一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构制造技术

本发明专利技术公开了太阳能电池技术领域的一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构，包括硅片层，所述硅片层顶部外壁设置有正面氧化硅层，所述正面氧化硅层顶部外壁与正面氧化铝层固定连接，所述正面氧化铝层顶部外壁设置有正面氮化硅层，所述硅片层顶部外壁设置有正电极，且正电极顶端延伸至正面氮化硅层的顶部外壁，所述硅片层底部外壁设置有钝化层，装置中保护层是由第一氧化硅层、背面氮化硅层与第二氧化硅层组成的，通过保护层可以阻挡缺陷延展，三层膜互补，降低背表面复合速率，增加背表面钝化效果和提高钝化效果，并且正面氧化硅层与正面氮化硅层之间的正面氧化铝层，使得该电池结构具有更强的抗PID性能。构具有更强的抗PID性能。构具有更强的抗PID性能。

【技术实现步骤摘要】
一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，具体为一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构。

技术介绍

[0002]随着社会科技的不断发展，人们对绿色能源逐渐重视起来，使得太阳能电池生产技术逐渐完善起来，现有的P型PERC电池在生产使用时，为了增加电池的使用效果，需要对电池内部进行改进，为此，我们提出一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构，包括硅片层，所述硅片层顶部外壁设置有正面氧化硅层，所述正面氧化硅层顶部外壁与正面氧化铝层固定连接，所述正面氧化铝层顶部外壁设置有正面氮化硅层，所述硅片层顶部外壁设置有正电极，且正电极顶端延伸至正面氮化硅层的顶部外壁，所述硅片层底部外壁设置有钝化层，所述钝化层底部外壁设置有保护层，所述硅片层底部外壁设置有负电极，且负电极底端依次贯穿钝化层与保护层。
[0005]优选的，所述保护层包括与钝化层底部外壁固定连接的第二氧化硅层，所述第二氧化硅层底部外壁设置有背面氮化硅层，所述背面氮化硅层底部外壁与第一氧化硅层固定连接。
[0006]优选的，所述背面氮化硅层上下两侧外壁均匀设置有连接块，且上下两侧连接块分别位于第二氧化硅层与第一氧化硅层的内腔中。
[0007]优选的，所述负电极左右外壁套接有挡块，所述挡块顶部外壁与保护层底部外壁相贴合。
[0008]优选的，所述钝化层的截面厚度为七毫米，所述保护层的截面厚度为六十毫米。
[0009]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0010]1.装置中保护层是由第一氧化硅层、背面氮化硅层与第二氧化硅层组成的，通过保护层可以阻挡缺陷延展，三层膜互补，降低背表面复合速率，增加背表面钝化效果和提高钝化效果，并且正面氧化硅层与正面氮化硅层之间的正面氧化铝层，使得该电池结构具有更强的抗PID性能；
[0011]2.挡块对保护层进行阻挡，使保护层与钝化层贴合紧密，并且通过连接块增加第一氧化硅层、第二氧化硅层与背面氮化硅层之间连接的稳定性，使保护层层与层之间连接稳定，确保保护层正常使用。
附图说明
[0012]图1为本专利技术结构示意图；
[0013]图2为本专利技术保护层结构示意图。
[0014]图中：1、硅片层；2、正电极；3、正面氧化硅层；4、正面氧化铝层；5、正面氮化硅层；6、负电极；7、钝化层；8、保护层；81、第一氧化硅层；82、背面氮化硅层；83、第二氧化硅层；9、挡块；10、连接块。
具体实施方式
[0015]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0016]本专利技术提供一种技术方案：一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构，请参阅图1，包括硅片层1，P型PERC电池是太阳能电池，P型PERC电池是现有产品；
[0017]请参阅图1，硅片层1顶部外壁设置有正面氧化硅层3，正面氧化硅层3顶部外壁与正面氧化铝层4固定连接，正面氧化铝层4顶部外壁设置有正面氮化硅层5，硅片层1顶部外壁设置有正电极2，且正电极2顶端延伸至正面氮化硅层5的顶部外壁，正面氧化硅层3与正面氮化硅层5之间设置的正面氧化铝层4，使得该电池结构具有更强的抗PID性能，保证电池的使用效果，电池之间的层与层是固定连接的，电池的生产方式、层与层的连接方式均为现有技术；
[0018]请参阅图1，硅片层1底部外壁设置有钝化层7，钝化层7为氧化铝钝化膜，钝化层7底部外壁设置有保护层8，硅片层1底部外壁设置有负电极6，且负电极6底端依次贯穿钝化层7与保护层8；
[0019]请参阅图1和图2，保护层8包括与钝化层7底部外壁固定连接的第二氧化硅层83，第二氧化硅层83底部外壁设置有背面氮化硅层82，背面氮化硅层82底部外壁与第一氧化硅层81固定连接，通过三层膜相互配合可以阻挡缺陷延展，三层膜互补，降低背表面复合速率，增加背表面钝化效果和提高钝化效果；
[0020]请参阅图2，背面氮化硅层82上下两侧外壁均匀设置有连接块10，连接块10与背面氮化硅层82固定连接，且连接块10与背面氮化硅层82的材质一致，增加了背面氮化硅层82与第一氧化硅层81、第二氧化硅层83的接触面积，增加保护层8层与层之间连接的稳定性，保证保护层8的使用效果，且上下两侧连接块10分别位于第二氧化硅层83与第一氧化硅层81的内腔中；
[0021]请参阅图1，负电极6左右外壁套接有挡块9，挡块9顶部外壁与保护层8底部外壁相贴合，挡块9与负电极6固定连接，挡块9与负电极6的材质一致，对保护层8进行阻挡，使保护层8与钝化层7贴合紧密，确保保护层8与钝化层7之间不会产生间隙，保证电池正常使用和使用寿命，钝化层7的截面厚度为七毫米，保护层8的截面厚度为六十毫米。
[0022]工作原理：保护层8是由第一氧化硅层81、背面氮化硅层82与第二氧化硅层83组成中，通过三层膜配合可以阻挡缺陷延展，三层膜互补，降低背表面复合速率，增加背表面钝化效果和提高钝化效果，并且正面氧化硅层3与正面氮化硅层5之间设置的正面氧化铝层4，
使得该电池结构具有更强的抗PID性能，保证电池的使用效果。
[0023]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构，包括硅片层(1)，其特征在于：所述硅片层(1)顶部外壁设置有正面氧化硅层(3)，所述正面氧化硅层(3)顶部外壁与正面氧化铝层(4)固定连接，所述正面氧化铝层(4)顶部外壁设置有正面氮化硅层(5)，所述硅片层(1)顶部外壁设置有正电极(2)，且正电极(2)顶端延伸至正面氮化硅层(5)的顶部外壁，所述硅片层(1)底部外壁设置有钝化层(7)，所述钝化层(7)底部外壁设置有保护层(8)，所述硅片层(1)底部外壁设置有负电极(6)，且负电极(6)底端依次贯穿钝化层(7)与保护层(8)。2.根据权利要求1所述的一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构，其特征在于：所述保护层(8)包括与钝化层(7)底部外壁固定连接的第二氧化硅层(83)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：何飞，徐小萍，
申请(专利权)人：江苏晶旺新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：