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本发明公开了一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构,包括层叠设置的:P面电极、P型限制层、P型波导层、有源层、N型波导层、N型限制层、InP衬底、N面电极,有源层包括若干层厚度相异的量子阱层,各层量子阱层之间设置势垒层。有源...该专利属于山东华光光电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过山东华光光电子股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构,包括层叠设置的:P面电极、P型限制层、P型波导层、有源层、N型波导层、N型限制层、InP衬底、N面电极,有源层包括若干层厚度相异的量子阱层,各层量子阱层之间设置势垒层。有源...