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本申请案涉及具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件，以及形成集成组合件的方法。所述导电层级包含控制栅极区域及接近于所述控制栅极区域的第二区域。高k介电结构直接抵靠所述控制栅极区域，且完全横跨所述绝缘层级延伸。电荷阻挡材料邻近于所述高k介电结...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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