存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

本发明专利技术的范例实施例提供一种存储器控制方法，其用于可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述方法包括：从主机系统接收至少一第一读取指令；以及根据所述至少一第一读取指令所指示的待读取数据的总数据量决定是否启动预读取操作。所述预读取操作用以预读取存储于至少一第一逻辑单元的数据，且所述至少一第一逻辑单元映射至所述多个实体单元的至少其中之一。本发明专利技术还提供一种存储器存储装置及存储器控制电路单元。器控制电路单元。器控制电路单元。

【技术实现步骤摘要】
存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元


[0001]本专利技术涉及一种存储器控制技术，尤其涉及一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。

技术介绍

[0002]数字相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。
[0003]一般来说，为了提升存储器存储装置的数据读取效率，在执行连续读取时，可通过预读取操作来预测下一个被存取的逻辑单元并预先读取此逻辑单元所存储的数据。但是，在存放读取指令的指令伫列的深度较深(即待处理的指令较多)和/或待处理的数据量较大的情况下，使用预读取操作来预先读取下一笔数据反而有可能降低存储器存储装置的数据读取效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可在适当的时机启动预读取操作，以有效提升存储器存储装置的数据读取效率。
[0005]本专利技术的范例实施例提供一种存储器控制方法，其用于可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制方法包括：从主机系统接收至少一第一读取指令；以及根据所述至少一第一读取指令所指示的待读取数据的总数据量决定是否启动预读取操作。所述预读取操作用以预读取存储于至少一第一逻辑单元的数据，且所述至少一第一逻辑单元映射至所述多个实体单元的至少其中之一。
[0006]在本专利技术的一范例实施例中，根据所述至少一第一读取指令所指示的所述待读取数据的所述总数据量决定是否启动所述预读取操作的步骤包括：将所述总数据量与临界值进行比较；以及根据比较结果来决定是否启动所述预读取操作。
[0007]在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器控制方法还包括：根据读取缓冲区的容量决定所述临界值，其中所述读取缓冲区用以暂存从所述可复写式非易失性存储器模块读取的数据。
[0008]在本专利技术的一范例实施例中，根据所述比较结果来决定是否启动所述预读取操作的步骤包括：若所述总数据量大于所述临界值，不启动所述预读取操作；以及若所述总数据量不大于所述临界值，启动所述预读取操作。
[0009]在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器控制方法还包括：获得指令伫列的深度信息；以及在判定所述深度信息符合预设条件后，启动所述预读取操作。
[0010]在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器控制方法还包括：判断多个第二读取指令是否指示连续读取操作，并且根据所述至少一第一读取指令所指示的所述待读取数据
的所述总数据量决定是否启动所述预读取操作的步骤仅在判定所述多个第二读取指令是指示所述连续读取操作之后执行。
[0011]在本专利技术的一范例实施例中，判断所述多个第二读取指令是否指示所述连续读取操作的步骤包括：若所述多个第二读取指令是用以读取连续的多个第二逻辑单元，判定所述多个第二读取指令是指示所述连续读取操作。
[0012]本专利技术的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以从所述主机系统接收至少一第一读取指令。所述存储器控制电路单元还用以根据所述至少一第一读取指令所指示的待读取数据的总数据量决定是否启动预读取操作。所述预读取操作用以预读取存储于至少一第一逻辑单元的数据，且所述至少一第一逻辑单元映射至所述多个实体单元的至少其中之一。
[0013]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以根据读取缓冲区的容量决定所述临界值，其中所述读取缓冲区用以暂存从所述可复写式非易失性存储器模块读取的数据。
[0014]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以获得指令伫列的深度信息，并且所述存储器控制电路单元还用以在判定所述深度信息符合一预设条件后，启动所述预读取操作。
[0015]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以判断多个第二读取指令是否指示连续读取操作，并且其中根据所述至少一第一读取指令所指示的所述待读取数据的所述总数据量决定是否启动所述预读取操作的操作仅在判定所述多个第二读取指令是指示所述连续读取操作之后执行。
[0016]本专利技术的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元，其用于控制可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以从所述主机系统接收至少第一读取指令。所述存储器管理电路还用以根据所述至少一第一读取指令所指示的待读取数据的总数据量决定是否启动预读取操作。所述预读取操作用以预读取存储于至少一第一逻辑单元的数据，且所述至少一第一逻辑单元映射至所述多个实体单元的至少其中之一。
