【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
[0001]本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
[0002]作为半导体器件的制造工序的一个工序，存在进行下述工序的情况：通过交替重复进行向衬底供给原料的工序和向衬底供给氧化剂的工序，在衬底上形成氧化膜(例如参见专利文献1、2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2008-135633号公报
[0006]专利文献2：日本特开2010-153776号公报
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的课题
[0008]本专利技术目的在于，提高在衬底上形成的氧化膜的特性。
[0009]解决课题的手段
[0010]根据本专利技术的一方案，提供下述技术，其具有将非同时进行下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成含有X的氧化膜的工序：
[0011](a)向衬底供给原料，在所述衬底上形成含有在所述X上键合有第1基团的成分的第1层的工序...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.半导体器件的制造方法，其具有将非同时进行下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成含有X的氧化膜的工序：(a)向衬底供给原料，在所述衬底上形成含有在所述X上键合有第1基团的成分的第1层的工序，所述原料为具有在中心原子X上键合有第1基团和第2基团的分子结构且所述第1基团与所述X的键能高于所述第2基团与所述X的键能的原料；和(b)向所述衬底供给氧化剂，使所述第1层氧化，形成含有所述X的第2层的工序，在(a)中，在所述第1基团不从所述原料中所含的所述X脱离而所述第2基团脱离、并且所述第2基团脱离且与所述第1基团的键合被维持的状态的所述X向所述衬底的表面吸附的条件下，供给所述原料。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述X具有4个结合键，在所述X的4个结合键中的3个结合键上键合有所述第1基团，在所述X的4个结合键中的剩余1个结合键上键合有所述第2基团，在(a)中，在所述X的3个结合键上键合有所述第1基团的状态下，在所述X向所述衬底的表面吸附的条件下供给所述原料。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，在从所述原料中所含的所述X脱离的所述第2基团不向所述衬底的表面吸附的条件下供给所述原料。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，利用吸附于所述衬底的表面的所述X上所键合的所述第1基团来抑制原子或分子向吸附于所述衬底的表面的所述X的吸附，并且抑制原子或分子向所述X的周边的所述衬底的表面中的吸附位点的吸附。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，利用吸附于所述衬底的表面的所述X上所键合的所述第1基团来保持所述X的周边的所述衬底的表面中的吸附位点。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，使所述X不连续地吸附于所述衬底的表面。7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，使所述X以成为小于一个原子层的厚度的方式吸附于所述衬底的表面。8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，持续供给所述原料直至所述X向所述衬底的表面的吸附反应饱和为止。9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述X向所述衬底的表面的吸附反应饱和的状态下，由吸附于所述衬底的表面的X构成的层为小于一个原子层的厚度。10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述X向所述衬底的表面的吸附反应饱和的状态下，由吸附于所述衬底的表面的X构成的层为不连续层。11.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述X向所述衬底的表面的吸附反应饱和的状态下，使所述衬底的表面的一部分保持吸附位点。12.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述X向所述衬底的表面的吸附反应饱和的状态下，所述衬底的表面成为由所述第1基团覆盖的状态。13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：桥本良知，原田胜吉，中谷公彦，广濑义朗，永户雅也，尾崎贵志，清水富介，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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