大功率双凸台贴片二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种大功率双凸台贴片二极管，其包括胶体、基片、芯片、跳线和引脚，胶体用于封装保护，基片一端伸入胶体内，且伸入胶体一端设置有第一凸台和凹槽，凹槽设置在第一凸台外侧，芯片设置在胶体内部，一端连接第一凸台，跳线设置在胶体内部，连接在芯片上远离基片一端，靠近芯片一端设置有第二凸台，第二凸台连接芯片，远离芯片一侧设置有跳线接板，引脚一端伸入胶体内连接跳线接板，伸出胶体部分呈弯折状。本实用新型专利技术的大功率双凸台贴片二极管通过在基片上直接冲压出凹槽，利用槽深形成凸台结构，跳线上直接做第二凸台，设置双凸台，芯片焊接过程，可以避免破坏芯片钝化层，产品的可靠性较强，质量稳定。质量稳定。质量稳定。

【技术实现步骤摘要】
大功率双凸台贴片二极管


[0001]本技术涉及贴片二极管领域，特别涉及一种大功率双凸台贴片二极管。

技术介绍

[0002]瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor，TVS)作为有效的防护器件，使瞬态干扰得到了有效抑制。TVS是利用硅半导体材料制成的特殊功能的二极管，当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能迅速开启，同时吸收浪涌电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面精密的电子元器件免受瞬态高能量的冲击而损坏。现有的贴片二极管的可靠性较差，故需要提供一种大功率双凸台贴片二极管来解决上述技术问题。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种大功率双凸台贴片二极管，以解决现有技术中的现有的贴片二极管的可靠性较差，以及各个部件的分布不够合理的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术的技术方案为：一种大功率双凸台贴片二极管，其包括：
[0005]胶体，用于封装保护；
[0006]基片，一端伸入所述胶体内，伸入胶体一端设置有第一凸台和凹槽，所述凹槽设置在所述第一凸台外侧；
[0007]芯片，设置在所述胶体内部，一端连接所述第一凸台；
[0008]跳线，设置在所述胶体内部，连接在所述芯片上远离所述基片一端，靠近芯片一端设置有第二凸台，所述第二凸台连接芯片，远离芯片一侧设置有跳线接板；
[0009]焊料，连接在所述芯片两端，用于将芯片连接在所述第一凸台和第二凸台上；
[0010]引脚，一端伸入所述胶体内连接所述跳线接板，伸出胶体部分呈弯折状。
[0011]本技术所述的大功率双凸台贴片二极管中，所述第一凸台的横截面面积等于所述第二凸台的横截面面积，第一凸台的横截面面积小于所述芯片的横截面面积。
[0012]本技术所述的大功率双凸台贴片二极管中，所述芯片包括芯片钝化层，所述芯片钝化层位于芯片边缘，芯片钝化层内侧轮廓面积大于所述第一凸台的横截面面积。
[0013]本技术所述的大功率双凸台贴片二极管中，所述基片呈块状，所述第一凸台和所述凹槽外侧的基片表面在同一平面，基片两端的平面相互平行。
[0014]本技术所述的大功率双凸台贴片二极管中，所述引脚伸出胶体部分向靠近所述基片一侧弯折，且引脚远离胶体一侧的表面和基片远离胶体一侧的表面在同一平面。
[0015]本技术所述的大功率双凸台贴片二极管中，所述跳线接板位于所述跳线上远离所述基片一侧，跳线接板远离所述跳线一侧末端设置有第一弯折部，所述第一弯折部向靠近基片一侧弯折。
[0016]本技术所述的大功率双凸台贴片二极管中，所述引脚包括第二弯折部和导出
部，所述第二弯折部连接所述导出部，且沿导出部伸入胶体部分末端向靠近所述跳线一侧弯折，第二弯折部连接所述第一弯折部，导出部伸出胶体部分向靠近所述基片一侧弯折。
[0017]本技术所述的大功率双凸台贴片二极管中，所述第二弯折部的宽度比所述导出部的宽度大，所述第二弯折部的宽度和所述第一弯折部的宽度一致。
[0018]本技术所述的大功率双凸台贴片二极管中，所述凹槽包括横向凹槽和纵向凹槽，两个所述横向凹槽两端连接纵向凹槽，横向凹槽和纵向凹槽相互连通。
[0019]本技术所述的大功率双凸台贴片二极管中，所述横向凹槽延伸方向相互平行，纵向凹槽延伸方向相互平行，横向凹槽延伸方向和纵向凹槽延伸方向相互垂直。
