)与所述第二屏蔽罩(402)均与所述阴极靶材(2)同轴设置,且所述第一屏蔽罩(401)与所述第二屏蔽罩(402)均套于所述阴极靶材(2)外并与所述阴极靶材(2)之间保持1mm-10mm的间距,第一屏蔽罩(401)、第二屏蔽罩(402)均与所述固定法兰盘(1)绝缘,所述第一屏蔽罩(401)背离所述固定法兰盘(1)的表面靠所述阴极靶材(2)背离所述固定法兰盘(1)的表面设置,以所述阴极靶材(2)背离所述固定法兰盘(1)的表面为基准表面,所述第一屏蔽罩(401)背离所述固定法兰盘(1)的表面与所述基准表面保持-20mm~+20mm的高度差,所述第二屏蔽罩(402)固定于所述固定法兰盘(1)上,所述第一屏蔽罩(401)活动设置于所述第二屏蔽罩(402)上,且所述第一屏蔽罩(401)沿其轴线方向相对于所述第二屏蔽罩可调,所述第二屏蔽罩(402)位 ...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种具有双层屏蔽罩的阴极弧头,包括固定法兰盘(1)、阴极靶材(2)、触发电极(3)、屏蔽系统(4),所述阴极靶材(2)固定于所述固定法兰盘(1)上,其特征在于,所述屏蔽系统(4)包括第一屏蔽罩(401)以及第二屏蔽罩(402),所述第一屏蔽罩(401)与所述第二屏蔽罩(402)均与所述阴极靶材(2)同轴设置,且所述第一屏蔽罩(401)与所述第二屏蔽罩(402)均套于所述阴极靶材(2)外并与所述阴极靶材(2)之间保持1mm-10mm的间距,第一屏蔽罩(401)、第二屏蔽罩(402)均与所述固定法兰盘(1)绝缘,所述第一屏蔽罩(401)背离所述固定法兰盘(1)的表面靠所述阴极靶材(2)背离所述固定法兰盘(1)的表面设置,以所述阴极靶材(2)背离所述固定法兰盘(1)的表面为基准表面,所述第一屏蔽罩(401)背离所述固定法兰盘(1)的表面与所述基准表面保持-20mm~+20mm的高度差,所述第二屏蔽罩(402)固定于所述固定法兰盘(1)上,所述第一屏蔽罩(401)活动设置于所述第二屏蔽罩(402)上,且所述第一屏蔽罩(401)沿其轴线方向相对于所述第二屏蔽罩可调,所述第二屏蔽罩(402)位于所述第一屏蔽罩(401)与所述法兰盘之间,所述第一屏蔽罩(401)由导磁材料制成,所述第二屏蔽罩(402)由非导磁材料制成。
2.根据权利要求1所述的具有双层屏蔽罩的阴极弧头,其特征在于,所述第一屏蔽罩(401)可转动地设置于所述第二屏蔽罩(402)上。
3.根据权利要求2所述的具有双层屏蔽罩的阴极弧头,其特征在于,所述第二屏蔽罩(402)固定于所述固定法兰盘(1)上,所述第二屏蔽罩(402)背离所述固定法兰盘(1)的一侧开设有内螺纹槽(4021),所述第一屏蔽罩(401)包括屏蔽环部(4011)以及与屏蔽环部(4011)连接的套轴部(4012),所述屏蔽环部(4011)背离所述固定法兰盘(1)设置,所述套轴部(4012)上设置有外螺纹(40121),所述外螺纹(40121)与所述内螺纹槽(4021)连接。
4.根据权利要求2或3所述的具有双层屏蔽罩的阴极弧头,其特征在于,所述第二屏蔽罩(402)上设置有驱动所述第一屏蔽罩(401)相对于所述第二屏蔽罩(402)转动的转动驱动组件(5)。
技术研发人员:廖斌,庞盼,王国梁,罗军,陈琳,
申请(专利权)人:廖斌,广东省广新离子束科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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