拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构制造技术

本发明专利技术公开了一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，包括层叠设置的：P面电极、P型限制层、P型波导层、有源层、N型波导层、N型限制层、InP衬底、N面电极，有源层包括若干层厚度相异的量子阱层，各层量子阱层之间设置势垒层。有源层为AlGaInAs材料有源层，包括四层量子阱层，厚度分别为7nm、7.5nm、8nm、8.5nm，量子阱层采用In

【技术实现步骤摘要】
拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构


[0001]本专利技术涉及超辐射发光二极管领域，具体是一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构。

技术介绍

[0002]超辐射发光二极管是近些年发展起来的一种半导体发光器件，发光特性介于激光器和发光二极管之间，与半导体发光二极管相比，半导体超辐射二极管具有较高的功率输出和较窄的发散角；和半导体激光器相比，具有较大的光谱宽度、较好的稳定性、理想的光束方向性和很短的相干长度。光功率大可以提高系统精度和灵敏度，宽光谱可以降低光在光纤中因瑞利散射和克尔效应等引起的相干误差，因此超辐射发光器件是光纤陀螺的理想光源。它的出现和发展很大一部分受到光纤陀螺的驱动，并成为一种重要的光源。目前，超辐射发光二极管还广泛应用于波分复用技术、光学相干层析成像技术和可调谐外腔激光器等。目前主要的应用领域都要求超辐射发光二极管在有较大输出功率的同时存在尽可能大的光谱宽度。
[0003]目前研制超辐射发光二极管时，主要是在传统激光器结构基础上，通过各种局部结构调整来破坏法布里-珀罗(Fabry-Pero本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，包括层叠设置的：P面电极(1)、P型限制层(2)、P型波导层(3)、有源层、N型波导层(8)、N型限制层(9)、InP衬底(10)、N面电极(11)，其特征在于：所述有源层包括若干层厚度相异的量子阱层，各层量子阱层之间设置势垒层。2.根据权利要求1所述的一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，其特征在于：所述有源层为AlGaInAs材料有源层，包括四层量子阱层(4、5、6、7)，厚度分别为7nm、7.5nm、8nm、8.5nm，量子阱层采用In
0.76
Ga
0.12
Al
0.12
As材料，量子阱层之间的势垒层厚度为20nm，势垒层采用Al
0.31
Ga
0.18
In
0.51
As材料。3.根据权利要求1所述的一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，其特征在于：所述P面电极(1)上表面设置脊型条(13...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙春明，苏建，殷方军，郑兆河，徐现刚，
申请(专利权)人：山东华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：