半导体晶片检验方法及其系统技术方案

本发明专利技术实施例涉及半导体晶片检验方法及其系统。本发明专利技术实施例提供一种半导体晶片检验方法。所述方法包含以下操作。扫描半导体晶片以获取扫描图，其中所述半导体晶片是根据具有经编程缺陷的设计图进行图案化。根据所述设计图上的所述经编程缺陷的位置及所述扫描图上的所述经编程缺陷的位置将所述设计图及所述扫描图变换为经变换检验图。本发明专利技术实施例也提供半导体晶片检验系统。供半导体晶片检验系统。供半导体晶片检验系统。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶片检验方法及其系统


[0001]本专利技术实施例涉及半导体晶片检验方法及其系统。

技术介绍

[0002]制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用大量半导体制造工艺处理衬底(例如半导体晶片)以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是一种涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的抗蚀剂的半导体制造工艺。在一些其它实例中，制造工艺可包含例如化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子布植的操作。多个半导体装置可制造于单个半导体晶片上的布置中，且接着被分离为个别半导体装置。
[0003]在半导体制造工艺期间的各个步骤使用检验过程检测晶片上的缺陷以促成制造工艺的更高良率。检验已成为制造半导体装置(例如IC)的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于成功地制造可接受半导体装置变得甚至更加重要，这是因为较小的缺陷可引起装置故障。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例涉及一种半导体晶片检验方法，其包括：扫描半导体晶片以获取扫描图，其中所述半导体晶片是根据具有经编程缺陷的设计图进行图案化；及根据所述设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片检验方法，其包括：扫描半导体晶片以获取扫描图，其中所述半导体晶片是根据具有经编程缺陷的设计图进行图案化；及根据所述设计图上的所述经编程缺陷的位置及所述扫描图上的所述经编程缺陷的位置将所述设计图及所述扫描图变换为经变换检验图。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过比较所述经变换检验图上的所述经编程缺陷的位置与所述经变换检验图上的一对关注区域标记的位置而自我监测变换准确度。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述一对关注区域标记相对于所述设计图上的所述经编程缺陷对称地定位且指示所述经编程缺陷的预期位置。4.根据权利要求3所述的方法，其中比较所述经变换检验图上的所述经编程缺陷的所述位置与所述一对关注区域标记的所述位置包括：获得所述经编程缺陷的所述预期位置与所述经变换检验图上的所述经编程缺陷的所述位置之间的偏移。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括根据所述偏移更新所述经变换检验图。6.一种半导体晶片检验方法，其包括：根据设计图上的预期位置在所述半导体晶片上形成经编程缺陷；扫描所述半导体晶片以获取扫描图；检...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建辉，钟弘毅，陈晓萌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：