晶圆研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种晶圆研磨装置，包括：具有研磨垫的研磨台，所述研磨垫用于研磨晶圆表面；供应手臂，所述供应手臂位于所述研磨垫上方，所述供应手臂用于输送研磨液至所述研磨垫；晶圆载具，所述晶圆载具位于所述研磨垫上方，所述晶圆载具用于将所述晶圆按压于研磨垫，所述晶圆载具具有承载面和非承载面；其中，所述承载面与所述晶圆接触；其中，所述供应手臂侧壁和/或所述晶圆载具非承载面粘贴有黏胶带，所述胶粘带表面粗糙度小于或等于预设表面粗糙度。本发明专利技术能够避免在研磨过程中飞溅的研磨液形成结晶并且结晶掉落而导致晶圆划伤，从而提高半导体生产良率。而提高半导体生产良率。而提高半导体生产良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆研磨装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种晶圆研磨装置。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制备中，多种材料在半导体晶片上反复形成为具有层叠构造的膜状，为形成该层叠结构，使半导体晶片的表面变得平坦的技术变得重要。化学机械研磨(Chemical-Mechanical Planarization，CMP)作为半导体晶片表面平坦化的手段，得到了广泛应用。
[0003]在化学机械研磨过程中，研磨垫和晶圆载具均在旋转，位于研磨垫上的研磨液会因为离心力的作用，飞溅至位于研磨垫上方的研磨液供应手臂和晶圆载具上，长时间累积后会导致研磨液结晶。结晶后的小颗粒物极易洒落在研磨垫上，造成晶圆刮伤，产生废品。
[0004]为此，寻求一种结构简单、使用方便的化学机械研磨装置，能够有效防止晶圆在研磨过程中刮伤。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题为如何有效防止在研磨过程中小颗粒物掉落而导致晶圆划伤。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶圆研磨装置，包括：具有研磨垫的研磨台，所述研磨垫用于研磨晶圆表面；供应手臂，所述供应手臂位于所述研磨垫上方，所述供应手臂用于输送研磨液至所述研磨垫；晶圆载具，所述晶圆载具位于所述研磨垫上方，所述晶圆载具用于将所述晶圆按压于研磨垫，所述晶圆载具具有承载面和非承载面；其中，所述承载面与所述晶圆接触；其中，所述供应手臂侧壁和/或所述晶圆载具非承载面粘贴有黏胶带，所述胶粘带表面粗糙度小于或等于预设表面粗糙度。
[0007]在其中一个实施例中，所述胶粘带的材料包括氟树脂。
[0008]在其中一个实施例中，所述胶粘带的粘贴方式包括层叠式；所述胶粘带的粘贴轴向为远离所述研磨垫的方向。
[0009]在其中一个实施例中，所述胶粘带包括至少一种类型，不同类型的胶粘带具有不同的宽度值。
[0010]在其中一个实施例中，每一类型的所述胶粘带分别具有对应的预设界面尺寸范围。
[0011]在其中一个实施例中，在距离所述研磨垫的预设高度范围内，所述供应手臂侧壁和/或所述晶圆载具非承载面粘贴有所述胶粘带。
[0012]在其中一个实施例中，所述晶圆研磨装置还包括清洗水枪；所述清洗水枪的使用压力小于或等于1.5MPa。
[0013]在其中一个实施例中，所述清洗水枪具有流量调节部件，通过控制所述流量调节部件调整所述清洗水枪出水口流量。
[0014]在其中一个实施例中，所述清洗水枪的出水口流量为40～290L/min。
[0015]在其中一个实施例中，所述清洗水枪的清洗距离小于或等于3m。
[0016]与现有技术相比，本专利技术提供的技术方案具有以下优点：
[0017]本专利技术提供的晶圆研磨装置中，晶圆载具和供应手臂位于研磨垫上方，胶粘带粘贴在供应手臂侧壁和/或晶圆载具的不与晶圆接触的表面，胶粘带的表面粗糙度小于预设粗糙度。本专利技术中，胶粘带供应手臂和/或晶圆载具表面粘贴有小于预设粗糙度的胶粘带，使得研磨液无法在供应手臂和/或晶圆载具表面依附并结晶，避免在研磨过程中结晶的小颗粒物掉落而导致晶圆划伤，从而提高半导体生产良率。
附图说明
[0018]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0019]图1为本专利技术的一个实施例提供的晶圆研磨装置的结构示意图；
