一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池，用于对现有技术中太阳能电池的背钝化结构进行改进，涉及太阳能电池技术领域，该太阳能电池包括P型硅，所述P型硅正面向上依次设有磷掺杂层、正面钝化减反射层和Ag栅指电极，所述P型硅背面向下依次设有钝化层、背面钝化减反射层和Al栅指电极，所述P型硅背面还设有重掺杂区，所述重掺杂区包括硼重掺杂层和局部接触铝掺杂层，所述Al栅指电极通过重掺杂区与P型硅下表面连接；本实用新型专利技术通过在电池背面形成重掺杂区域，可有效减小金属接触区域的复合损失，减少接触电阻并增强钝化能力，并保持较高的短路电流，增加开路电压，提升填充因子，从而实现高转换效率，高稳定性的太阳能电池。池。池。

【技术实现步骤摘要】
一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池


[0001]本技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池。

技术介绍

[0002]目前太阳能电池主要以晶体硅作为基底材料，由于在硅片表面周期性破坏，会产生大量垂悬键(danglingbond)，使得晶体表面存在大量位于带隙中的缺陷能级；除此之外，位错、化学残留物、表面金属的沉积均会导入缺陷能级，使得硅片表面成为复合中心，造成较大的表面复合速率，进而限制了转换效率。
[0003]背钝化电池对比常规电池主要优势在于降低电池片背面界面态，提高钝化能力，并藉由延长光线路程，提高长波响应以及短路电流，使得背钝化电池较常规电池转换效率提高了1.0-1.2％甚至以上。目前业界规模化生产，以AlO
x
+SiN
x
结构为主要的背钝化膜层，但其中Si-H和-NH键的存在容易造成膜层松散并聚集大量的针孔，在经过高温退火之后，氢从Si-H键中脱离留下未饱和的Si
+
，这些过剩的Si
+
之间发生键合，最终形成硅的聚集体，也称为硅岛，直接影响钝化效果，因此限制了背钝化电池的效率提升，降低了高效电池生产的经济效益。
[0004]现有技术的背钝化(PassivateEmitterRearContact,PERC)太阳能电池的结构如图1所示，其主要制程为:制绒、磷扩散、背面刻蚀、退火、背面镀膜AlO
x
、背面镀膜SiN
x
、正面镀膜SiN
x
、背面钝化层激光开槽、印刷正背面电极电场、高温烧结，最后形成背钝化太阳能电池。由于在电池背面，沉积了绝缘的钝化层，以此降低背面界面态，提高钝化效果，延长光线路程，提高长波响应及短路电流，再通过激光刻蚀，选择性刻蚀掉部分钝化层，让硅层裸露，再将背电场铝浆印刷在激光刻蚀区，与硅层形成直接接触，从而实现导电；因此，背面激光刻蚀区，由于部分钝化层被去除，钝化能力有所下降，直接影响了整体的背面钝化的效果，导致降低了电池的转换效率。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于：提供一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池，通过在电池背面形成重掺杂区域，可有效减小金属接触区域的复合损失，减少接触电阻并增强钝化能力，显着降低背表面的复合速度，并保持较高的短路电流，增加开路电压，提升填充因子，从而实现高转换效率，高稳定性的太阳能电池。
[0006]本技术采用的技术方案如下：
[0007]为实现上述目的，本技术提供一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池，包括P型硅，所述P型硅正面向上依次设有磷掺杂层、正面钝化减反射层和Ag栅指电极，所述P型硅背面向下依次设有钝化层、背面钝化减反射层和Al栅指电极，所述P型硅背面还设有重掺杂区，所述重掺杂区包括硼重掺杂层和局部接触铝掺杂层，所述Al栅指电极通过重掺杂区与 P型硅下表面连接。
[0008]作为优选，所述P型硅正面还设有重掺杂硅层，所述Ag栅指电极通过重掺杂硅层与P 型硅上表面连接。
[0009]作为优选，所述正面钝化减反射层和背面钝化减反射层均为SiN
x
膜层。
[0010]作为优选，所述钝化层为AlO
x
膜层。
[0011]作为优选，所述硼重掺杂层与P型硅下表面连接，所述局部接触铝掺杂层与Al栅指电极连接。
