一种硅片镀膜片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅片镀膜片，包括硅片本体，其特征在于，硅片本体的端面上沉积有复合功能膜层，复合功能膜层包含硅片本体依次向外沉积的氮化硅膜层一、氮化硅膜层二、耐高温阻燃膜层及氧化硅膜层，氮化硅膜层一及氮化硅膜层二的厚度依次递增，氮化硅膜层一及氮化硅膜层二的折射率均大于氧化硅膜层的折射率，耐高温阻燃膜层设于氮化硅膜层二及氧化硅膜层之间。本实用新型专利技术的有益效果：本申请通过优化硅片膜层的结构以及厚度参数，使得硅片进行镀膜处理过程中的镀膜效果以及效率得以显著提高，采用本申请优化工艺，能够减少制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗，降低了生产成本，提高了工作效率。提高了工作效率。提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片镀膜片


[0001]本技术涉光伏能源
，具体来说，涉及一种硅片镀膜片。

技术介绍

[0002]太阳能电池主要是将太阳光转换为电能，在实际生活中属于一种绿色能源，太阳能电池片是由原硅片经过清洗硅片表面、制绒、扩散形成PN结、去除磷硅玻璃、沉积氮化硅、印刷、烧结形成的，清洗硅片表面主要是在电池生产工序的第一步，主要是利用在切割硅片过程中形成的损伤层，通过化学药液将硅片表面进行腐蚀，从而在硅片表面形成高低不平的表面以及大量孔洞，从而降低硅片表面的反射率，提升电池转换效率。
[0003]然而，因为氮化硅的沉积大部分使用的管式PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)，管式PECVD工艺实际镀膜过程中存在镀膜匀性不佳的现象，硅片沉积的氮化硅的厚度不同，呈现的颜色不同，经常造成色差率高，上述缺陷限制了硅电池片的生产效率及生产周期。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中的上述技术问题，本技术提出硅片镀膜片，能够通过改善太阳能电池用硅片的膜层结构以及镀膜使用工艺，使得太阳能电池用镀膜硅片的使用性能获得显著进步。
[0005]为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种硅片镀膜片，包括硅片本体，其特征在于，所述硅片本体的端面上沉积有复合功能膜层，所述复合功能膜层包含所述硅片本体依次向外沉积的氮化硅膜层一、氮化硅膜层二、耐高温阻燃膜层及氧化硅膜层，所述氮化硅膜层一及所述氮化硅膜层二的厚度依次递增，所述氮化硅膜层一及所述氮化硅膜层二的折射率均大于所述氧化硅膜层的折射率，所述耐高温阻燃膜层设于所述氮化硅膜层二及所述氧化硅膜层之间。
[0006]进一步地，所述氮化硅膜层一的厚底为10～30nm，折射率为1.8～2.0。
[0007]进一步地，所述氮化硅膜层二的厚底为20～50nm，折射率为2.0～2.3。
[0008]进一步地，所述氧化硅膜层的厚底为0.5～3nm，折射率为1.0～1.5。
[0009]进一步地，所述耐高温阻燃膜层的厚度为5～15nm，折射率为1.0～1.8。
[0010]进一步地，所述氮化硅膜层一及所述氮化硅膜层二的折射率大于所述氧化硅膜层的折射率。
[0011]本技术的有益效果：鉴于现有技术中存在的不足，本申请通过优化硅片膜层的结构以及厚度参数，使得硅片进行镀膜处理过程中的镀膜效果以及效率得以显著提高，采用本申请优化工艺，能够减少制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗，降低了生产成本，提高了工作效率。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1是根据本技术实施例所述的硅片镀膜片的结构示意图；
