GeSiOI衬底及其制备方法、GeSiOI器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及GeSiOI衬底及其制备方法、GeSiOI器件及其制备方法。一种GeSiOI衬底，包括由下至上依次堆叠的：硅衬底，埋氧层，保护层，Ge1‑

【技术实现步骤摘要】
GeSiOI衬底及其制备方法、GeSiOI器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及GeSiOI衬底及其制备方法、GeSiOI器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]全耗尽绝缘体上器件相比传统体材料器件可进行背栅控制、具有灵活的阈值电压(V
T
)调节性、更好的静电特性、以及与现有平面器件工艺兼容等优点，是特征尺寸不断缩小下半导体器件的主要发展方向之一。采用应变SOI或低锗组分SiGeOI做为衬底材料，由于材料迁移率低的限制，在特征尺寸不断缩小下，不能完全满足高性能器件的需求。
[0003]为此，提出本专利技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种GeSiOI衬底，该衬底顶层含Ge量高，具有高迁移率优势。
[0005]本专利技术的另一目的在于提供上述GeSiOI衬底的制备方法，该方法解决了硅衬底上直接沉积Ge
1-x
Si
x
层时缺陷多的问题。
[0006]本专利技术的另一目的在于提供一种掺杂的GeSiOI器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GeSiOI衬底，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的：硅衬底，埋氧层，保护层，Ge
1-x
Si
x
层；其中，0.1≤x≤0.3，Ge
1-x
Si
x
层的厚度≤100nm。2.根据权利要求1所述的GeSiOI衬底，其特征在于，所述保护层包括氧化硅层、硅层或高k介质层中的中的至少一层。3.根据权利要求1所述的GeSiOI衬底，其特征在于，所述保护层为高k介质层；或者，所述保护层为硅层；或者，所述保护层是由氧化硅层、硅层自下而上依次堆叠而成；或者，所述保护层是由高k介质层、硅层自下而上依次堆叠而成。4.根据权利要求1所述的GeSiOI衬底，其特征在于，所述保护层为氧化铝层。5.根据权利要求1所述的GeSiOI衬底，其特征在于，所述埋氧层为氧化硅。6.根据权利要求1所述的GeSiOI衬底，其特征在于，所述硅衬底为硅<100>衬底。7.一种GeSiOI器件，其特征在于，以权利要求1-6任一项所述的GeSiOI衬底为衬底制作掺杂源漏结构的GeSiOI器件。8.根据权利要求7所述的GeSiOI器件，其特征在于，所述GeSiOI器件为全耗尽型器件。9.权利要求1-6任一项所述的GeSiOI衬底的制备方法，其特征在于，包括：在第一硅衬底上依次沉积锗缓冲层、Ge
1-x
Si
x
层、保护层，得到第一多层材料结...

【专利技术属性】
技术研发人员：亨利，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：