具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件及其形成方法技术

技术编号:27486514 阅读:21 留言:0更新日期:2021-03-02 18:02
本申请案涉及具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件,以及形成集成组合件的方法。所述导电层级包含控制栅极区域及接近于所述控制栅极区域的第二区域。高k介电结构直接抵靠所述控制栅极区域,且完全横跨所述绝缘层级延伸。电荷阻挡材料邻近于所述高k介电结构。电荷存储材料邻近于所述电荷阻挡材料。所述电荷存储材料经配置为区段,所述区段彼此上下垂直地堆叠,且其彼此垂直地间隔开。栅极介电材料邻近于所述电荷存储材料。沟道材料沿着所述堆叠垂直延伸,且邻近于所述栅极介电材料。且邻近于所述栅极介电材料。且邻近于所述栅极介电材料。

【技术实现步骤摘要】
具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件及其形成方法


[0001]具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件(例如,集成NAND存储器),以及形成集成组合件的方法。

技术介绍

[0002]存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器为存储器的一种类型,且在现代计算机及装置中具有诸多用途。例如,现代个人计算机可具有存储在快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一实例,计算机及其它装置越来越普遍在固态驱动器中利用快闪存储器来代替常规硬盘驱动器。作为另一实例,快闪存储器在无线电子装置中较流行,这是因为其使得制造商能够在新的通信协议成为标准化时支持所述新的通信协议,且能够提供使装置远程升级以增强特征的能力。
[0003]NAND可为快闪存储器的基本架构,且可经配置以包括垂直堆叠的存储器单元。
[0004]在具体描述NAND之前,更广泛地描述存储器阵列在集成布置中的关系可能为有帮助的。图1展示现有技术装置1000的框图,所述装置包含存储器阵列1002,所述存储器阵列具有布置成行及列的多个存储器单元1003以及存取线1004(例如,用以传导信号WL0到WL本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成结构,其包括:交替的绝缘层级及导电层级的垂直堆叠;所述导电层级具有端子区域,且具有接近所述端子区域的非端子区域;高k介电材料,其邻近所述端子区域并横跨所述绝缘层级垂直延伸;电荷阻挡材料,其邻近所述端子区域;电荷存储材料,其经布置成垂直堆叠的经间隔开区段;所述区段邻近所述电荷阻挡材料;栅极介电材料,其邻近所述电荷存储材料;及沟道材料,其邻近所述栅极介电材料。2.根据权利要求1所述的集成结构,其中所述高k介电材料直接接触彼此垂直相邻的所述导电层级中的两个的端子区域,且完全横跨所述垂直相邻的两个绝缘层级之间的所述绝缘层级中的一个延伸。3.根据权利要求1所述的集成结构,其中所述高k介电材料包括氧化铝、氧化铪、硅酸铪、氧化锆及硅酸锆中的一或多个。4.根据权利要求1所述的集成结构,其中所述高k介电材料邻近于所述端子区域且不沿着所述非端子区域;其中所述端子区域具有顶表面及底表面,且在所述顶表面与所述底表面之间具有垂直延伸的侧壁表面;其中所述高k介电材料沿着所述端子区域的所述顶表面与所述底表面而非沿着所述端子区域的所述侧壁表面延伸;且其中所述高k介电材料为第一高k介电材料;且所述集成结构进一步包括在所述第一高k介电材料与所述导电层级之间的第二高k介电材料;所述第二高k介电材料卷绕所述端子区域且沿着所述非端子区域延伸;所述第二高k介电材料具有与所述第一高k介电材料不同的组合物。5.根据权利要求4所述的集成结构,其中所述第二高k介电材料包括氧化铝、氧化铪、硅酸铪、氧化锆及硅酸锆中的一或多个。6.根据权利要求4所述的集成结构,其中所述电荷阻挡材料卷绕所述导电层级的所述端子区域,且不沿着所述非端子区域延伸;且其中所述电荷阻挡材料横跨所述绝缘层级垂直延伸。7.根据权利要求1所述的集成结构,其中所述高k介电材料卷绕所述端子区域;其中所述端子区域具有顶表面及底表面,且在所述顶表面与所述底表面之间具有垂直延伸的侧壁表面;其中所述高k介电材料沿着所述端子区域的所述顶表面、所述底表面及所述侧壁表面延伸;且为第一高k介电材料;其中所述第一高k介电材料不沿着所述非端子区域;且所述集成结构进一步包括在所述第一高k介电材料与所述导电层级之间的第二高k介电材料;所述第二高k介电材料卷绕所述端子区域且沿着所述非端子区域延伸;所述第二高k介电材料具有与所述第一高k介电材料不同的组合物。8.根据权利要求7所述的集成结构,其中所述第一高k介电材料及所述第二高k介电材料为彼此大约相同厚度。9.根据权利要求7所述的集成结构,其中所述电荷阻挡材料卷绕所述导电层级的所述端子区域,且不沿着所述非端子区域延伸;且其中所述电荷阻挡材料横跨所述绝缘层级垂直延伸。10.根据权利要求1所述的集成结构,其中所述高k介电材料卷绕所述端子区域;其中所
述端子区域具有顶表面及底表面,且在所述顶表面与所述底表面之间具有垂直延伸的侧壁表面;且其中所述高k介电材料沿着所述端子区域的所述顶表面、所述底表面及所述侧壁表面延伸,且不沿着所述非端子区域延伸。11.一种NAND存储器阵列,其包括:交替的绝缘层级及导电层级的垂直堆叠;所述导电层级包含控制栅极区域及接近所述控制栅极区域的第二区域;高k介电结构,其直接抵靠所述控制栅极区域且完全横跨所述绝缘层级延伸;电荷阻挡材料,其邻近所述高k介电结构;电荷存储材料,其邻近所述电荷阻挡材料;所述电荷存储材料经配置为区段,所述区段彼此上下垂直堆叠,且所述区段彼此垂直间隔开;栅极介电材料,其邻近所述电荷存储材料;及沟道材料,其沿着所述堆叠垂直延伸且邻近所述栅极介电材料。12.根据权利要求11所述的NAND存储器阵列,其中所述高k介电材料包括氧化铝、氧化铪、硅酸铪、氧化锆及硅酸锆中的一或多个。13.根据权利要求11所述的NAND存储器阵列,其中所述高k介电结构仅包括单一的均质高k介电材料。14.根据权利要求11所述的NAND存储...

【专利技术属性】
技术研发人员:金柄徹F
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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