晶圆检查设备制造技术

技术编号:27486680 阅读:20 留言:0更新日期:2021-03-02 18:02
一种晶圆检查设备,包括支撑结构,其包括框架和安装在框架上的真空吸盘,每一个真空吸盘具有包括真空抽吸部分的支撑表面,所述支撑结构被配置为在结构上支撑一个或多个真空吸盘上的晶圆,所述框架限定其面积大于晶圆的面积的开口。所述晶圆检查设备包括:电磁波发射器,其被配置为将检查电磁波辐射到晶圆;传感器,其被配置为基于穿过晶圆的检查电磁波从晶圆接收检查电磁波;以及驱动器,其被配置为移动电磁波发射器和框架中的至少一个,以改变晶圆的辐射位置。每一个真空吸盘被配置为关于框架在第一位置与第二位置之间选择性地可移动。架在第一位置与第二位置之间选择性地可移动。架在第一位置与第二位置之间选择性地可移动。

【技术实现步骤摘要】
晶圆检查设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年8月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0102565的优先权的权益,该申请的公开内容以引用方式全部并入本文中。


[0003]本公开涉及晶圆检查设备。

技术介绍

[0004]为了管理半导体晶圆的质量,在半导体晶圆制造期间执行半导体晶圆的检查工艺。
[0005]通常,真空吸盘在晶圆检查设备中用于在晶圆的检查期间托持半导体晶圆。大部分真空吸盘向晶圆的背面施加真空以将晶圆托持在原位置。由于反射检查设备检测从晶圆的正面反射的电磁波,因此即使当真空吸盘设置在晶圆的背面上时,也不会干扰晶圆测量。然而,在透射检查设备中,电磁波不能穿过与真空吸盘接触的晶圆区域,因此,会存在不可测量的区域。