[0020]本技术相较于现有技术，其有益效果为：本技术的大功率双凸台贴片二极管通过在基片上直接冲压出凹槽，利用槽深形成凸台结构，凹槽内侧为第一凸台，跳线上直接做第二凸台，从而实现芯片两侧双凸台，双凸台外侧轮廓都小于芯片钝化层内侧轮廓，芯片焊接过程，可以有效避免破坏芯片钝化层，产品的可靠性较强，质量稳定。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，下面描述中的附图仅为本技术的部分实施例相应的附图。
[0022]图1为本技术的大功率双凸台贴片二极管的仰视图。
[0023]图2为沿图1中A向的剖视图。
[0024]图3为图2中B的局部放大图。
[0025]图4为本技术的大功率双凸台贴片二极管的基片的俯视图。
[0026]图5为本技术的大功率双凸台贴片二极管的引脚的仰视图。
[0027]其中，1、胶体，2、基片，3、芯片，4、跳线，5、焊料，6、引脚，21、第一凸台，22、凹槽，23、横向凹槽，24、纵向凹槽，31、芯片钝化层，41、第二凸台，42、跳线接板，43、第一弯折部，61、第二弯折部，62、导出部，B 为芯片3边缘处连接的相关结构。
具体实施方式
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]本技术中所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」、「顶部」以及「底部」等词，仅是参考附图的方位，使用的方向用语是用以说明及理解本技术，而非用以限制本技术。
[0030]本技术术语中的“第一”“第二”等词仅作为描述目的，而不能理解为指示或暗示相对的重要性，以及不作为对先后顺序的限制。
[0031]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个
元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0032]现有技术中的现有的贴片二极管的可靠性较差。
[0033]如下为本技术提供的一种能解决以上技术问题的大功率双凸台贴片二极管的优选实施例。
[0034]请参照图1、图2和图3，其中图1为本技术的大功率双凸台贴片二极管的优选实施例的结构示意图，图2为本技术的大功率双凸台贴片二极管的优选实施例的后视图，图3为本技术的大功率双凸台贴片二极管的优选实施例的俯视图。
[0035]在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0036]本技术提供一种大功率双凸台贴片二极管，其包括胶体1、基片2、芯片3，跳线4，焊料5和引脚6，胶体1用于封装保护，在基片2上直接冲压出凹槽22，利用槽深形成凸台结构，凹槽22内侧为第一凸台21，跳线4上直接做第二凸台41，从而实现芯片3两侧双凸台，双凸台外侧轮廓都小于芯片钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率双凸台贴片二极管，其特征在于，包括：胶体，用于封装保护；基片，一端伸入所述胶体内，伸入胶体一端设置有第一凸台和凹槽，所述凹槽设置在所述第一凸台外侧；芯片，设置在所述胶体内部，一端连接所述第一凸台；跳线，设置在所述胶体内部，连接在所述芯片上远离所述基片一端，靠近芯片一端设置有第二凸台，所述第二凸台连接芯片，远离芯片一侧设置有跳线接板；焊料，连接在所述芯片两端，用于将芯片连接在所述第一凸台和第二凸台上；引脚，一端伸入所述胶体内连接所述跳线接板，伸出胶体部分呈弯折状。2.根据权利要求1所述的大功率双凸台贴片二极管，其特征在于，所述第一凸台的横截面面积等于所述第二凸台的横截面面积，第一凸台的横截面面积小于所述芯片的横截面面积。3.根据权利要求2所述的大功率双凸台贴片二极管，其特征在于，所述芯片包括芯片钝化层，所述芯片钝化层位于芯片边缘，芯片钝化层内侧轮廓面积大于所述第一凸台的横截面面积。4.根据权利要求1所述的大功率双凸台贴片二极管，其特征在于，所述基片呈块状，所述第一凸台和所述凹槽外侧的基片表面在同一平面，基片两端的平面相互平行。5.根据权利要求1所述的大功率双凸台贴片二极管，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈盛隆，叶敏，
申请(专利权)人：派克微电子深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：