[0012]综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：
[0013]本技术通过在电池背面设置氧化铝层和氮化硅层，形成钝化减反叠层结构，同时在硼硅纳米薄膜上进行激光熔覆形成掺杂的硅熔覆层，经激光开槽后的硼元素扩散进入硅片，形成重掺杂区域，可有效减小金属接触区域的复合损失，减少接触电阻并增强钝化能力，显着降低背表面的复合速度，并增加了原子态的氢饱和，基体表面悬挂键提供大量的固定电荷场钝化效应，进而保持较高的短路电流，增加开路电压，提升填充因子，从而实现高转换效率，高稳定性的太阳能电池。
附图说明
[0014]本技术将通过例子并参照附图的方式说明，其中：
[0015]图1是现有技术中背钝化太阳能电池的结构示意图；
[0016]图2是本技术背钝化太阳能电池的结构示意图。
[0017]图中标记为：1-P型硅，2-磷掺杂层，3-正面钝化减反射层，4-重掺杂硅层，5-Ag栅指电极，6-钝化层，7-背面钝化减反射层，8-重掺杂区，801-硼重掺杂层，802-局部接触铝掺杂层，9-Al栅指电极。
具体实施方式
[0018]下面将结合附图对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]实施例1
[0020]参阅图2，本实施例提供一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池，包括P型硅1，所述P型硅1正面向上依次设有磷掺杂层2(N+层)、SiN
x
正面钝化减反射层3和Ag栅指电极5，所述P型硅1正面还设有重掺杂硅层4(N++层)，所述Ag栅指电极5通过重掺杂硅层4 与P型硅1上表面连接，所述P型硅1背面向下依次设有AlO
x
钝化层6、SiN
x
背面钝化减反射层7和Al栅指电极9，所述P型硅1背面还设有重掺杂区8，所述重掺杂区8包括硼重掺杂层801(P++层)和局部接触铝掺杂层802(P+层)，所述Al栅指电极9通过重掺杂区8与P型硅1下表面连接，所述硼重掺杂层801与P型硅1下表面连接，所述局部接触铝掺杂层802与Al栅指电极9连接。
[0021]实施例2
[0022]本实施例提供一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
[0023](1)采用碱制绒，将硅片于槽中去除损伤层并制绒，形成0.5μm-5μm高的金字塔绒面；
[0024](2)采用三氯氧磷(POCl3)高温扩散，反应温度为750-850℃，反应时间为30-60min，在硅片表面形成磷掺杂层，即P掺杂N+发射结；
[0025](3)采用激光掺杂形成重掺杂硅层(N++层)；
[0026](4)采用湿法刻蚀工艺，搭配HNO3/HF混合溶液，去除硅片背面的P掺杂N+结，并对背面进行抛光处理，高温退火，退火反应温度为750-850℃；
[0027](5)采用原子层沉积(ALD)或等离子增强化学气相沉积(PECVD)法在硅片背面依序沉积AlO
x
层和SiN
x
层，形成钝化减反叠层结构；
[0028](6)采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法，在硅片正面沉积SiN
x
层；
[0029](7)在硅片背面激光开槽图形上，丝网印刷硼掺杂硅纳米浆料，烘干后形成硼硅纳米薄膜，所述硼掺杂硅纳米浆料中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池，包括P型硅(1)，其特征在于，所述P型硅(1)正面向上依次设有磷掺杂层(2)、正面钝化减反射层(3)和Ag栅指电极(5)，所述P型硅(1)背面向下依次设有钝化层(6)、背面钝化减反射层(7)和Al栅指电极(9)，所述P型硅(1)背面还设有重掺杂区(8)，所述重掺杂区(8)包括硼重掺杂层(801)和局部接触铝掺杂层(802)，所述Al栅指电极(9)通过重掺杂区(8)与P型硅(1)下表面连接。2.根据权利要求1所述的一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池，其特征在于，所述P型硅(1)正面还设有重掺杂硅层(4)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，朱波，何宇，眭山，
申请(专利权)人：通威太阳能眉山有限公司，
类型：新型
国别省市：