技术实现思路

[0006]一些示例实施例提供了一种被配置为增大晶圆的检查面积的晶圆检查设备。
[0007]根据一些示例实施例,晶圆检查设备可以包括支撑框架、电磁波发射器、传感器和驱动器。支撑结构可以包括框架和多个真空吸盘,多个真空吸盘中的每一个真空吸盘安装在框架上,并且各自具有包括真空抽吸部分的支撑表面。支撑结构可以被配置为在结构上支撑多个真空吸盘中的一个或多个真空吸盘上的晶圆,框架限定其面积大于晶圆的面积的开口。电磁波发射器可以被配置为将检查电磁波辐射到晶圆。传感器可以被配置为基于穿过晶圆的检查电磁波从晶圆接收检查电磁波。驱动器可以被配置为移动电磁波发射器和框架中的至少一个,以改变晶圆的辐射位置。多个真空吸盘中的每一个真空吸盘可以被配置为关于框架在第一位置与第二位置之间选择性地可移动。
[0008]根据一些示例实施例,晶圆检查设备可以包括限定开口的框架,框架被配置为在结构上支撑开口中的晶圆,其中,开口的面积大于晶圆的面积。晶圆检查设备可以包括多个第一真空吸盘和多个第二真空吸盘。多个第一真空吸盘和多个第二真空吸盘中的每一个真空吸盘可以具有包括真空抽吸部分的支撑表面。多个第一真空吸盘和多个第二真空吸盘可以被配置为在框架的第一位置与框架的第二位置之间可移动。当真空吸盘处于框架的第一位置时,每一个真空吸盘的支撑表面可以被配置为与用于支撑晶圆的参考面共面。晶圆检查设备可以包括:电磁波发射器,其被配置为将检查电磁波辐射到晶圆的背面;晶圆上的传感器,传感器被配置为基于穿过晶圆的检查电磁波从晶圆接收检查电磁波;驱动器,其被配置为移动电磁波发射器,以改变晶圆的背面上的辐射位置;以及处理电路,其被配置为控制驱动器以及多个第一真空吸盘和多个第二真空吸盘的移动。多个第一真空吸盘和多个第二
真空吸盘可以被配置为移动到第二位置,以偏离晶圆与电磁波发射器之间的检查电磁波的路径。多个第一真空吸盘可以被配置为移动到第一位置,使得多个第一真空吸盘的支撑表面与晶圆的背面的第一接触区域接触,多个第二真空吸盘可以被配置为移动到第一位置,使得多个第二真空吸盘的支撑表面与晶圆的背面的第二接触区域接触,第一接触区域和第二接触区域是晶圆的背面的不同区域。
[0009]根据一些示例实施例,晶圆检查设备可以包括具有框架的支撑结构。支撑结构可以包括多个真空吸盘。多个真空吸盘中的每一个真空吸盘可以安装在框架上,并且每一个真空吸盘可以具有包括真空抽吸部分的支撑表面。支撑结构可以被配置为在结构上支撑多个真空吸盘中的一个或多个真空吸盘上的晶圆。框架可以限定其面积大于晶圆的面积的开口。每一个真空吸盘可以被配置为设置为使得真空吸盘的支撑表面与参考面共面,晶圆在该参考面上由支撑结构支撑。晶圆检查设备可以包括:电磁波发射器,其被配置为将检查电磁波辐射到晶圆;传感器,其被配置为基于穿过晶圆的检查电磁波从晶圆接收检查电磁波;以及驱动器,其被配置为移动电磁波发射器和框架中的至少一个,以改变晶圆的辐射位置。多个真空吸盘中的每一个真空吸盘可以被配置为与参考面分离,以沿着框架下降或者关于框架向下翻转。
附图说明
[0010]通过以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征和优点,在附图中:
[0011]图1是根据一些示例实施例的透射晶圆检查系统的示意图;
[0012]图2是根据一些示例实施例的透射晶圆检查设备的透视图;
[0013]图3是图2中所示的透射晶圆检查设备的平面图;
[0014]图4A和图4B是示出了图2中所示的透射晶圆检查设备中可采用的真空吸盘的移动的透视图;
[0015]图5是示出了图4B中所示的真空吸盘的额外移动的截面图;
[0016]图6是示出了根据一些示例实施例的晶圆检查方法的流程图;
[0017]图7A、图7B和图7C是示出了根据一些示例实施例的晶圆检查方法的各个检查处理的平面图;
[0018]图8和图9是根据各种示例实施例的透射晶圆检查设备的平面图;
[0019]图10A、图10B和图10C是根据一些示例实施例的晶圆检查设备的平面图;以及
[0020]图11A、图11B和图11C分别是示出了图10A、图10B和图10C中所示的晶圆检查设备的真空吸盘的移动的截面图。
具体实施方式
[0021]在下文中,将参照附图描述示例实施例。
[0022]图1是根据一些示例实施例的透射晶圆检查系统的示意图,图2是图1中所示的系统中可采用的透射晶圆检查设备的透视图。
[0023]图1中所示的晶圆检查系统300可以包括:腔室101,其设置有晶圆检查设备200;控制单元210,其被配置为控制晶圆检查设备200;以及分析单元240,其被配置为分析由晶圆
检查设备200测量的结果。晶圆检查系统300还可以包括显示单元250,其连接到分析单元240以显示测量结果和/或分析结果。显示单元250可以被理解为被配置为显示图像的任何显示装置,包括但不限于发光二极管(LED)显示屏。