[0014]图中：1、硅片本体；2、复合功能膜层；2a、氮化硅膜层一；2b、氮化硅膜层二；2c、耐高温阻燃膜层；2d、氧化硅膜层。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0016]如图1所示，根据本技术实施例所述的硅片镀膜片，所述硅片本体1的端面上沉积有复合功能膜层2，所述复合功能膜层2包含所述硅片本体1依次向外沉积的氮化硅膜层一2a、氮化硅膜层二2b、耐高温阻燃膜层2c及氧化硅膜层2d，所述氮化硅膜层一2a及所述氮化硅膜层二2b的厚度依次递增，所述氮化硅膜层一2a及所述氮化硅膜层二2b的折射率均大于所述氧化硅膜层2d的折射率，所述耐高温阻燃膜层2c设于所述氮化硅膜层二 2b及所述氧化硅膜层2d之间。
[0017]在本技术的一个具体实施例中，所述氮化硅膜层一2a的厚底为10～30nm，折射率为1.8～2.0，所述氮化硅膜层二2b的厚底为20～50nm，折射率为2.0～2.3，所述氮化硅膜层一2a及所述氮化硅膜层二2b在太阳能用硅片之中的折射率较低，氮化硅膜中的硅含量较少，故其热变系数与氧化硅膜层的热变系数的差值较小，故使得氮化硅膜层一2a及氮化硅膜层二2b与氧化硅膜层2d在后续烧结过程中产生的应力较为缓解，以有效避免相关膜层发生破裂。
[0018]在本技术的一个具体实施例中，所述氧化硅膜层2d的厚底为0.5～3nm，折射率为1.0～1.5，所述耐高温阻燃膜层2c的厚度为5～15nm，折射率为1.0～1.8，所述氧化硅膜层 2d其用于形成良好的薄膜性能，以及其用于硅片的耐热性能优于现有技术，可减少硅片平整度缺陷。
[0019]在本技术的一个具体实施例中，所述氮化硅膜层一2a及所述氮化硅膜层二2b的折射率大于所述氧化硅膜层2d的折射率。
[0020]在本技术的一个具体实施例中，在以上描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0021]为了方便理解本技术的上述技术方案，以下通过具体使用方式上对本技术的上述技术方案进行详细说明。
[0022]在具体使用时，根据本技术所述的硅片镀膜片，采用上述技术方案的太阳能电池用硅片，可通过氧化硅膜层2d实现防PID(Potential-Induced Degradation)的功效，氮化硅膜层一2a的厚度和折射率相对较低，折射线的折损率较小，氮化硅膜层二2b通过其较高的厚度与折射率以构成减反射结构，进而增加太阳能电池对于光的吸收效果，致使太阳能电池的效率得以改善，结合耐高温阻燃膜层2c构成复合膜层2，避免硅片的损伤及破碎，以及烧结时产生色差现象，也会导致抗钠钙离子迁移能力下降，不能满足使用要求。
[0023]综上所述，借助于本技术的上述技术方案，通过优化硅片膜层的结构以及厚度参数，使得硅片进行镀膜处理过程中的镀膜效果以及效率得以显著提高，采用本申请优化工艺，能够减少制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗，降低了生产成本，提高了工作效率。
[0024]以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片镀膜片，包括硅片本体（1），其特征在于，所述硅片本体（1）的端面上沉积有复合功能膜层（2），所述复合功能膜层（2）包含所述硅片本体（1）依次向外沉积的氮化硅膜层一（2a）、氮化硅膜层二（2b）、耐高温阻燃膜层（2c）及氧化硅膜层（2d），所述氮化硅膜层一（2a）及所述氮化硅膜层二（2b）的厚度依次递增，所述氮化硅膜层一（2a）及所述氮化硅膜层二（2b）的折射率均大于所述氧化硅膜层（2d）的折射率，所述耐高温阻燃膜层（2c）设于所述氮化硅膜层二（2b）及所述氧化硅膜层（2d）之间。2.根据权利要求1所述的硅片镀膜片，其特征在于，所述氮化硅膜层一（2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑞麟，蔡林林，李江波，曹子玉，孙丹芳，汪平锋，
申请(专利权)人：利基光电科技九江有限公司，
类型：新型
国别省市：