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本发明公开一种LED外延结构，包括衬底以及依次层叠设置在衬底上的第一半导体层、发光层和复合层；复合层包括依次层叠的第二半导体层、超晶格层和保护层；超晶格层包括至少一个超晶格单体；超晶格单体包括依次层叠设置的InGaN层、连接层和Mg3N2层...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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