[0024]如图1中所示,控制单元210和/或分析单元240可以被包括在处理电路的一个或多个实例中,可以包括和/或可以实施为处理电路的一个或多个实例,诸如包括逻辑电路的硬件、硬件/软件组合(诸如执行软件的处理器)或者它们的组合。例如,处理电路更具体地可以包括但不限于可以包括中央处理单元(CPU)、算术逻辑单元(ALU)、数字信号处理器、微型计算机、现场可编程门阵列(FPGA)、片上系统(SoC)、可编程逻辑单元、微处理器、专用集成电路(ASIC)等的处理器。在一些示例实施例中,控制单元210和/或分析单元240的处理电路可以包括存储指令程序的非暂时性计算机可读存储装置(例如,存储器)以及(例如,经由总线)耦接到该存储装置并被配置为执行该指令程序以实施控制单元210和/或分析单元240的功能的处理器,所述非暂时性计算机可读存储装置例如是固态驱动器(SSD)。因此,如在此描述的控制单元210和/或分析单元240可以可互换地称为“处理电路”,该“处理电路”可以被配置为实施如在此描述的控制单元210和/或分析单元240的任何和所有功能。
[0025]晶圆本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆检查设备,包括:支撑结构,其包括框架和多个真空吸盘,所述多个真空吸盘中的每一个真空吸盘安装在所述框架上,并且各自具有包括真空抽吸部分的支撑表面,所述支撑结构被配置为在结构上支撑所述多个真空吸盘中的一个或多个真空吸盘上的晶圆,所述框架限定其面积大于所述晶圆的面积的开口;电磁波发射器,其被配置为将检查电磁波辐射到所述晶圆;传感器,其被配置为基于穿过所述晶圆的检查电磁波从所述晶圆接收所述检查电磁波;以及驱动器,其被配置为移动所述电磁波发射器和所述框架中的至少一个,以改变所述晶圆的辐射位置,其中,所述多个真空吸盘中的每一个真空吸盘被配置为关于所述框架在第一位置与第二位置之间选择性地可移动。2.根据权利要求1所述的晶圆检查设备,其中,在所述多个真空吸盘之中,选择性地移动到所述第一位置的第一组真空吸盘被设置为使得所述第一组真空吸盘的支撑表面与其上设置有所述晶圆的平面共面,并且在所述多个真空吸盘之中,选择性地移动到所述第二位置的第二组真空吸盘被设置为偏离所述晶圆与所述电磁波发射器之间的检查电磁波的路径。3.根据权利要求1所述的晶圆检查设备,其中,所述多个真空吸盘包括多组真空吸盘,每组真空吸盘包括被配置为在结构上支撑所述晶圆的三个或更多个真空吸盘。4.根据权利要求3所述的晶圆检查设备,其中,所述多个真空吸盘包括第一组真空吸盘和第二组真空吸盘,每组真空吸盘包括三个真空吸盘,并且所述第一组真空吸盘和所述第二组真空吸盘包括三对相邻的真空吸盘。5.根据权利要求3所述的晶圆检查设备,其中,所述多个真空吸盘包括第一组真空吸盘和第二组真空吸盘,每组真空吸盘包括三个真空吸盘,并且所述第一组真空吸盘和所述第二组真空吸盘包括:两对相邻的真空吸盘,以及彼此面对的一对相对的真空吸盘。6.根据权利要求2所述的晶圆检查设备,其中,选择性地移动到所述第二位置的所述第二组真空吸盘中的每一个真空吸盘从所述第一位置竖直向下地翻转。7.根据权利要求6所述的晶圆检查设备,其中,选择性地移动到所述第二位置的所述第二组真空吸盘中的每一个真空吸盘被配置为从所述第二位置额外地可移动到所述框架的下表面。8.根据权利要求2所述的晶圆检查设备,其中,由所述框架限定的开口包括被所述晶圆暴露的多个拐角区,并且选择性地移动到所述第二位置的第二组真空吸盘移动到所述多个拐角区中的一个或多个拐角区。9.根据权利要求8所述的晶圆检查设备,其中,所述框架包括多个轨道,其被配置为使
所述多个真空吸盘能够在所述第一位置与所述第二位置之间可移动。10.根据权利要求9所述的晶圆检查设备,其中,所述多个轨道中的每一个轨道包括:第一部分,其在竖直方向上从所述第一位置向下延伸,以及第二部分,其连接到所述第一部分的下端,所述第二部分在水平方向上延伸到所述第二位置。11.根据权利要求1所述的晶圆检查设备,其中,所述框架包括矩形框架、圆形框架或[形框架。12.一种晶圆检查设备,包括:限定开口的框架,所述框架被配置为在结构上支撑所述开口中的晶圆,其中,所述开口的面积大于所述晶圆的面积;多个第一真空吸盘和多个第二真空吸盘,所述多个第一真空吸盘和所述多个第二真空吸盘中的每一个真空吸盘具有包括真空抽吸部分的支撑表面,所述多个第一真空吸盘和所述多个第二真空吸盘被配置为在所述框架的第一位置与所述框架的第二位置之间可移动,每一个真空吸盘的支撑表面被配置为在该真空吸盘位于所述框架的第一位置时与用于支撑所述晶圆的参考面共面;电磁波发射器,其被配置为将检查电磁波辐射到所述晶圆的背面;所述晶圆上的传感器,所述传感器被配置为基于穿过所述晶圆的检查电磁波从所述晶圆接收所述检查电磁波;驱动器,其被配置为移动所述电磁波发射器,以改变所述晶圆的背面上的辐射位置;以及处理电路,其被配置为控制所述驱动器以及所述多个第一真空吸盘和所述多个第二真空吸盘的移动,其中,所述多个第一真空吸盘和所述多个第二真空吸盘被配置为移动到所述第二位置,以偏离所述晶圆与所述电磁波发射器之间的所述检查电磁波的路径,并且所述多个第一真空吸盘被配置为移动到所述第一位置,使得所述多个第一真空吸盘的支撑表面与所述晶圆的背面的第一接触区域接触,并且所述多个第...

【专利技术属性】
技术研发人员:安泰兴拉辛
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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