静电防护器件及半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种静电防护器件和半导体器件。该静电防护器件包括有源区，所述有源区呈矩形且设有至少一列接触孔，每列的多个所述接触孔沿第一方向间隔分布，所述第一方向平行于所述有源区的一侧边，各列所述接触孔沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔分布；其中，每列的多个所述接触孔中，位于两端的两个所述接触孔的面积小于其余所述接触孔的面积。本发明专利技术中的静电防护器件补偿了由热导不均匀导致的温度分布的差异，有效提高了静电防护器件的静电防护能力，避免器件在浅沟槽拐角处失效。避免器件在浅沟槽拐角处失效。避免器件在浅沟槽拐角处失效。

【技术实现步骤摘要】
静电防护器件及半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种静电防护器件及半导体器件。

技术介绍

[0002]随着集成电路元器件特征尺寸的进一步缩小，芯片的静电防护设计被提出了更大的挑战。仅仅通过增加静电防护器件的面积已不能满足高性能芯片对引脚的寄生电容及芯片面积的要求。现有技术多是通过增大单个静电防护器件的面积增强芯片静电防护的能力。但是，上述措施使得芯片成本增加。
[0003]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一个目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种静电防护器件，通过设计接触孔的排列方式及大小，即靠近有源区角隅部位的接触孔的面积设计的较其他位置的接触孔的面积小，补偿由热导不均匀导致的温度分布的差异，有效提高芯片泄放电流的能力，避免器件在浅沟槽拐角处失效。
[0005]本专利技术的另一目的为提供一种半导体器件，包括上述静电防护器件。
[0006]根据本专利技术的一方面，提供一种静电防护器件，包括有源区，所述有源区呈矩形且设有至少一列接触孔，每列的多个所述接触孔沿第一方向间隔分布，所述第一方向平行于所述有源区的一侧边，各列所述接触孔沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔分布。其中，每列的多个所述接触孔中，位于两端的两个所述接触孔的面积小于其余所述接触孔的面积。
[0007]根据本专利技术的一示例性实施方式，每个所述接触孔在所述第一方向具有第一尺寸，位于每列两端的所述接触孔的第一尺寸小于其余所述接触孔的第一尺寸。
[0008]根据本专利技术的一示例性实施方式，每列的多个所述接触孔的第一尺寸自所在列的中间向两端递减。
[0009]根据本专利技术的一示例性实施方式，每个所述接触孔在所述第二方向具有第二尺寸，每列所述接触孔的第二尺寸相同。
[0010]根据本专利技术的一示例性实施方式，多个所述接触孔呈矩阵排列，形成多列和多排，所述多列均与所述第一方向平行，所述多排均与所述第二方向平行。
[0011]根据本专利技术的一示例性实施方式，每排所述接触孔的第二尺寸相同。
[0012]根据本专利技术的一示例性实施方式，每排所述接触孔的第二尺寸自该排的中间向两侧递减。
[0013]根据本专利技术的一示例性实施方式，每排所述接触孔的第一尺寸相同。
[0014]根据本专利技术的一示例性实施方式，所述接触孔的形状为矩形。
[0015]根据本专利技术的一示例性实施方式，在每列中，多个所述接触孔沿所述第一方向等
间隔排布。
[0016]根据本专利技术的一示例性实施方式，每排中的所述接触孔沿所述第二方向等间隔排布。
[0017]根据本专利技术的一示例性实施方式，还包括浅沟槽，环绕设于所述有源区四周。
[0018]根据本公开的另一方面，提供一种半导体器件，包括如上述实施例所述的静电防护器件。
[0019]由上述技术方案可知，本专利技术具备以下优点和积极效果中的至少之一：
[0020]通过设计接触孔的排列方式及大小，在每列的多个接触孔中，位于两端的两个接触孔的面积小于其余所述接触孔的面积，即靠近有源区角隅部位的接触孔的面积设计的较其他位置的接触孔的面积小，使得不容易散热区的电流密度较小，易散热区的电流密度较大，补偿了由热导不均匀导致的温度分布的差异，有效提高了芯片泄放电流的能力，增强了静电防护能力，避免器件在浅沟槽拐角处失效。
附图说明
[0021]通过参照附图详细描述其示例实施方式，本专利技术的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
[0022]图1为本专利技术中静电防护器件有源区部分的剖视图；
[0023]图2为本专利技术一示例性实施例中的静电防护器件中的接触孔结构示意图；
[0024]图3为本专利技术另一示例性实施例中的静电防护器件的任一有源区的接触孔结构示意图；
[0025]图4为本专利技术另一示例性实施例中的静电防护器件的任一有源区的接触孔结构示意图；
[0026]图5为本专利技术另一示例性实施例中的静电防护器件的任一有源区的接触孔结构示意图；
[0027]图6为本专利技术另一示例性实施例中的静电防护器件的接触孔结构示意图；
[0028]图7为本专利技术另一示例性实施例中的静电防护器件的接触孔结构示意图；
[0029]图8为本专利技术另一示例性实施例中的静电防护器件的接触孔结构示意图；
[0030]图9为本专利技术另一示例性实施例中的静电防护器件的接触孔结构示意图。
[0031]附图标记说明：
[0032]N-n型有源区；
[0033]P-p型有源区；
[0034]S-浅沟槽；
[0035]10-基底；
[0036]A-热量集中区；
[0037]B-易散热区；
[0038]1-接触孔；
[0039]d1-第一尺寸；
[0040]d2-第二尺寸；
[0041]F1-第一方向；
[0042]F2-第二方向；
[0043]R1-第一区域；
[0044]R2-第二区域。
具体实施方式
[0045]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0046]虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“顶”“底”“上”、“下”“内”“外”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便。如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。用语“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
[0047]如图2至5所示，代表性地示出了本专利技术实施例中的静电防护器件的接触孔结构。图1代表性静电防护器件有源区部分的剖视图，能够更加清晰示出静电防护器件的有源区与浅沟槽S的位置关系。
[0048]本专利技术中的静电防护器件以静电防护二极管为例。二极管由基底10上设有n型有源区N和p型有源区P，且n型有源区N和p型有源区P通过浅沟槽隔离(STI)，如图1所示。在有源区设置有接触孔1。在相关技术中，接触孔1的尺寸及排列固定且均匀，可使器件在泄放电流的过程中，电流分布相对均匀。但是由于有源区通过浅沟槽隔离，即浅沟槽S环绕设于每个有源区四周，将各个有源区隔离。在浅沟槽S与有源区接触部位的拐角处(角本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电防护器件，包括有源区，其特征在于，所述有源区呈矩形且设有至少一列接触孔，每列的多个所述接触孔沿第一方向间隔分布，所述第一方向平行于所述有源区的一侧边，各列所述接触孔沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔分布；其中，每列的多个所述接触孔中，位于两端的两个所述接触孔的面积小于其余所述接触孔的面积。2.根据权利要求1所述的静电防护器件，其特征在于，每个所述接触孔在所述第一方向具有第一尺寸，位于每列两端的所述接触孔的第一尺寸小于其余所述接触孔的第一尺寸。3.根据权利要求2所述的静电防护器件，其特征在于，每列的多个所述接触孔的第一尺寸自所在列的中间向两端递减。4.根据权利要求3所述的静电防护器件，其特征在于，每个所述接触孔在所述第二方向具有第二尺寸，每列所述接触孔的第二尺寸相同。5.根据权利要求4所述的静电防护器件，其特征在于，多个所述接触孔呈矩阵排列，形成多列和多排，所述多列...

【专利技术属性】
技术研发人员：马精瑞，许杞安，马燕春，江文涌，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：