本发明专利技术涉及用于处理基板的装置和方法。一种用于处理基板的装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有工艺空间；支承单元，其在所述工艺空间中支承所述基板；加热构件，其加热支承于所述支承单元上的所述基板；和排放单元，其抽排所述工艺空间。所述排放单元包括排放管和热量保持单元，所述热量保持单元具有保持从所述工艺空间释放的热量的保持空间。所述保持空间围绕所述排放管中邻近所述工艺腔室的邻近区域。近区域。近区域。
【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年8月23日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2019-0103785的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
[0003]本文描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法。
技术介绍
[0004]执行诸如清洁、沉积、涂覆、光刻、蚀刻和离子注入等的各种工艺以制造半导体元件。在这些工艺中，沉积工艺和涂覆工艺用于在基板上形成膜。通常，沉积工艺是通过在基板上沉积工艺气体来形成膜的工艺，而涂覆工艺是通过将处理液施用到基板来形成液膜的工艺。
[0005]在基板上形成膜之前和之后，在基板上执行烘烤工艺(bake process)。烘烤工艺是在诸如烘烤腔室的密封空间中将基板加热到工艺温度或更高的工艺。在烘烤工艺中，基板的整个区域被均匀地加热，或者基板的各个区域的温度由操作员调节。
[0006]烘烤工艺中产生的烟尘(fume)通过连接到烘烤腔室的排放管(exhaust duct)释放，从而释放烘烤腔室中的气氛(atmosphere)。在烟尘流过排放管的情况下，烟尘沉积在排放管的内壁上。特别地，在邻近排放管与烘烤腔室连接的点的区域中，烟尘的沉积量显著增加。
[0007]由于沉积在排放管上的烟尘，排放压力无法维持在设定压力，这会导致工艺不良。使用各种方法来防止烟尘沉积在排放管上。然而，这些方法在防止烟尘的沉积方面无效，或者单独消耗了大量的热能。
技术实现思路
[0008]本专利技术构思的实施方案提供一种用于将排放管维持在高温下的装置和方法。
[0009]本专利技术构思的实施方案提供一种用于防止烟尘在排放管上的沉积的装置和方法。
[0010]本专利技术构思要解决的技术问题不限于上述问题，且本专利技术构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
[0011]根据示例性实施方案，用于处理基板的装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有工艺空间；支承单元，其在所述工艺空间中支承所述基板；加热构件，其加热支承于所述支承单元上的所述基板；和排放单元(exhaust unit)，其抽排(evacuate)所述工艺空间。所述排放单元包括排放管和热量保持单元(heat retention unit)，所述热量保持单元具有保持从所述工艺空间释放的热量的保持空间。所述保持空间围绕所述排放管中邻近所述工艺腔室的邻近区域(adjacent area)。
[0012]根据一实施方案，所述热量保持单元可以包括由隔热材料形成的壳体，并且在所述壳体中具有所述保持空间。
[0013]根据一实施方案，所述排放管可以耦合到所述工艺腔室的上壁，所述壳体可以附接到所述工艺腔室的所述上壁，并且所述邻近区域可以是邻近所述工艺腔室的所述上壁和所述排放管的区域。
[0014]根据一实施方案，所述壳体可以包括上壁和从所述上壁向下延伸的环形侧壁，并且所述侧壁可以直接耦合到所述工艺腔室。
[0015]根据一实施方案，当从上方观察时，所述壳体可以具有与所述工艺腔室相对应的尺寸。
[0016]根据一实施方案，所述热量保持单元还可以包括维持所述壳体的上壁的形状的形状保持构件(shape-retaining member)。
[0017]根据一实施方案，所述形状保持构件可以包括增强板(reinforcing plate)，所述增强板耦合到所述上壁的底表面以在所述上壁和所述形状保持构件之间形成内部空间。
[0018]根据一实施方案，所述增强板可以具有形成在其底表面上的径向延伸的槽。
[0019]根据一实施方案，所述内部空间可以填充有气体。
[0020]根据一实施方案，所述内部空间可以设置为所述气体到外部的流动被中断的状态。
[0021]根据一实施方案，所述气体可以是空气。
[0022]根据一实施方案，所述热量保持单元还可以包括在所述邻近区域中围绕所述排放管的盖。
[0023]根据一实施方案，所述装置还可以包括：气板(gas plate)，其设置在所述工艺空间中以面对支承于所述支承单元上的所述基板；以及遮蔽板(shielding plate)，其设置在所述气板的顶侧上，并且所述排放管可以包括耦合到所述气板的第一管和耦合到所述遮蔽板的第二管。
