【技术实现步骤摘要】
半导体封装件
[0001]于2019年8月28日在韩国知识产权局提交的且名称为“Semiconductor Package(半导体封装件)”的第10-2019-0105755号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
[0002]实施例涉及一种半导体封装件。
技术介绍
[0003]随着电子组件的高功能性和小型化的趋势，已经使用具有各种功能的多个半导体芯片嵌入在单个封装件中的系统级封装(SIP)技术来实现封装件的高性能和小型化。
技术实现思路
[0004]实施例可以通过提供一种半导体封装件来实现，该半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，位于封装基底上；至少一个第二半导体芯片，位于第一半导体芯片的上表面的区域上；绝缘层，位于第一半导体芯片的表面和所述至少一个第二半导体芯片的表面上；散热构件，位于绝缘层上，使得散热构件包括处于第一半导体芯片的上表面上的未设置所述至少一个第二半导体芯片的区域以及处于所述至少一个第二半导体芯片的上表面上的区域；模制构件，位于封装基底上并且包封第一半导体芯片、所述至少一个第二半导...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，位于所述封装基底上；至少一个第二半导体芯片，位于所述第一半导体芯片的上表面的区域上；绝缘层，位于所述第一半导体芯片的表面和所述至少一个第二半导体芯片的表面上；散热构件，位于所述绝缘层上，使得所述散热构件包括处于所述第一半导体芯片的上表面上的未设置所述至少一个第二半导体芯片的区域以及处于所述至少一个第二半导体芯片的上表面上的区域；模制构件，位于所述封装基底上并且包封所述第一半导体芯片、所述至少一个第二半导体芯片和所述散热构件，使得所述模制构件暴露所述散热构件的上表面的至少一部分；以及加强构件，位于所述散热构件和所述模制构件上。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述加强构件的厚度为10μm至30μm。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述加强构件：包括聚合物化合物，并且与所述散热构件的所述上表面直接接触。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述散热构件的所述上表面与所述模制构件的上表面在同一水平上。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述加强构件具有大于所述散热构件的热膨胀系数并且大于所述模制构件的热膨胀系数的热膨胀系数。6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中：所述散热构件和所述模制构件中的每个独立地具有5ppm/℃至40ppm/℃的热膨胀系数，并且所述加强构件具有50ppm/℃或更大的热膨胀系数。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：连接构件，位于所述第一半导体芯片的下表面上，以将所述第一半导体芯片电连接到所述封装基底；以及底部填充树脂，覆盖所述第一半导体芯片的所述下表面和所述连接构件，其中，所述绝缘层覆盖所述底部填充树脂的侧表面。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述绝缘层在所述封装基底的上表面、所述第一半导体芯片的其上未设置所述至少一个第二半导体芯片的上表面和侧表面的至少一部分以及所述至少一个第二半导体芯片的上表面和侧表面上。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个第二半导体芯片通过结合引线电连接到所述封装基底。10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述绝缘层位于所述结合引线的表面上。11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述散热构件覆盖所述结合引线的一部分。12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：
所述至少一个第二半导体芯片包括多个半导体芯片，并且所述多个第二半导体芯片在所述第一半导体芯片的所述上表面上彼此间隔开，使得当从垂直于所述封装基底的上方观看时，所述多个第二半导体芯片与所述第一半导体芯片的中心部分不叠置。13.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述至少一个第二半导体芯片包括多个第二半导体芯片，并且所述多个第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片的所述上表面的一部分上。14.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：金宣澈，吴琼硕，金泰勳，金坪完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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