[0020]图2为图1所示晶圆研磨装置的局部结构示意图；
[0021]图3为本专利技术的另一实施例提供的晶圆研磨装置的结构示意图。
具体实施方式
[0022]由
技术介绍
可知，现有亟需提供一种晶圆研磨装置，有效防止在研磨过程中飞溅的研磨液在部件上结晶而结晶掉落而导致晶圆划伤。
[0023]为解决上述问题，本专利技术提供一种晶圆研磨装置，供应手臂和/或晶圆载具表面粘贴有小于预设粗糙度的胶粘带，使得研磨液无法在供应手臂和/或晶圆载具表面依附并结晶，避免在研磨过程中结晶的小颗粒物掉落而导致晶圆划伤，从而提高半导体生产良率。
[0024]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
[0025]图1为本专利技术的一个实施例提供的晶圆研磨装置的结构示意图。
[0026]参考图1，晶圆研磨装置包括：具有研磨垫11的研磨台10，研磨垫11用于研磨晶圆12表面；供应手臂14，供应手臂14位于研磨垫11上方，供应手臂14用于输送研磨液至研磨垫11；晶圆载具13，晶圆载具13位于所述研磨垫11上方，晶圆载具13用于将晶圆12按压于研磨垫11，所述晶圆载具13具有承载面133和非承载面；其中，承载面133与晶圆12接触；其中，供应手臂14侧壁和/或晶圆载具13非承载面粘贴有胶粘带(未图示)，胶粘带表面粗糙度小于预设粗糙度。
[0027]可以理解，图1中示出的晶圆研磨装置的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的示意图，并不构成对本申请方案所应用于的晶圆研磨装置的限定，具体的晶圆研磨装置可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件分布。比如，该图中的晶圆载具13和供应手臂14可以具有不同的分布方式。
[0028]以下将结合附图对本实施例提供的晶圆搬送装置进行详细说明。在半导体制程
中，进行晶圆12研磨作业的位置称为研磨台10，研磨台10沿一方向旋转。研磨垫11位于研磨台10表面，且具有粗糙表面，研磨垫11用于研磨晶圆12表面。通常，研磨台10与研磨垫11为圆形，且在一套晶圆研磨装置中包含三个或四个研磨台10。
[0029]具体地，研磨垫11用于研磨晶圆12与研磨垫11接触的表面。需要说明的是，不同研磨台10上研磨垫11的表面粗糙度不同，具有不同表面粗糙度的研磨垫11能够对晶圆12进行不同程度的研磨，使得研磨后的晶圆12具有不同粗糙程度的平坦表面。
[0030]在一实施例中，供应手臂(slurry arm)14位于研磨垫11上方，供应手臂14用于输送研磨液至研磨垫11。研磨液中通常具有化学助剂和研磨粒(abrasive particles)，化学助剂与需要进行研磨的晶圆12表面发生化学反应，使之形成易研磨层，再配合研磨粒的辅助进行机械研磨，将易研磨层的凸出部分研磨掉，进而形成平坦表面。
[0031]在一实施例中，晶圆载具13位于研磨垫11上方，用于将晶圆12按压于研磨垫11。在按压晶圆12的同时，晶圆载具13与研磨垫11进行相对运动，通过相对运动和研磨液实现对晶圆12表面的平坦化。
[0032]晶圆载具13又可称为晶圆承载器。晶圆载具13还可以用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨装置，其特征在于，包括：具有研磨垫的研磨台，所述研磨垫用于研磨晶圆表面；供应手臂，所述供应手臂位于所述研磨垫上方，所述供应手臂用于输送研磨液至所述研磨垫；晶圆载具，所述晶圆载具位于所述研磨垫上方，所述晶圆载具用于将所述晶圆按压于研磨垫，所述晶圆载具具有承载面和非承载面，所述承载面用于与所述晶圆接触；其中，所述供应手臂侧壁和/或所述晶圆载具非承载面粘贴有胶粘带，所述胶粘带表面粗糙度小于或等于预设表面粗糙度。2.根据权利要求1所述的晶圆研磨装置，其特征在于，所述胶粘带的材料包括氟树脂。3.根据权利要求1所述的晶圆研磨装置，其特征在于，所述胶粘带的粘贴方式包括层叠式；所述胶粘带的粘贴轴向为远离所述研磨垫的方向。4.根据权利要求1所述的晶圆研磨装置，其特征在于，所述胶粘带包括至少两种类型，不同类型的胶粘带具...

【专利技术属性】
技术研发人员：张正先，古进忠，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：