【技术实现步骤摘要】
晶圆检查设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年8月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0102565的优先权的权益,该申请的公开内容以引用方式全部并入本文中。
[0003]本公开涉及晶圆检查设备。
技术介绍
[0004]为了管理半导体晶圆的质量,在半导体晶圆制造期间执行半导体晶圆的检查工艺。
[0005]通常,真空吸盘在晶圆检查设备中用于在晶圆的检查期间托持半导体晶圆。大部分真空吸盘向晶圆的背面施加真空以将晶圆托持在原位置。由于反射检查设备检测从晶圆的正面反射的电磁波,因此即使当真空吸盘设置在晶圆的背面上时,也不会干扰晶圆测量。然而,在透射检查设备中,电磁波不能穿过与真空吸盘接触的晶圆区域,因此,会存在不可测量的区域。
技术实现思路
[0006]一些示例实施例提供了一种被配置为增大晶圆的检查面积的晶圆检查设备。
[0007]根据一些示例实施例,晶圆检查设备可以包括支撑框架、电磁波发射器、传感器和驱动器。支撑结构可以包括框架和多个真空吸盘,多个真空吸盘中的每一个真空吸盘安装在框架上,并且各自具有包括真空抽吸部分的支撑表面。支撑结构可以被配置为在结构上支撑多个真空吸盘中的一个或多个真空吸盘上的晶圆,框架限定其面积大于晶圆的面积的开口。电磁波发射器可以被配置为将检查电磁波辐射到晶圆。传感器可以被配置为基于穿过晶圆的检查电磁波从晶圆接收检查电磁波。驱动器可以被配置为移动电磁波发射器和框架中的至少一个,以改变晶圆的辐射位 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆检查设备,包括:支撑结构,其包括框架和多个真空吸盘,所述多个真空吸盘中的每一个真空吸盘安装在所述框架上,并且各自具有包括真空抽吸部分的支撑表面,所述支撑结构被配置为在结构上支撑所述多个真空吸盘中的一个或多个真空吸盘上的晶圆,所述框架限定其面积大于所述晶圆的面积的开口;电磁波发射器,其被配置为将检查电磁波辐射到所述晶圆;传感器,其被配置为基于穿过所述晶圆的检查电磁波从所述晶圆接收所述检查电磁波;以及驱动器,其被配置为移动所述电磁波发射器和所述框架中的至少一个,以改变所述晶圆的辐射位置,其中,所述多个真空吸盘中的每一个真空吸盘被配置为关于所述框架在第一位置与第二位置之间选择性地可移动。2.根据权利要求1所述的晶圆检查设备,其中,在所述多个真空吸盘之中,选择性地移动到所述第一位置的第一组真空吸盘被设置为使得所述第一组真空吸盘的支撑表面与其上设置有所述晶圆的平面共面,并且在所述多个真空吸盘之中,选择性地移动到所述第二位置的第二组真空吸盘被设置为偏离所述晶圆与所述电磁波发射器之间的检查电磁波的路径。3.根据权利要求1所述的晶圆检查设备,其中,所述多个真空吸盘包括多组真空吸盘,每组真空吸盘包括被配置为在结构上支撑所述晶圆的三个或更多个真空吸盘。4.根据权利要求3所述的晶圆检查设备,其中,所述多个真空吸盘包括第一组真空吸盘和第二组真空吸盘,每组真空吸盘包括三个真空吸盘,并且所述第一组真空吸盘和所述第二组真空吸盘包括三对相邻的真空吸盘。5.根据权利要求3所述的晶圆检查设备,其中,所述多个真空吸盘包括第一组真空吸盘和第二组真空吸盘,每组真空吸盘包括三个真空吸盘,并且所述第一组真空吸盘和所述第二组真空吸盘包括:两对相邻的真空吸盘,以及彼此面对的一对相对的真空吸盘。6.根据权利要求2所述的晶圆检查设备,其中,选择性地移动到所述第二位置的所述第二组真空吸盘中的每一个真空吸盘从所述第一位置竖直向下地翻转。7.根据权利要求6所述的晶圆检查设备,其中,选择性地移动到所述第二位置的所述第二组真空吸盘中的每一个真空吸盘被配置为从所述第二位置额外地可移动到所述框架的下表面。8.根据权利要求2所述的晶圆检查设备,其中,由所述框架限定的开口包括被所述晶圆暴露的多个拐角区,并且选择性地移动到所述第二位置的第二组真空吸盘移动到所述多个拐角区中的一个或多个拐角区。9.根据权利要求8所述的晶圆检查设备,其中,所述框架包括多个轨道,其被配置为使
所述多个真空吸盘能够在所述第一位置与所述第二位置之间可移动。10.根据权利要求9所述的晶圆检查设备,其中,所述多个轨道中的每一个轨道包括:第一部分,其在竖直方向上从所述第一位置向下延伸,以及第二部分,其连接到所述第一部分的下端,所述第二部分在水平方向上延伸到所述第二位置。11.根据权利要求1所述的晶圆检查设备,其中,所述框架包括矩形框架、圆形框架或[形框架。12.一种晶圆检查设备,包括:限定开口的框架,所述框架被配置为在结构上支撑所述开口中的晶圆,其中,所述开口的面积大于所述晶圆的面积;多个第一真空吸盘和多个第二真空吸盘,所述多个第一真空吸盘和所述多个第二真空吸盘中的每一个真空吸盘具有包括真空抽吸部分的支撑表面,所述多个第一真空吸盘和所述多个第二真空吸盘被配置为在所述框架的第一位置与所述框架的第二位置之间可移动,每一个真空吸盘的支撑表面被配置为在该真空吸盘位于所述框架的第一位置时与用于支撑所述晶圆的参考面共面;电磁波发射器,其被配置为将检查电磁波辐射到所述晶圆的背面;所述晶圆上的传感器,所述传感器被配置为基于穿过所述晶圆的检查电磁波从所述晶圆接收所述检查电磁波;驱动器,其被配置为移动所述电磁波发射器,以改变所述晶圆的背面上的辐射位置;以及处理电路,其被配置为控制所述驱动器以及所述多个第一真空吸盘和所述多个第二真空吸盘的移动,其中,所述多个第一真空吸盘和所述多个第二真空吸盘被配置为移动到所述第二位置,以偏离所述晶圆与所述电磁波发射器之间的所述检查电磁波的路径,并且所述多个第一真空吸盘被配置为移动到所述第一位置,使得所述多个第一真空吸盘的支撑表面与所述晶圆的背面的第一接触区域接触,并且所述多个第...
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