半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包含导线、接触导线的导电通孔、第一介电材料及第二介电材料。第一介电材料接触导电通孔的第一侧壁表面，第二介电材料接触导电通孔的第二侧壁表面。第一介电材料包含第一材料组合物，且第二介电材料包含与第一材料组合物不同的第二材料组合物。第一材料组合物不同的第二材料组合物。第一材料组合物不同的第二材料组合物。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例涉及半导体技术，尤其涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]触点用于在半导体装置中的不同特征内或不同特征之中建立电连接。举例而言，触点是用于连接一个金属层至另一金属层或装置层，否则金属层与装置层彼此电绝缘，诸如通过使金属层彼此分离或使金属层与装置层彼此分离的介电材料。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的在于提供一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。
[0004]一实施例提供一种半导体装置，其包含导线、接触导线的导电通孔、第一介电材料及第二介电材料。一第一介电材料接触所述导电通孔的一第一侧壁表面；一第二介电材料接触所述导电通孔的一第二侧壁表面，其中，所述第一介电材料包含一第一材料组合物，且所述第二介电材料包含与所述第一材料组合物不同的一第二材料组合物。
[0005]另一实施例是提供一种半导体装置的制造方法，其包含形成一第一介电层；形成一第一导电材料在所述第一介电层中的一第一沟槽中；突出于所述第一沟槽之上的所述第一导电材料用以定义一第一导电柱；横向形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包含：一导线；一导电通孔，在该导线之上且接触该导线；一第一介电材料，接触该导电通孔的一第一侧壁表面；及一第二介电材料，接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨岱宜，朱韦臻，王永智，吴佳典，陈欣苹，眭晓林，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：