用于离子植入系统的四氟化锗与氢气的混合物技术方案

本公开涉及经配置以将四氟化锗(GeF

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于离子植入系统的四氟化锗与氢气的混合物相关申请的交叉引用本申请要求2018年5月17日提交的美国临时申请第62/672,879号的权益，所述申请出于所有目的特此以全文引用的方式并入本文中。
本公开涉及用于离子植入系统的组件的经增强使用寿命和性能的四氟化锗和氢气混合物。
技术介绍
如半导体制造中所实践的离子植入涉及通过将化学物种的高能离子撞击在衬底上来将此类物种沉积到如微电子器件晶片的衬底中。为了产生离子植入物种，使可例如为掺杂物种的卤化物或氢化物的掺杂气体经受离子化。此离子化是使用离子源进行以产生离子束。一旦在离子源处产生，则通过提取、磁性过滤、加速/减速、分析器磁体处理、准直、扫描和磁力校正来处理离子束以产生撞击于衬底上的最终离子束。已开发各种类型的离子源，包括经间接加热的阴极离子源、Freeman、Bernas和各种其它离子源，但无论所采用的特定类型的离子源如何，离子源必须能够持续延长时段连续操作，而合乎需要地不出现将需要离子源的停机、维护或修复的系统问题或减损。因此，离子源使用寿命为关于系统的有效和有成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在离子植入腔室中提供包含四氟化锗(GeF

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180517 US 62/672,8791.一种用于在离子植入腔室中提供包含四氟化锗(GeF4)与氢(H2)气体的气体混合物的气体供应总成，其包含：
一或多个包含GeF4和H2的流体供应包装，其中所述总成经配置以在离子植入腔室中提供包含GeF4与H2的气体混合物，其中H2以所述气体混合物的25％到67％(体积)范围内的量存在，或GeF4和H2以3:1到33:67范围内的体积比(GeF4:H2)存在。


2.根据权利要求1所述的气体供应总成，其中H2以所述气体混合物的37％到67％范围内的量存在，或GeF4和H2以63:37到33:67范围内的体积比(GeF4:H2)存在。


3.根据权利要求1所述的气体供应总成，其中H2以所述气体混合物的42％到62％范围内的量存在，或GeF4和H2以29:21到19:31范围内的体积比(GeF4:H2)存在。


4.根据权利要求1所述的气体供应总成，其中H2以所述气体混合物的45％到59％范围内的量存在，或GeF4和H2以11:9到41:59范围内的体积比(GeF4:H2)存在。


5.根据权利要求1所述的气体供应总成，其中H2以所述气体混合物的47％到57％范围内的量存在，或GeF4和H2以53:47到43:57范围内的体积比(GeF4:H2)存在。


6.根据权利要求1所述的气体供应总成，其中H2以所...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·N·叶达弗，O·比尔，唐瀛，J·R·德普雷斯，J·D·斯威尼，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：美国;US