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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质，课题为提高在衬底上形成的氧化膜的特性。半导体器件的制造方法具有将非同时进行下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成含有X的氧化膜的工序：(a)向衬底供给具有在中心原子X上键合有第1基...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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