[0017]在本专利技术的一范例实施例中，根据所述至少一第一读取指令所指示的所述待读取数据的所述总数据量决定是否启动所述预读取操作的操作包括：将所述总数据量与临界值进行比较；以及根据比较结果来决定是否启动所述预读取操作。
[0018]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以根据读取缓冲区的容量决定所述临界值，其中所述读取缓冲区用以暂存从所述可复写式非易失性存储器模块读取的数据。
[0019]在本专利技术的一范例实施例中，根据所述比较结果来决定是否启动所述预读取操作
的操作包括：若所述总数据量大于所述临界值，不启动所述预读取操作；以及若所述总数据量不大于所述临界值，启动所述预读取操作。
[0020]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以获得指令伫列的深度信息。所述存储器管理电路还用以在判定所述深度信息符合预设条件后，启动所述预读取操作。
[0021]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以判断多个第二读取指令是否指示连续读取操作，并且根据所述至少一第一读取指令所指示的所述待读取数据的所述总数据量决定是否启动所述预读取操作的操作仅在判定所述多个第二读取指令是指示所述连续读取操作之后执行。
[0022]在本专利技术的一范例实施例中，判断所述多个第二读取指令是否指示所述连续读取操作的操作包括：若所述多个第二读取指令是用以读取连续的多个第二逻辑单元，判定所述多个第二读取指令是指示所述连续读取操作。
[0023]本专利技术的范例实施例另提供一种存储器控制方法，其用于可复写式非易失性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器控制方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，且所述存储器控制方法包括：从主机系统接收至少一第一读取指令；以及根据所述至少一第一读取指令所指示的待读取数据的总数据量决定是否启动预读取操作，其中所述预读取操作用以预读取存储于至少一第一逻辑单元的数据，且所述至少一第一逻辑单元映射至所述多个实体单元的至少其中之一。2.根据权利要求1所述的存储器控制方法，其中根据所述至少一第一读取指令所指示的所述待读取数据的所述总数据量决定是否启动所述预读取操作的步骤包括：将所述总数据量与临界值进行比较；以及根据比较结果来决定是否启动所述预读取操作。3.根据权利要求2所述的存储器控制方法，还包括：根据读取缓冲区的容量决定所述临界值，其中所述读取缓冲区用以暂存从所述可复写式非易失性存储器模块读取的数据。4.根据权利要求2所述的存储器控制方法，其中根据所述比较结果来决定是否启动所述预读取操作的步骤包括：若所述总数据量大于所述临界值，不启动所述预读取操作；以及若所述总数据量不大于所述临界值，启动所述预读取操作。5.根据权利要求1所述的存储器控制方法，还包括：获得指令伫列的深度信息；以及在判定所述深度信息符合预设条件后，启动所述预读取操作。6.根据权利要求1所述的存储器控制方法，还包括：判断多个第二读取指令是否指示连续读取操作，其中根据所述至少一第一读取指令所指示的所述待读取数据的所述总数据量决定是否启动所述预读取操作的步骤仅在判定所述多个第二读取指令是指示所述连续读取操作之后执行。7.根据权利要求6所述的存储器控制方法，其中判断所述多个第二读取指令是否指示所述连续读取操作的步骤包括：若所述多个第二读取指令是用以读取连续的多个第二逻辑单元，判定所述多个第二读取指令是指示所述连续读取操作。8.一种存储器存储装置，包括：连接接口单元，用以连接至主机系统；可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元；以及存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以从所述主机系统接收至少一第一读取指令，并且所述存储器控制电路单元还用以根据所述至少一第一读取指令所指示的待读取数据的总数据量决定是否启动预读取操作，其中所述预读取操作用以预读取存储于至少一第一逻辑单元的数据，且所述至少一第一逻辑单元映射至所述多个实体单元的至少其中之一。
9.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中根据所述至少一第一读取指令所指示的所述待读取数据的所述总数据量决定是否启动所述预读取操作的操作包括：将所述总数据量与临界值进行比较；以及根据比较结果来决定是否启动所述预读取操作。10.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元还用以根据读取缓冲区的容量决定所述临界值，其中所述读取缓冲区用以暂存从所述可复写式非易失性存储器模块读取的数据。11.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中根据所述比较结果来决定是否启动所述预读取操作的操作包括：若所述总数据量大于所述临界值，不启动所述预读取操作；以及若所述总数据量不大于所述临界值，启动所述预读取操作。12.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元还用以获得指令伫列的深度信息，并且所述存储器控制电路单元还用以在判定所述深度信息符合预设条件后，启动所述预读取操作。13.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元还用以判断多个第二读取...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振业，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：