[0024]根据一实施方案，所述气板可以具有孔，气体通过所述孔供应以在所述工艺空间中产生向下的气流。
[0025]根据一实施方案，对所述基板的处理可以是烘烤工艺。
[0026]根据示例性实施方案，一种用于处理基板的方法包括：将所述基板设置在工艺空间中；和在所述工艺空间中通过加热所述基板来处理所述基板。在处理所述基板的情况下，通过排放管释放所述工艺空间中的气氛。在所述工艺空间的外部，设置保持从所述工艺空间释放的热量的保持空间、和在所述保持空间中形成密封空间的内部空间。所述排放管设置成穿过所述保持空间，并且所述排放管的穿过所述保持空间的区域被保持在所述保持空间和所述内部空间中的热量加热。
[0027]根据一实施方案，所述保持空间可以通过壳体设置，所述壳体由隔热材料形成。
[0028]根据一实施方案，所述内部空间可以填充有气体。
[0029]根据一实施方案，所述排放管可以被盖围绕。
[0030]根据一实施方案，对所述基板的处理可以是在所述基板上执行热处理的烘烤工艺。
附图说明
[0031]参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非
另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：
[0032]图1是示出了根据本专利技术构思的实施方案的基板处理设备(equipment)的平面图；
[0033]图2是示出了当沿方向A-A观察时图1的设备的视图；
[0034]图3是示出了当沿方向B-B观察时图1的设备的视图；
[0035]图4是示出了当沿方向C-C观察时图1的设备的视图；
[0036]图5是示出了图1的加热单元的截面图；
[0037]图6是示出了图5的加热构件和安置板的平面图；
[0038]图7是示出了根据本专利技术构思的实施方案的壳体的立体图；
[0039]图8是沿图7的线A-A截取的截面图；
[0040]图9是示出了根据本专利技术构思的实施方案的壳体耦合到工艺腔室的状态的视图；
[0041]图10是示出了根据本专利技术构思的实施方案的壳体和盖的视图；
[0042]图11是示出了根据本专利技术构思的另一实施方案的排放单元的视图；以及
[0043]图12是示出了根据本专利技术构思的另一实施方案的壳体的视图。
具体实施方式
[0044]以下，将参照附图更加详细地描述本专利技术构思的实施方案。可以对本专利技术构思的实施方案进行各种修改和变型，并且本专利技术构思的范围不应解释为受限于本文中阐述的实施方案本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有工艺空间；支承单元，其配置成在所述工艺空间中支承所述基板；加热构件，其配置成加热支承于所述支承单元上的所述基板；和排放单元，其配置成抽排所述工艺空间，其中，所述排放单元包括：排放管；和热量保持单元，其具有保持空间，所述保持空间配置成保持从所述工艺空间释放的热量，并且其中，所述保持空间围绕所述排放管中邻近所述工艺腔室的邻近区域。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述热量保持单元包括壳体，在所述壳体中具有所述保持空间，所述壳体由隔热材料形成。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述排放管耦合到所述工艺腔室的上壁，其中，所述壳体附接到所述工艺腔室的所述上壁，并且其中，所述邻近区域是邻近所述工艺腔室的所述上壁和所述排放管的区域。4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述壳体包括：上壁；和从所述上壁向下延伸的环形侧壁，并且其中，所述侧壁直接耦合到所述工艺腔室。5.根据权利要求2所述的装置，其中，当从上方观察时，所述壳体具有与所述工艺腔室相对应的尺寸。6.根据权利要求2至5中任一项所述的装置，其中，所述热量保持单元还包括形状保持构件，所述形状保持构件配置为维持所述壳体的上壁的形状。7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述形状保持构件包括增强板，所述增强板耦合到所述上壁的底表面以在所述上壁和所述形状保持构件之间形成内部空间。8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述增强板具有形成在其底表面上的径向延伸的槽。9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述内部空间填充有气体。10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述内部空间设置为所述气体到外部的流动被...
【专利技术属性】
技术研发人员：金俊镐，申景湜，安迎曙，辛辰基，姜湾圭，史允基，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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