一种离子注入制作SERS基底的方法技术

本发明专利技术实施例提供的一种离子注入制作SERS基底的方法，包括：采用等离子体浸没离子注入的方式对单晶硅进行处理，使单晶硅的表面形成纳米柱阵列结构；在形成有纳米柱阵列的单晶硅表面蒸镀贵金属膜，使纳米柱阵列结构的侧壁上形成贵金属纳米点阵列，获得SERS基底；本发明专利技术制作的SERS基底，增强了基底的拉曼信号，解决了现有技术中基底纳米点阵列不够灵敏的缺点。

A method for fabrication of SERS substrate by ion implantation

【技术实现步骤摘要】
一种离子注入制作SERS基底的方法
本专利技术涉及表面增强拉曼基底制造
，具体而言，涉及一种离子注入制作SERS基底的方法。
技术介绍
表面增强拉曼散射(SurfaceEnhancementRamanScatting，SERS)是一种超灵敏的无损鉴别和分子识别技术。由于SERS技术具备快速、简单无损的定性定量分析，被广泛的应用于有机化学、材料科学、生物检测、食品安全、医疗等领域。目前，SERS效应的机制和应用已经成为当前国际研究的热门问题。无论是SERS的研究还是SERS的应用，都需要制作性能优良的SERS基底，因此SERS基底的制作成为了SERS的应用和研究的重点。目前，SERS基底多数为采用不同的方法如纳米球压印、金属溶胶法和AAO(阳极氧化铝)模板法等方法在基底表面制作出不同形状的纳米阵列结构，例如纳米线、纳米点、纳米柱、纳米锥等。虽然，现有的方法可以制作有序可靠的纳米点阵列，但是存在灵敏度不够的缺点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例的目的在于提供一种离子注入制作SERS基底的方法，增强了基底的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子注入制作SERS基底的方法，其特征在于，包括：/n采用等离子体浸没离子注入的方式对单晶硅进行处理，使单晶硅的表面形成纳米柱阵列结构；/n在形成有纳米柱阵列的单晶硅表面蒸镀贵金属膜，使纳米柱阵列结构的侧壁上形成贵金属纳米点阵列，获得SERS基底。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子注入制作SERS基底的方法，其特征在于，包括：
采用等离子体浸没离子注入的方式对单晶硅进行处理，使单晶硅的表面形成纳米柱阵列结构；
在形成有纳米柱阵列的单晶硅表面蒸镀贵金属膜，使纳米柱阵列结构的侧壁上形成贵金属纳米点阵列，获得SERS基底。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获得SERS基底，包括：
对蒸镀贵金属膜后的单晶硅进行He等离子体注入，获得SERS基底。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用等离子体浸没离子注入的方式对单晶硅进行处理，包括：
采用低能等离子体浸没离子注入的方式对单晶硅进行处理。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米柱阵列结构的高度为2-2.5um。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米柱阵列结构的宽度为3...

【专利技术属性】
技术研发人员：远雁，李超波，刘丽花，解婧，王欢，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11