半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式提供一种实现长寿命化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多条第1配线；多条第2配线，与多条第1配线交叉；及多个存储单元，设置在多条第1配线及多条第2配线之间，且具备电阻变化层、及含有硫属元素的非线性元件层。在置位动作中，向多条第1配线中的一条、及多条第2配线中的一条之间供给置位脉冲。在复位动作中，向多条第1配线中的一条、及多条第2配线中的一条之间供给复位脉冲。在第1动作中，向多条第1配线中的一条、及多条第2配线中的一条之间供给第1脉冲。第1脉冲具备比置位脉冲的振幅及复位脉冲的振幅中的较大脉冲的振幅大的振幅，或具备与较大脉冲的振幅相同的振幅及比复位脉冲的脉冲宽度大的脉冲宽度。冲宽度。冲宽度。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001][相关申请][0002]本申请享有以日本专利申请2019-161925号(申请日：2019年9月5日)作为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0004]已知有一种半导体存储装置，具备：多条第1配线；多条第2配线，与多条第1配线交叉；以及多个存储单元，设置在多条第1配线及多条第2配线之间，且具备电阻变化层、及含有硫属元素的非线性元件层。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的问题是提供一种实现长寿命化的半导体存储装置。
[0006]一实施方式的半导体存储装置具备：多条第1配线；多条第2配线，与多条第1配线交叉；以及多个存储单元，设置在多条第1配线及多条第2配线之间，且具备电阻变化层、及含有硫属元素的非线性元件层。
[0007]在置位动作中，向多条第1配线中的一条、及多条第2配线中的一条之间供给置位脉冲。在复位动作中，向多条第1配线中的一条、及多条第2配线中的一条之间供给复位脉冲。在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：多条第1配线；多条第2配线，与所述多条第1配线交叉；以及多个存储单元，设置在所述多条第1配线及所述多条第2配线之间，且具备电阻变化层、及含有硫属元素的非线性元件层；在置位动作中，向所述多条第1配线中的一条、及所述多条第2配线中的一条之间供给置位脉冲，在复位动作中，向所述多条第1配线中的一条、及所述多条第2配线中的一条之间供给复位脉冲，在第1动作中，向所述多条第1配线中的一条、及所述多条第2配线中的一条之间供给第1脉冲，所述第1脉冲具备比所述置位脉冲的振幅及所述复位脉冲的振幅中的较大脉冲的振幅大的振幅，或者，具备与所述较大脉冲的振幅相同的振幅及比所述复位脉冲的脉冲宽度大的脉冲宽度。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中在读出动作中，向所述多条第1配线中的一条、及所述多条第2配线中的一条之间供给读出脉冲，在先于所述第1动作执行的第2动作中，向所述多条第1配线中的至少一条、及所述多条第2配线中的至少两条之间供给第2脉冲。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其具备连接于所述多条第1配线的感测放大器电路，在所述读出动作及所述第2动作中，由所述感测放大器电路执行侦测。4.根据权利要求2或3所述的半导体存...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚本隆之，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：