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实施方式提供一种实现长寿命化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多条第1配线；多条第2配线，与多条第1配线交叉；及多个存储单元，设置在多条第1配线及多条第2配线之间，且具备电阻变化层、及含有硫属元素的非线性元件层。在置位动作中，...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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