一种LED外延结构及生长方法技术

本发明专利技术公开一种LED外延结构，包括衬底以及依次层叠设置在衬底上的第一半导体层、发光层和复合层；复合层包括依次层叠的第二半导体层、超晶格层和保护层；超晶格层包括至少一个超晶格单体；超晶格单体包括依次层叠设置的InGaN层、连接层和Mg3N2层。本发明专利技术通过Mg3N2层提高Mg原子浓度，使得空穴的浓度提高，InGaN层能提高空穴的传导效率，加速空穴的移动速率，使得空穴能快速到达发光层与电子复合，连接层能稳固连接InGaN层和Mg3N2层，结构紧凑。本发明专利技术还公开了一种LED外延结构的生长方法，包括在衬底上依次生长第一半导体层、发光层和复合层；本发明专利技术的生长方法能提高空穴浓度，从而大大提升空穴和电子的复合效率。大提升空穴和电子的复合效率。大提升空穴和电子的复合效率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED外延结构及生长方法


[0001]本专利技术涉及LED
，具体涉及一种LED外延结构及生长方法。

技术介绍

[0002]LED是一种用于照明的半导体，其因体积小、耗电量低、使用寿命长、亮度高、环保和耐用等优点被广大消费者认可。
[0003]而传统的LED中，N型GaN层能向发光层提供电子，P型GaN层向发光层提供空穴，空穴和电子在发光层复合后以光子的形式输出，进而实现发光，但传统的P型GaN层中，Mg原子的激活效率较低，即Mg原子能够电离产生的空穴个数为总的Mg原子个数的1％左右，使得发光层中空穴的浓度不足，电子和空穴的复合效率低下，导致LED发光效果不良。
[0004]综上所述，急需一种发光效果好的LED外延结构及生长方法以解决现有技术中存在的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术目的在于提供一种发光效果好的LED外延结构及生长方法，具体技术方案如下：
[0006]一种LED外延结构，包括衬底以及依次层叠设置在衬底上的第一半导体层、发光层和复合层；所述复合层包括依次层叠的第二半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括衬底(1)以及依次层叠设置在衬底(1)上的第一半导体层(2)、发光层(3)和复合层；所述复合层包括依次层叠的第二半导体层(4)、超晶格层(5)和保护层(6)；所述第二半导体层(4)设置在发光层(3)上；所述超晶格层(5)包括至少一个超晶格单体；所述超晶格单体包括依次层叠设置的InGaN层(5.1)、连接层(5.2)和Mg3N2层(5.3)；所述InGaN层(5.1)位于靠近第二半导体层(4)的一侧，所述保护层(6)设置在超晶格层(5)上。2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述保护层(6)为P型GaN层。3.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述保护层(6)上还依次层叠设有ITO层(7)和绝缘层(8)。4.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述超晶格层(5)包括多个层叠设置的超晶格单体，所述超晶格层的厚度为75-150nm。5.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述发光层(3)包括发光工作层和至少一个发光单体；所述发光单体包括层叠设置的In
x
Ga
(1-x)
N层(3.1)和SiGaN层(3.2)，其中x＝0.1-0.3，所述In
x
Ga
(1-x)
N层(3.1)位于靠近第一半导体层(2)的一侧；所述发光工作层设置在发光单体上。6.一种LED外延结构的生长方法，其特征在于，包括如下步骤；步骤一：在衬底(1)上生长第一半导体层(2)；步骤二：在第一半导体层(2)生长发光层(3)；步骤三：在发光层(3)上生长复合层；所述步骤三中，所述复合层包括依次层叠的第二半导体层(4)、超晶格层...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯磊，徐平，黄胜蓝，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：