【技术实现步骤摘要】
具有再分布图案的集成电路装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年9月4日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2019-0109414的优先权，其公开内容整体以引用方式并
[0003]入本文中。
[0004]本公开涉及集成电路装置，更具体地，涉及一种具有再分布图
[0005]案的集成电路装置。
技术介绍
[0006]随着电子行业的发展和用户的需求，电子装置具有多功能和大容量，并且被小型化和轻量化。因此，电子装置中使用的集成电路装置需要具有大集成度。为了向高集成电路装置稳定地供电或者确保集成电路装置与电子装置之间的电连接的可靠性，引入了电连接到包括
[0007]布线层和通孔插塞的布线结构的再分布图案。
技术实现思路
[0008]一方面在于提供一种具有再分布图案的集成电路装置，该再分布图案被设计为增加集成电路装置的可靠性。
[0009]根据一个或多个实施例的一方面，提供了一种集成电路装置。该集成电路装置包括：基板上的布线结构和被...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，包括：基板上的布线结构和被配置为围绕所述布线结构的第一布线间绝缘层，所述布线结构包括具有多层布线结构的多个布线层和多个通孔插塞；所述第一布线间绝缘层上的第二布线间绝缘层和多个再分布通孔插塞，所述多个再分布通孔插塞穿过所述第二布线间绝缘层连接到所述布线结构；所述第二布线间绝缘层上的多个再分布图案，所述多个再分布图案包括多个焊盘图案和多个虚设图案，所述多个焊盘图案中的每一个和所述多个虚设图案中的每一个的厚度大于所述多个布线层中的每一个的厚度；以及覆盖绝缘层，其被配置为覆盖所述多个再分布图案的一部分，其中，所述多个虚设图案在平行于所述基板的水平方向上成线延伸，并且被所述第二布线间绝缘层和所述覆盖绝缘层完全围绕以彼此电隔离。2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个虚设图案在纵向方向上以第一纵向方向间隔彼此间隔开，并在宽度方向上以第一宽度方向间隔彼此间隔开，其中，所述多个虚设图案中的每一个具有第一宽度和第一长度并且在所述水平方向上延伸，并且其中，所述第一纵向方向间隔和所述第一宽度方向间隔中的每一个具有不超过所述第一宽度的1/2的值。3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其中，所述多个再分布图案还包括多个电力图案，所述多个电力图案各自线性延伸并具有第二宽度和第二长度，并且其中，所述多个电力图案中的每一个的下表面连接到所述多个再分布通孔插塞中的至少两个，并且所述多个电力图案中的每一个的上表面和侧表面被所述覆盖绝缘层覆盖。4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述第一长度与所述第一宽度之比和所述第二长度与所述第二宽度之比中的每一个为5:1至20:1。5.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述第一长度和所述第二长度中的每一个具有不小于100μm的值，并且所述第一宽度和所述第二宽度中的每一个具有不小于20μm的值。6.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述第一纵向方向间隔和所述第一宽度方向间隔中的每一个具有不超过10μm的值。7.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述多个电力图案中的一个通过所述多个再分布通孔插塞中的一个、所述多个布线层中的一个、所述多个再分布通孔插塞中的另一个和所述多个焊盘图案中的一个电连接到多个连接端子中的一个。8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个再分布图案中的每一个的厚度的值不小于所述多个布线层中的每一个的厚度的值的两倍。9.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，所述多个再分布图案中的每一个的厚度具有不小于1μm的值，并且所述多个布线层中的布置在最上端的最上布线层的厚度具有不超过0.5μm的值。
10.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个再分布图案的平面面积与所述多个再分布图案之间的间隔的平面面积之比为3.5:1至4.5:1。11.一种集成电路装置，包括：基板上的布线结构和被配置为围绕所述布线结构的第一布线间绝缘层，所述布线结构包括具有多层布线结构的多个布线层和多个通孔插塞；所述第一布线间绝缘层上的第二布线间绝缘层和多个再分布通孔插塞，所述多个再分布通孔插塞穿过所述第二布线间绝缘层连接到所述布线结构；所述第二布线间绝缘层上的多个再分布图案，其包括多个焊盘图案、多个虚设图案和多个电力图案，所述多个焊盘图案、所述多个虚设图案和所述多个电力图案中的每一个的厚度不小于所述多个布线层中的每一个的厚度的两倍；覆盖绝缘层，其被配置为覆盖所...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵允来，梁辰列，高廷旼，白承德，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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